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マイクロニードル技術を用いた高品質ヘテロエピタキシャル膜上に作製したダイヤモンドFET
発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2018年03月
DOI：
会議属性：
国内会議
査読：
無し
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日本語フィールド
著者：
嘉数 誠、深見 成、石松裕真、桝谷聡士、大石敏之、藤居大樹、金 聖佑
題名：
マイクロニードル技術を用いた高品質ヘテロエピタキシャル膜上に作製したダイヤモンドFET
発表情報：
応用物理学会春季学術講演会
キーワード：
概要：
抄録：
英語フィールド
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