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Large electron field emission from high-quality heavily Si-doped AlN grown by MOVPE

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2000年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
M. Kasu and N. Kobayashi
題名：
Large electron field emission from high-quality heavily Si-doped AlN grown by MOVPE
発表情報：
J. Crystal Growth 巻: 221 ページ: 739-742
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
M. Kasu and N. Kobayashi
Title：
Large electron field emission from high-quality heavily Si-doped AlN grown by MOVPE
Announcement information:
J. Crystal Growth Vol: 221 Page: 739-742

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