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High-temperature characteristics of AlxGa1-xN-based vertical conducting diodes

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2008年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
A. Nishikawa, K. Kumakura, M. Kasu, and T. Makimoto
題名：
High-temperature characteristics of AlxGa1-xN-based vertical conducting diodes
発表情報：
Japanese Journal of Applied Physics 巻: 47 ページ: 2838-2840
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
A. Nishikawa, K. Kumakura, M. Kasu, and T. Makimoto
Title：
High-temperature characteristics of AlxGa1-xN-based vertical conducting diodes
Announcement information:
Japanese Journal of Applied Physics Vol: 47 Page: 2838-2840

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