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Origin of reverse leakage current path in edge-defined film-fed growth (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes observed by high　sensitive emission microscopy

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2020年08月
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Sayleap Sdoeung , Kohei Sasaki , Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata , Toshiyuki Oishi , and Makoto Kasu 読み: Sayleap Sdoeung , Kohei Sasaki , Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata , Toshiyuki Oishi , and Makoto Kasu
題名：
Origin of reverse leakage current path in edge-defined film-fed growth (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes observed by high　sensitive emission microscopy
発表情報：
Appl. Phys. Lett. 117, 022106 (2020); 巻: 117 ページ: 022106
キーワード：
酸化ガリウム
概要：
酸化ガリウムのリーク電流の起源を明らかにした。
抄録：
酸化ガリウムのリーク電流の起源を明らかにした。

英語フィールド

Author：
Sayleap Sdoeung , Kohei Sasaki , Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata , Toshiyuki Oishi , and Makoto Kasu
Title：
Origin of reverse leakage current path in edge-defined film-fed growth (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes observed by high　sensitive emission microscopy
Announcement information:
Appl. Phys. Lett. 117, 022106 (2020); Vol: 117 Page: 022106
Keyword：
gallium oxide
An abstract：
We found the origin of leakage current in gallium oxide SBDs.
An abstract：
We found the origin of leakage current in gallium oxide SBDs.

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