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Selective-area GaAs growth using nitrogen passivation and scanning tunneling microscopy modification in a nanometer scale

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
1997年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
M. Kasu, T. Makimoto, and N. Kobayashi
題名：
Selective-area GaAs growth using nitrogen passivation and scanning tunneling microscopy modification in a nanometer scale
発表情報：
Appl. Phys. Lett. 巻: 70 ページ: 1161-1163
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
M. Kasu, T. Makimoto, and N. Kobayashi
Title：
Selective-area GaAs growth using nitrogen passivation and scanning tunneling microscopy modification in a nanometer scale
Announcement information:
Appl. Phys. Lett. Vol: 70 Page: 1161-1163

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