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Nucleus and spriral growth mechanisms of GaN studied by using selective-area metalorganic vapor phase epitaxy

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2010年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
T. Akasaka, Y. Kobayashi, M. Kasu
題名：
Nucleus and spriral growth mechanisms of GaN studied by using selective-area metalorganic vapor phase epitaxy
発表情報：
Appl. Phys. Express 巻: 3 ページ: 075602
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
T. Akasaka, Y. Kobayashi, M. Kasu
Title：
Nucleus and spriral growth mechanisms of GaN studied by using selective-area metalorganic vapor phase epitaxy
Announcement information:
Appl. Phys. Express Vol: 3 Page: 075602

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