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820 MW/cm2 0.42 A/mm 3326 V modulation-doped diamond MOSFET

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2022年06月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Niloy Chandra Saha, Seong Woo Kim, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu 読み: Niloy Chandra Saha, Seong Woo Kim, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu
題名：
820 MW/cm2 0.42 A/mm 3326 V modulation-doped diamond MOSFET
発表情報：
15th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC 2022), Kanazawa, June 6-9, 2022
キーワード：
概要：
820 MW/cm2 0.42 A/mm 3326 V modulation-doped diamond MOSFET
抄録：
820 MW/cm2 0.42 A/mm 3326 V modulation-doped diamond MOSFET

英語フィールド

Author：
Niloy Chandra Saha, Seong Woo Kim, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu
Title：
820 MW/cm2 0.42 A/mm 3326 V modulation-doped diamond MOSFET
Announcement information:
15th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC 2022), Kanazawa, June 6-9, 2022
An abstract：
820 MW/cm2 0.42 A/mm 3326 V modulation-doped diamond MOSFET
An abstract：
820 MW/cm2 0.42 A/mm 3326 V modulation-doped diamond MOSFET

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