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875 MW/cm2 NO2-p-Type-Doped Diamond MOSFETs

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2022年09月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Makoto Kasu, Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, and Toshiyuki Oishi 読み: Makoto Kasu, Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, and Toshiyuki Oishi
題名：
875 MW/cm2 NO2-p-Type-Doped Diamond MOSFETs
発表情報：
32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022), Marid, Sep 4-8, 2022
キーワード：
概要：
875 MW/cm2 NO2-p-Type-Doped Diamond MOSFETs
抄録：
875 MW/cm2 NO2-p-Type-Doped Diamond MOSFETs

英語フィールド

Author：
Makoto Kasu, Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, and Toshiyuki Oishi
Title：
875 MW/cm2 NO2-p-Type-Doped Diamond MOSFETs
Announcement information:
32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022), Marid, Sep 4-8, 2022
An abstract：
875 MW/cm2 NO2-p-Type-Doped Diamond MOSFETs
An abstract：
875 MW/cm2 NO2-p-Type-Doped Diamond MOSFETs

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