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RF characteristics for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2019年09月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
M. Kasu, Y. Ishimatsu, T. Kamogawa, N. C. Saha, T. Oishi, S. -W. Kim 読み: M. Kasu, Y. Ishimatsu, T. Kamogawa, N. C. Saha, T. Oishi, S. -W. Kim
題名：
RF characteristics for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds
発表情報：
30th International Conference on Diamond and Related Materials (ICDCM2019), Seville, Spain, Sep. 7-12, 2019
キーワード：
ダイヤモンド素子を作製した。
概要：
ダイヤモンド素子を作製した。
抄録：
ダイヤモンド素子を作製した。

英語フィールド

Author：
M. Kasu, Y. Ishimatsu, T. Kamogawa, N. C. Saha, T. Oishi, S. -W. Kim
Title：
RF characteristics for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds
Announcement information:
30th International Conference on Diamond and Related Materials (ICDCM2019), Seville, Spain, Sep. 7-12, 2019
Keyword：
diamond devices
An abstract：
diamond devices
An abstract：
diamond devices

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