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High Current (0.7 A/mm) for Diamond MOSFETs with 1.4-µm gate and NO2 P-Type Doping on High Quality Heteroepitaxial Diamond Substrates

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2020年11月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
N. Chandra, T. Oishi, S.–W. Kim, Yuki Kawamata、Koji Koyama, and M. Kasu 読み: N. Chandra, T. Oishi, S.–W. Kim, Yuki Kawamata、Koji Koyama, and M. Kasu
題名：
High Current (0.7 A/mm) for Diamond MOSFETs with 1.4-µm gate and NO2 P-Type Doping on High Quality Heteroepitaxial Diamond Substrates
発表情報：
High Current (0.7 A/mm) for Diamond MOSFETs with 1.4-µm gate and NO2 P-Type Doping on High Quality Heteroepitaxial Diamond Substrates
キーワード：
High Current (0.7 A/mm) for Diamond MOSFETs with 1.4-µm gate and NO2 P-Type Doping on High Quality Heteroepitaxial Diamond Substrates
概要：
High Current (0.7 A/mm) for Diamond MOSFETs with 1.4-µm gate and NO2 P-Type Doping on High Quality Heteroepitaxial Diamond Substrates
抄録：
High Current (0.7 A/mm) for Diamond MOSFETs with 1.4-µm gate and NO2 P-Type Doping on High Quality Heteroepitaxial Diamond Substrates

英語フィールド

Author：
N. Chandra, T. Oishi, S.–W. Kim, Yuki Kawamata、Koji Koyama, and M. Kasu
Title：
High Current (0.7 A/mm) for Diamond MOSFETs with 1.4-µm gate and NO2 P-Type Doping on High Quality Heteroepitaxial Diamond Substrates
Announcement information:
High Current (0.7 A/mm) for Diamond MOSFETs with 1.4-µm gate and NO2 P-Type Doping on High Quality Heteroepitaxial Diamond Substrates
Keyword：
High Current (0.7 A/mm) for Diamond MOSFETs with 1.4-µm gate and NO2 P-Type Doping on High Quality Heteroepitaxial Diamond Substrates
An abstract：
High Current (0.7 A/mm) for Diamond MOSFETs with 1.4-µm gate and NO2 P-Type Doping on High Quality Heteroepitaxial Diamond Substrates
An abstract：
High Current (0.7 A/mm) for Diamond MOSFETs with 1.4-µm gate and NO2 P-Type Doping on High Quality Heteroepitaxial Diamond Substrates

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