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3326 V 0.42 A/mm Modulation-Doped Diamond MOSFETs Fabricated via NO2 Delta Doping in Al2O3 Gate Layer

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2022年09月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
M. Kasu, N.C. Saha, S.-W. Kim, and T. Oishi 読み: M. Kasu, N.C. Saha, S.-W. Kim, and T. Oishi
題名：
3326 V 0.42 A/mm Modulation-Doped Diamond MOSFETs Fabricated via NO2 Delta Doping in Al2O3 Gate Layer
発表情報：
32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022), Marid, Sep 4-8, 2022
キーワード：
概要：
3326 V 0.42 A/mm Modulation-Doped Diamond MOSFETs Fabricated via NO2 Delta Doping in Al2O3 Gate Layer
抄録：
3326 V 0.42 A/mm Modulation-Doped Diamond MOSFETs Fabricated via NO2 Delta Doping in Al2O3 Gate Layer

英語フィールド

Author：
M. Kasu, N.C. Saha, S.-W. Kim, and T. Oishi
Title：
3326 V 0.42 A/mm Modulation-Doped Diamond MOSFETs Fabricated via NO2 Delta Doping in Al2O3 Gate Layer
Announcement information:
32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022), Marid, Sep 4-8, 2022
An abstract：
3326 V 0.42 A/mm Modulation-Doped Diamond MOSFETs Fabricated via NO2 Delta Doping in Al2O3 Gate Layer
An abstract：
3326 V 0.42 A/mm Modulation-Doped Diamond MOSFETs Fabricated via NO2 Delta Doping in Al2O3 Gate Layer

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