Detailed Information

Research Field/Keywords for Research Field

• Power Electronics, Electronic Devices, Semiconductor, Diamond, Widegap Semiconductor

Education

• 1985/03, Graduated
• 1990/03, Doctor Course, Accomplished credits for doctoral program

Employment Experience

• 1990/04 - 2000/09
• 2000/10 - 2011/09
• 2001/01 - 2001/12 Part-time Lecturer
• 2002/07 - 2003/07
• 2003/01 - 2003/12 Part-time Lecturer
• 2003/01 - 2003/12 Part-time Lecturer
• 2005/04 - 2007/03
• 2007/02 - 2007/03
• 2007/07 - 2011/01
• 2010/04 - 2012/03 Part-time Lecturer
• 2011/03 - 2011/03 Part-time researcher for university or other academic organization
• 2011/10 -  *  Professor, Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Science and Engineering, Saga University
• 2013/04 - 2014/03 Saga University
• 2013/04 - 2014/03 Saga University
• 2015/04 - 2017/03
• 2016/05 - 2020/03
• 2019/04 -  *  Professor, Institute of Ocean Energy, Saga University
• 2019/04 -  *  Course Head of Electronic Devices, Saga University

Field of Specialization

• Electron device/Electronic equipment, Electronic materials/Electric materials, Crystal engineering, Thin film/Surface and interfacial physical properties

Membership in Academic Societies

• The Japan Society of Vacuum Surface Science

Awards

• NTT物性研所長表彰業績賞 （2001/02）
• 電子材料シンポジウム（ＥＭＳ）アワード （2001/07）
• NTT先端総研所長表彰業績賞 （2003/02）
• NTT物性研所長表彰業績賞 （2004/02）
• NTT先端総研所長表彰報道特別賞 （2004/02）
• NTT先端総研所長報道特別賞 （2005/02）
• NTT物性研所長表彰業績賞 （2005/02）
• NTT技術誌Technical　Review論文賞 （2007/02）
• 日本結晶成長学会　論文賞 （2010/07）
• 表面科学会フェロー （2016/05）
• 応用物理学会フェロー （2016/09）
• APEX JJAP 編集貢献賞 （2020/03）

Research Topics and Results

• AC Stable (100 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs 2023/10
• 1651-V All-ion-implanted Schottky Barrier Diode on Heteroepitaxial Diamond with 3.6×105 On/off Ratio 2023/09
• Characterization of dislocation of halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 by ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography and its influence on Schottky barrier diodes 2023/09
• Long Stress (190 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs 2023/06
• The improvement of Schottky barrier diodes fabricated only by B ion implantation doping accomplished by refinement of the electrode structure 2023/03
• Fast Switching NO2-doped p-Channel Diamond MOSFETs 2023/03
• ダイヤモンド半導体－Beyond5G, EV, 宇宙応用を目指した次世代パワー半導体－ 2023/03
• Present status of Diamond Semiconductors 2023/03
• 未来型ダイヤモンド半導体の実用化に向けて―佐大から宇宙へ― 2023/03
• ダイヤモンドMOSFET の高速(<10ns)スイッチング特性 2023/03
• ダイヤモンドMOSFET の長時間(190h)ストレス測定 2023/03
• ヘテロエピタキシャルダイヤモンド放射線検出器のα線特性 2023/03
• 高感度エミッション顕微鏡とシンクロトロンX 線トポグラフィーによるHVPE (001)型酸化ガリウムSBD のリーク電流の起源になるキラー欠陥の同定 2023/03
• (011)面方位 HVPEβ型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの高感度エミッション顕微鏡とシンクロトロンＸ線トポグラフィによるキラー欠陥の同定 2023/03
• ダイヤモンド半導体－Beyond5G, EV, 宇宙応用を目指した次世代パワー半導体－ 2023/03
• パワー半導体に向けたダイヤモンドFETとインチ径ダイヤウェハの最近の進展 2023/03
• ダイヤモンドMOSFETの高速(<10ns)スイッチング動作 2023/03
• ダイヤモンドMOSFETの長時間(190h)ストレス特性 2023/03
• 3659-V NO₂ p-Type Doped Diamond MOSFETs on Misoriented Heteroepitaxial Diamond Substrates 2023/01
• ダイヤモンド半導体デバイスの作製技術と高性能化 2023/01
• Line-shaped defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes 2022/12
• High Crystal Quality of Vertical Bridgman and Edge-defined Film-fed Growth-Grown β-Ga2O3 Bulk Crystal Investigated Using High-Resolution X-ray Diffraction and Synchrotron X-ray Topography 2022/12
• Structural characterization of defects in EFG- and HVPE-grown -Ga2O3 crystals 2022/12
• 875-MW/cm2 Low-Resistance NO2 p-type Doped Chemical Mechanical Planarized Diamond MOSFET 2022/12
• Growth of high-quality inch-diameter heteroepitaxial diamond layers on sapphire substrates in comparison to MgO substrates 2022/12
• 3326-V Modulation-Doped Diamond MOSFETs 2022/12
• Initial growth mechanism of high-quality CVD diamond on Ir/sapphire substrate compared with Ir/MgO substrate 2022/12
• Identification of dislocation responsible for leakage current in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes investigated via ultrahigh-sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography 2022/12
• 3659 V 0.37 A/mm NO2-doped p-channel Diamond MOSFETs fabricated on diamond grown on misoriented sapphire substrates 2022/11
• Growth process of high-quality 2-in-diameter CVD diamond on Ir/sapphire substrate compared with Ir/MgO substrate 2022/11
• Recent progress of NO2 p-type doped diamond MOSFET and heteroepitaxial diamond wafer technologies 2022/11
• Defects responsible for leakage current in β-Ga2O3 Schottky barrier diodes observed by ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography 2022/11
• インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の格子歪発生のメカニズム－サファイア基板とMgO基板の比較－ 2022/10
• インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の成長初期過程の観察－サファイア基板とMgO基板の比較－ 2022/10
• Dislocation Responsible for Leakage Current in HVPE (001) β-Ga2O3 SBD Observed by Emission Microscopy and Synchrotron X-ray Topography 2022/10
• High Quality Vertical Bridgman and Edge-Defined Film-Fed Growth β-Ga2O3 Bulk Crystal Investigated Using High-Resolution X-Ray Diffraction and Synchrotron X-Ray Topography 2022/10
• Crystal Defects and Lattice Constants of High-Quality β-Ga2O3 Edge-Defined Film-Fed Grown Single Crystals Studied by Synchrotron X-ray Topography and High-Resolution X-Ray Diffractions 2022/10
• Diamond Semiconductor; Inch‐Wafer Growth and Power FET Technologies 2022/09
• 傾斜サファイア基板上に成長したダイヤモンドウェハの高品質化 2022/09
• ヘテロエピタキシャルダイヤモンド放射線検出器の作製 2022/09
• インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の成長初期過程－サファイア基板とMgO基板の比較－ 2022/09
• B イオン注入のみで作製した ダイヤモンドショットキーバリアダイオード 2022/09
• 3659 V, 0.37 A /mm微傾斜ダイヤモンド上に作製したNO2ドープダイヤモンドMOSFET 2022/09
• ダイヤモンドパワー半導体デバイス 2022/09
• ダイヤモンドパワー半導体デバイスの作製とデバイス応用に向けた課 2022/09
• High On/Off Rectification Ratio of Diamond Schottky Barrier Diode Fabricated by All-Ion-Implantation Doping 2022/09
• 875 MW/cm2 NO2-p-Type-Doped Diamond MOSFETs 2022/09
• Growth mechanism of high-quality inch-diameter diamond layers on sapphire substrates in comparison to MgO substrates 2022/09
• 3326 V 0.42 A/mm Modulation-Doped Diamond MOSFETs Fabricated via NO2 Delta Doping in Al2O3 Gate Layer 2022/09
• Two-inch diamond wafer with high FOM for use in MOSFET 2022/08
• 究極のパワー半導体『ダイヤモンド』 2022/08
• 2インチ径ダイヤモンドCVD成長の機構と課題 2022/07
• 2インチ径ダイヤモンドCVD成長の機構と課題 2022/06
• 820 MW/cm2 0.42 A/mm 3326 V modulation-doped diamond MOSFET 2022/06
• 875 MW/cm2 2568 V 0.68 A/mm NO2 P-type Doped Diamond MOSFETs 2022/06
• Growth Mechanism of 2-Inch High-Quality Heteroepitaxial Diamond Free-Standing Wafers on Sapphire for High-Power Diamond FETs 2022/05
• 垂直 VB 成長と EFG 成長(001) β-Ga2O3 結晶の X 線トポグラフィー観察 2022/03
• N フリーヘテロエピタキシャルダイヤモンドの成長 2022/03
• 高感度エミッション顕微鏡によるHVPE (001)型酸化ガリウムSBDのリーク電流の起源の同定ー研磨による表面キズ 2022/03
• 精密 X 線回折法による高品質 EFG β-Ga2O3単結晶の格子定数の決定 2022/03
• 820 MW/cm2 0.42 A/mm 3326 V 選択ドーピダイヤモンドMOSFET 2022/03
• 875 MW/cm2 2568 V 0.68A/mm NO2 ドープダイヤモンドMOSFET 2022/03
• 究極の半導体 ダイヤモンドの大口径ウェハとパワーデバイスの最近の進展 2022/03
• Misorientation Angle of Heteroepitaxial Diamond on Sapphire Misoriented Substrate 2022/03
• ダイヤモンド半導体 2022/02
• ステップフローを用いたダイヤモンド2インチ径ヘテロウェハ成長と選択ドーピングしたダイヤモンドFETの開発 2022/01
• ダイヤモンドヘテロエピタキシャル結晶成長とダイヤモンドＦＥＴへの応用 2022/01
• Probe-induced surface defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes 2022/01
• ダイヤモンド半導体デバイスの最近の進展2インチ径ヘテロエピウェハ成長と選択ドープパワーデバイスの作製 2021/12
• High Quality Heteroepitaxial Diamond by Using Step-Flow Growth 2021/12
• HVPE成長-Ga2O3 SBDのキラー欠陥のエミッション顕微鏡とシンクロトロン X 線トポグラフィーによる観察 2021/12
• Diamond Field-Effect Transistors with Modulation Doping 2021/12
• Fabrication of GaN/Diamond Heterointerface and Interfacial Chemical Bonding State for Highly Efficient Device Design 2021/12
• Two-inch high-quality (001) diamond heteroepitaxial growth on sapphire (112 ̅0) misoriented substrate by step-flow mode 2021/12
• Probe-induced surface defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes 2021/12
• ダイヤモンド半導体の最近の進展大口径ヘテロエピタキシャル成長とパワー半導体デバイスの開発 2021/11
• マイクロ波帯ハイパワーアンプ応用を目指したダイヤモンドトランジスタの研究 2021/11
• ダイヤモンドウェハおよびトランジスタ技術の最近の進展 2021/11
• ダイヤモンドパワー半導体デバイスの高出力化成功　5年後実用化に照準合わす 2021/11
• ダイヤモンドウェハおよびトランジスタ技術の最近の進展 2021/11
• サファイア基板上大口径・高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンドの成長機構 2021/10
• ステップフロー成長を用いたサファイア基板上大口径・高品質ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長 2021/10
• 高感度エミッション顕微鏡およびシンクロトロンX線トポグラフィーによるHVPE(001)β型酸化ガリウムSBDのキラー欠陥の同定 2021/10
• 嘉数　誠、金　聖祐 2021/10
• ダイヤモンド大口径ウェハおよびパワートランジスターの最近の進展 2021/10
• 影が太陽光モジュールの発電量に与える影響のメカニズム 2021/09
• 緑色発光を用いたβ-Ga2O3結晶の微細構造評価 2021/09
• サファイア基板に大口径・高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンドが成長する機構 2021/09
• ステップフロー成長を用いたヘテロエピタキシャルダイヤモンドの高品質化 2021/09
• 高分解能X線回折法によるVB成長β型酸化ガリウムの結晶品質の評価 2021/09
• イオン注入法のみでドーピングし作製したダイヤモンドショットキーバリアダイオード 2021/09
• 選択ドーピングしたダイヤモンド電界効果トランジスタ 2021/09
• 高感度エミッション顕微鏡によるHVPE (001)型酸化ガリウムSBDのリーク電流の起源の同定ープローブによる欠陥 2021/09
• Modulation-doped diamond field-effect transistors fabricated by NO2 delta doping in an Al2O3 gate layer 2021/09
• Initial Growth Mechanism of High-Quality Diamond Heteroepitaxial Layers on Sapphire and MgO Substrates 2021/09
• Schottky barrier diodes fabricated on high-purity type-IIa CVD diamond substrates using an all-ion-implantation process 2021/04
• Stacking faults: Origin of leakage current in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes 2021/04
• 345-MW/cm2 2608-V NO2 p-type Doped Diamond MOSFETs with an Al2O3 Passivation Overlayer on Heteroepitaxial Diamond 2021/04
• Fabrication of diamond modulation-doped FETs by NO2 delta doping in an Al2 O3 gate layer 2021/04
• MgO基板上ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長機構 2021/03
• サファイア基板上に成長した最高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンド 2021/03
• 2608 V Operation of NO2-Doped p-channel Diamond MOSFETs 2021/03
• Observation of Nitrogen species at Al2O3/NO2/H-diamond Interfaces Using Synchrotron X-ray Photoemission Spectroscopy 2021/03
• 顕微ラマンマッピング測定による酸化ガリウム結晶の微細構造評価 2021/03
• Polycrystalline Defects Origin of Reverse Leakage Current in HVPE (001) β-Ga2O3 SBDs Identified by High Sensitive Emission Microscope 2021/03
• 高感度エミッション顕微鏡によるHVPE(001)beta型酸化ガリウムSBDのリーク電流の起源の同定―微粒子による積層欠陥 2021/03
• 高感度エミッション顕微鏡によるHVPE(001)beta型酸化ガリウムSBDのリーク電流の起源の同定―微粒子による積層欠陥 2021/03
• ラマン分光法によるGaN/ダイヤモンド接合界面の残留応力評価 2021/03
• ダイヤモンドパワーFETと大口径ウエファーの最近の進展 2021/01
• Fabrication of high-quality GaAs/diamond heterointerface for thermal management applications 2021/01
• Polycrystalline defects—origin of leakage current—in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes identified via ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography 2021/01
• 放射光X線トポグラフィーによる次世代パワー半導体酸化ガリウムの欠陥の観察 2020/12
• Ultrahigh-Sensitivity Emission Microscopy Study of β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes in Operation 2020/11
• High Current (0.7 A/mm) for Diamond MOSFETs with 1.4-µm gate and NO2 P-Type Doping on High Quality Heteroepitaxial Diamond Substrates 2020/11
• Initial Growth of High-Quality Diamond Heteroepitaxial Layer on Sapphire Substrate 2020/11
• Observation of nitrogen species at Al2O3/NO2/H-diamond interfaces by synchrotron radiation x-ray photoemission spectroscopy 2020/10
• Growth of high-quality one-inch freestanding heteroepitaxial (001) diamond on (110) sapphire substrate 2020/10
• サファイア基板上にヘテロエピタキシャル成長したダイヤモンドの核形成の観察 2020/09
• 高品質VB成長β型酸化ガリウムバルク結晶のシンクロトロンX線トポグラフィー観察 2020/09
• HVPE成長β型酸化ガリウムエピ層中の積層欠陥の観察 2020/09
• 超高感度エミッション顕微鏡によるEFG成長β型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの漏れ電流の起源の同定 2020/09
• 145-MW/cm2 NO2-Doped Diamond MOSFETs 2020/09
• 145-MW/cm2 Heteroepitaxial Diamond MOSFETs With NO2 p-Type Doping and an Al2O3 Passivation Layer 2020/08
• Origin of reverse leakage current path in edge-defined film-fed growth (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes observed by high　sensitive emission microscopy 2020/08
• Temperature coefficient of the characteristic values of the charge-accumulation-type potential-induced-degraded n-type mono-crystalline silicon photovoltaic cell 2020/04
• 高感度エミッション顕微鏡による(001)型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの漏れ電流の観察 2020/03
• NO2ドープダイヤモンドMOSFETの大電流（0.78 A / mm）、高電圧（618 V）動作 2020/03
• サファイア基板上ダイヤモンドヘテロエピタキシャルの成長機構 2020/03
• GaN/多結晶ダイヤモンド直接接合の作製及び特性評価 2020/03
• Fabrication of diamond/Cu direct bonding interface for power device applications 2020/01
• Characteristics change in organic photovoltaics by thermal recovery and photodegradation 2020/01
• Characterization of Nanoscopic Cu/Diamond Interfaces Prepared by Surface-Activated Bonding: Implications for Thermal Management 2020/01
• パワー半導体デバイス応用を目指したダイヤモンド，酸化ガリウムのシンクロトロンX 線トポグラフィー観察 2020/01
• Diamond Semiconductor Technologies towards RF Power Applications 2019/11
• 高出力パワーデバイス応用に向けたGaN/Diamond直接接合の作製 2019/09
• GaAs/Diamond直接接合の界面評価 2019/09
• RF measurements and analysis for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds, 2019/09
• RF characteristics for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds 2019/09
• Relation between Emission Spots and Reverse Leakage Current in HVPE (001) β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes 2019/08
• Synchrotron X-ray Topography Observation of Defects in Vertical-Bridgman-Grown β-Ga2O3 Single Crystal 2019/08
• Heterointerfacial electronic properties and energy band alignment of Al2O3/Air/H-diamond heterointerface using XPS/XANES measurements 2019/05
• RF characteristics for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds 2019/05
• β-Ga2O3単結晶中の欠陥と電気的特性の相関 2019/05
• β-Ga2O3結晶中の欠陥と電気的特性との関係 2019/05
• Investigation of the power generation of organic photovoltaic modules connected to the power grid for more than three years 2019/04
• Characterization of crystalline defects in β -Ga2O3 single crystals grown by edge-defined film-fed growth and halide vapor-phase epitaxy using synchrotron X-ray topography 2019/04
• β-Ga2O3結晶中の欠陥とデバイス特性との関係 2019/04
• Temperature dependence of potential-induced degraded p-type mono-crystalline silicon photovoltaic cell characteristics 2019/04
• Output power behavior of passivated emitter and rear cell photovoltaic modules during early installation stage: influence of light-induced degradation 2019/04
• NO2ドープダイヤモンドMOSFETの大電流（0.78 A / mm）、高電圧（618 V）動作 2019/03
• サファイア基板上ダイヤモンドヘテロエピタキシャルの成長機構 2019/03
• 高感度エミッション顕微鏡による(001)型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの漏れ電流の観察 2019/03
• GaN/多結晶ダイヤモンド直接接合の作製及び特性評価 2019/03
• Energy band alignment of Al2O3/Air/H-diamond heterointerface determined by synchrotron x-ray photoelectron spectroscopy 2019/03
• 有機薄膜太陽電池の準安定性に影響を与える温度の検討 2019/03
• 高出力デバイス応用に向けたGaAs/Diamond直接接合の作製 2019/03
• ヘテロエピタキシャルダイヤモンド上サブミクロンゲートMOSFETの高周波特性 2019/03
• パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド/Cu直接接合の形成 2019/03
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる垂直ブリッジマン成長β-Ga2O3単結晶の欠陥の観察 2019/03
• HVPE (001) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのエミッションスポットと逆方向リーク電流の関係 2019/03
• Energy band alignment of Al2O3/Air/H-diamond heterointerface determined by synchrotron x-ray photoelectron spectroscopy 2019/03
• 有機薄膜太陽電池の準安定性に影響を与える温度の検討 2019/03
• 高出力デバイス応用に向けたGaAs/Diamond直接接合の作製 2019/03
• ヘテロエピタキシャルダイヤモンド上サブミクロンゲートMOSFETの高周波特性 2019/03
• パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド/Cu直接接合の形成 2019/03
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる垂直ブリッジマン成長β-Ga2O3単結晶の欠陥の観察 2019/03
• HVPE (001) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのエミッションスポットと逆方向リーク電流の関係 2019/03
• Epitaxial lateral overgrowth alpha-GaO3 by Halide Vapor Epiaxy 2019/02
• Stability of diamond Si bonding interface during device fabrication process 2019/01
• Heterointerface properties of diamond MOS structures studied using capacitance–voltage and conductance–frequency measurements 2019/01
• Improvement of the Al2O3NO2H-diamond MOS FET by using Au gate 2019/01
• エレクトロニクス材料としてのダイヤモンド：エネルギー問題の解決を目指して 2018/11
• Recent progress of diamond field-effect transistor technologies 2018/11
• Crystal defects which relate with leakage current of HVPE (001) b-Ga2O3 Schottky barrier diodes 2018/11
• The Interface properties of Al2O3/NO2/H-diamond in MOSFET structure studied by capacitance and conductance and synchrotron XPS/XANES measurements 2018/11
• Diamond field-effect transistors for RF power applications 2018/10
• β-Ga2O3結晶中の欠陥と電気的特性との関係 2018/10
• シンクロトロンX線トポグラフィーによるCVDダイヤモンドホモエピ膜の欠陥の観察 2018/09
• ヘテロエピタキシャルダイヤモンド基板の化学機械平坦化(CMP)処理による電気特性の評価 2018/09
• Siと接合したダイヤモンド基板上のFETの作製 2018/09
• DCストレス後のダイヤモンドMOS FET特性のデバイスシミュレーションによる解析 2018/09
• HVPE (001) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのエミッションスポットの観察 2018/09
• Diamond field-effect transistors fabricated on high-quality heteroepitaxial diamond wafers treated by chemical mechanical polishing technology 2018/09
• Energy band alignment of Al2O3/NO/H-diamond and Al2O3/SO2/H-diamond heterointerfaces determined by synchrotron XPS/UPS/XANES measurements 2018/09
• Improvement of performance of NO2-doped H-diamond FET by using Au gate metal 2018/09
• Temperature dependence measurements and performance analyses of high-efficiency interdigitated back-contact, passivated emitter and rear cell, and silicon heterojunction photovoltaic modules 2018/08
• Dislocations in chemical vapor deposition (111) single crystal diamond observed by synchrotron X-ray topography and their relation with etch pits 2018/04
• Band Alignment of Al2O3 Layer Deposited NO and SO2 2018/04
• Reduction of dislocation densities in single crystal CVD diamond by confinement in the lateral sector 2018/03
• ダイヤモンド基板のCMP処理によるエピタキシャル膜の高品質化 2018/03
• シンクロトロンX線セクショントポグラフィーによる低転位密度の高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の観察 2018/03
• シンクロトロンX線光電子分光法によるAl2O3/NO/Hダイヤモンドヘテロ界面のエネルギーバンドアライメントの測定 2018/03
• マイクロニードル技術を用いた高品質ヘテロエピタキシャル膜上に作製したダイヤモンドFET 2018/03
• Al2O3/NO2ホールドープダイヤモンドMOS構造のC-V測定におけるゲート金属の影響 2018/03
• 高い電圧変換比を持つダイヤモンドショットキーバリアダイオードRF-DC変換回路 2018/03
• バックコンタクト型太陽電池，PERC型太陽電池，シリコンヘテロ接合型太陽電池モジュールの温度特性測定 2018/03
• HVPEによるα-Ga2O3のGeドーピング 2018/03
• HVPEによるα-Ga2O3の選択横方向成長 2018/03
• The combination of Diamond devices with Si LSI by surface activated bonding 2018/03
• Interpolation Method for Missing Data of Measurement in Mega Solar Power Plant Using Wavelet Transforms 2017/11
• Subsecond interval measurements of outdoor operated mega solar power plant 2017/11
• Interface Properties of Diamond MOS Diodes Studied by Capacitance-Voltage and Conductance Methods - NO2 Hole Doping Effect – 2017/09
• Si 基板と接合した単結晶ダイヤモンドの残留応力評価 2017/09
• NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレスによる劣化メカニズムの検討 2017/09
• 2017/09
• シンクロトロンX線トポグラフィーによるEFG成長β-Ga2O3単結晶中の欠陥の観察 2017/09
• 低暗電流酸化ガリウムMIS光検出素子 2017/09
• Crystal defects observed by the etch-pit method and their effects on Schottky-barrier-diode characteristics on β-Ga2O3 2017/09
• en-Millisecond Interval Measurements of Generated Power, Irradiance and Weather at Mega Solar Power Plant 2017/06
• High-Speed Measurements of Generated Power and its Relationship to Weather Observations at Yoshinogari Mega Solar Power Plant 2017/06
• Dependence of String Power on its Height in the Array in Yoshinogari Mega Solar Power Plant 2017/06
• Temperature Dependence and Performance Analysis of Photovoltaic Modules 2017/06
• Continuous operation (14 h) and stress tests for H-diamond field-effect transistors 2017/05
• 2017/05
• Carrier confinement observed at modulation-doped β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3 heterojunction interface 2017/05
• Epitaxial growth of γ-(Alx Ga1-x )O3 alloy films for band-gap engineering 2017/05
• Formation of stacking fault and dislocation behavior during the high temperature annealing of single-crystal HPHT diamond” 2017/04
• Electrical properties of Schottky barrier diodes fabricated on (001) β-Ga2O3 substrates with crystal defects 2017/04
• Crystal defects observed by the etch-pit method and their effects on Schottky-barrier-diode characteristics on β-Ga2O3 2017/04
• 吉野ヶ里メガソーラーにおける高速測定システムの構築 2017/03
• ダブルNO2ホールドーピングした水素終端ダイヤモンドMOS FETの連続動作 2017/03
• ダイヤモンド素子を用いた高耐圧レクテナ回路の作製 2017/03
• (2 ̅01) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係 2017/03
• (001) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係 2017/03
• Diamond field-effect transistors for RF power electronics: Novel NO2 hole doping and low-temperature deposited Al2O3 passivation 2017/01
• Diamond Schottky Barrier Diodes With NO2 Exposed Surface and RF-DC Conversion Toward High Power Rectenna 2017/01
• Relationship between crystal defects and leakage current in β-Ga2O3 Schottky barrier diodes 2016/12
• Structural evaluation of defects in β-Ga2O3 single crystals grown by edge-defined film-fed growth process 2016/12
• Origins of etch-pits in (010) β-Ga2O3 single crystals 2016/12
• Recent Progress of Diamond Devices for RF Applications 2016/10
• 高温アニールによるダイヤモンド単結晶の積層欠陥の消滅 2016/09
• イヤモンドデバイスを用いた無線電力伝送用レクテナの理論的検討 2016/09
• 酸化ガリウムダイオードを用いたレクテナ回路動作 2016/09
• β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係 2016/09
• β-Ga2O3 (010)単結晶のエッチピットの構造 2016/09
• abrication of Diamond Rectenna Devices for RF Power Transmission 2016/09
• Disappearance of stacking faults in single crystal diamond by thermal annealing 2016/09
• Real –Time Measurement of Hole Doping by NO2 and SO2 Molecular Adsorption on H-Terminated Diamond Surfaces 2016/09
• Fabrication of diamond field-effect transistors with double NO2 hole doping and low-temperature-deposited Al2O3 gate insulator layer 2016/09
• Determination of stacking faults in an (111) high pressure/high temperature (HP/HT) diamond single crystals with extremely low defect density via synchrotron X-ray topography 2016/09
• Diamond epitaxy: basics and applications 2016/08
• “Estimation method of solar cell temperature using meteorological data in mega solar power plant 2016/08
• Formation of indium–tin oxide ohmic contacts for β-Ga2O3 2016/08
• Diamond Devices for RF Applications 2016/08
• Observation of nanometer-sized crystalline grooves in as-grown β-Ga2O3 single crystals 2016/04
• Study on conduction mechanism in highly doped -Ga2O3 (-201) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes 2016/04
• “Study on capacitance–voltage characteristics of diamond field-effect transistors with NO2 hole doping and Al2O3 gate insulator layer 2016/04
• Diamond FETs for RF Power Electronics; Novel Hole Doping 2016/03
• Synchrotron X-ray topography observation of stacking faults in HPHT diamond single crystal 2016/03
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる低欠陥密度高温高圧合成(110)ダイヤモンド単結晶の積層欠陥の部分転位観察 2016/03
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる低欠陥密度高温高圧合成ダイヤモンド(111)単結晶の積層欠陥観察 2016/03
• ダブルNO2ホールドーピングを用いたダイヤモンド電界効果トランジスタの作製 2016/03
• -Ga2O3ショットキーバリアダイオード素子特性の分布 2016/03
• 高濃度Snドープ-Ga2O3(-20 1)単結晶の温度特性の検討 2016/03
• 高効率無線電力伝送を目指したダイヤモンド・レクテナデバイスの提案 2016/03
• β-Ga2O3(010)単結晶のエッチピットの観察 2016/03
• β-Ga2O3成長結晶の(010)における溝型欠陥の観察 2016/03
• ダイヤモンド表面のSO2ホールドーピングの実時間測定 2016/03
• ダイヤモンド素子を用いたレクテナ回路の作製 2016/03
• Fabrication of Diamond Field-Effect Transistors with Various NO2 Hole-Doping Conditions and Al2O3 Gate Insulator Layers 2016/03
• Study on Dislocations and Stacking faults and in High-Pressure High-Temperature Synthesized Type-IIa Diamond Single Crystals by Synchrotron X-ray Topography Observations 2016/03
• Observation of Crystalline Pits in β-Ga2O3 As-Grown Single Crystals 2016/03
• Study on capacitance–voltage characteristics of diamond field-effect transistors with NO2 hole doping and Al2O3 gate insulator layer 2016/02
• Determination of the type of stacking faults in single-crystal high-purity diamond with a low dislocation density of < 50 cm−2 by synchrotron X-ray topography 2016/02
• Observation of nanometer-sized crystalline grooves in as-grown β-Ga2O3 single crystals 2016/01
• Study on conduction mechanism in highly doped -Ga2O3 (2̅ 0 1) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes 2016/01
• ダイヤモンド単結晶とSi単結晶基板の常温接合 2016
• ダイヤモンドMOSFET界面研究の最近の進展 2015/12
• NO2 分子吸着中における水素終端ダイヤモンド表面のホール濃度の測定 2015/12
• b-Ga2O3ワイドギャップ半導体単結晶のエッチピットの構造 2015/12
• Etch-Pit Observation of EFG-grown -Ga2O3 Single Crystals 2015/11
• Fabrication of Schottky Barrier Diodes of EFG-grown Sn-doped b-Ga2O3 (-201) Single-Crystals 2015/11
• Estimation Method of Solar Cell Temperature Using Meteorological Data in Mega Solar Power Plant, 2015/11
• Estimation Method of Characteristic Parameters of Strings in Mega Solar Power Plant 2015/11
• シンクロトロンX線トポグラフィー透過法によるHPHT単結晶ダイヤモンドの 転位の観察 2015/11
• 高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の積層欠陥の放射光Ｘ線トポグラフィ観察 2015/11
• EFG成長β- Ga2O3単結晶のエッチピットの観察 2015/10
• シンクロトロンX線トポグラフィによる高温高圧合成ダイヤモンド(110)単結晶の積層欠陥の評価 2015/10
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる高品質高温高圧合成ダイヤモンド 単結晶の転位の種類の同定 2015/10
• Ultimate Wide-Gap Semiconductors:Diamond Power Devices and Aluminum Nitride Deep-Ultraviolet LEDs 2015/09
• b-Ga2O3(01 ̅0)単結晶のエッチピット観察 2015/09
• シンクロトロンX線トポグラフィによる高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の積層欠陥の観察 2015/09
• Snドープb-Ga2O3(-2 0 1)単結晶のショットキーバリアダイオードの作製 2015/09
• NO2分子によるホールドーピングを用いた水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタの作製 2015/09
• NO2 吸着ダイヤモンドFET のデバイスモデルの提案 2015/09
• Diamond Transistors –Present Status and Future Prospects 2015/06
• Synchrotron X-ray Topography Observation of (110) HPHT type-IIa Diamond Single Crystals 2015/05
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる(110)高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の観察 2015/03
• メガソーラー測定データを用いた太陽電池セル温度の推定 2015/03
• 太陽電池モジュールの半導体素子としての電気的特性解析 2015/03
• 高移動度-Ga2O3単結晶(-201 )を用いたショットキーバリアダイオードの作製 2015/03
• High-mobility β-Ga2O3(-201) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes with Ni contact 2015/01
• 資源問題と表面科学 2014/12
• 高圧高温合成ダイヤモンド単結晶のX線トポグラフィー観察による転位の同定 2014/12
• Ni/Auを用いた����–Ga2O3のショットキーバリアダイオードの作製 2014/12
• ソーラーパネルのホットスポット観察と電流電圧特性 2014/12
• Synchrotron X-ray topography of dislocations in high-pressure high-temperature-grown single-crystal diamond with low dislocation density 2014/11
• Diamond RF Power Transistors: Present Status and Challenges 2014/11
• Diamond MOS Interface Properties Studied by XPS/UPS/XANES and C-V Measurements 2014/11
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる高品質高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の転位の種類の同定 2014/11
• Diamond RF Power Transistors: Present Status and Challenges 2014/10
• パワー半導体ダイヤモンド単結晶のシンクロトロンX線トポグラフィー観察 2014/10
• ダイヤモンドパワートランジスタ研究開発の最近の進展 2014/09
• Device Operation Analysis of Diamond MOSFET Obtained by Capacitance–Voltage Characteristics 2014/09
• Dislocation Identification of HPHT Diamond Single Crystal Using Synchrotron Light • X-ray Topography Observation 2014/09
• Synchrotron X-ray Topography Observation of CVD Diamond Single Crystal 2014/09
• シンクロトロン光・単色X線トポグラフィーによる高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の反りの高精度測定 2014/09
• (-201)及びB 面β-Ga2O3 単結晶のシンクロトロン単色X 線トポグラフィー観察 2014/09
• ダイヤモンドMOSFETのゲート容量の周波数依存性 2014/09
• Diamond RF Power Transistors: Present Status and Challenges 2014/08
• ダイヤモンドパワーデバイス研究の現状 2014/05
• ダイヤモンドパワー素子技術 2014/05
• Electronic states of NO2-exposed H-terminated diamond/Al2O3 heterointerface studied by synchrotron radiation photoemission and X-ray absorption spectroscop 2014/04
• シンクロトロン光・X線トポグラフィーを用いたダイヤモンド単結晶の転位の同定 2014/04
• β-Ga2O3単結晶のシンクロトロンX線トポグラフィー観察 2014/03
• ダイヤモンドMOSFETの容量電圧特性の測定と解析 2014/03
• β-Ga2O3単結晶のホール電子濃度と移動度の測定と解析 2014/03
• β-Ga2O3単結晶のシンクロトロンX線トポグラフィー観察 2014/03
• CVD成長ダイヤモンド単結晶のシンクロトロン光・X線トポグラフィー観察 2014/03
• NO2曝露・水素終端ダイヤモンド／Al2O3ヘテロ界面のバンド不連続の放射光XPS/UPS/XANES測定 2014/03
• シンクロトロン光・X線トポグラフィー観察を用いた高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の転位の同定 2014/03
• 高移動度b-Ga2O3単結晶(-201 )を用いたショットキーバリアダイオードの作製 2014
• NO2吸着・水素終端ダイヤモンド／ALD成長Al2O3界面の放射光XPS/UPSによる電子状態評価 2013/11
• β-Ga2O3のホール効果測定による電子濃度と移動度の解析 2013/11
• 高圧高温合成ダイヤモンド単結晶のシンクロトロン光を用いたX線トポグラフィー観察 2013/11
• CVD成長ダイヤモンド単結晶のX線トポグラフィー観察 2013/11
• SiC-MOSFETのスイッチング特性解析―SiCパワーMOSFETとの比較― 2013/11
• Maximum hole concentration for Hydrogen-terminated diamond surfaces with various surface orientations obtained by exposure to highly concentrated NO 2 2013/10
• マイクロ波プラズマCVD成長ダイヤモンドを用いたパワー高周波FET 2013/10
• ダイヤモンド単結晶のX線トポグラフィ評価、マイクロ波プラズマCVD成長と高圧高温合成の比較 2013/10
• Carrier Gas Dependent Evaporation Energy of GaN Estimated from Spiral Growth Rates in Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 2013/09
• パワー半導体ダイヤモンド単結晶の放射光X線トポグラフィ観察 2013/07
• ダイヤモンドデバイスのスマートフォン・タッチパネル向けデバイスへの応用の可能性 2013/04
• 高温高圧合成ダイヤモンド単結晶のシンクロトロン光を用いたX線トポグラフィー観察 2013/03
• 極限遠紫外線LED研究開発 2013/02
• Mechanism of hole doping into hydrogen terminated diamond by the adsorption of inorganic molecule 2013
• ダイヤモンド結晶成長：パワーデバイス応用への現状と課題 2012/12
• ワイドギャップ半導体の創製と光電子デバイスへの応用 2012/12
• β-Ga2O3単結晶のシンクロトロン光を用いたX線トポグラフィー評価 2012/11
• Epitaxial growth of AlGaN/GaN high-electron mobility transistor structure on diamond (111) surface 2012/10
• AlN/GaN超格子を使ったAlGaN遠紫外発光ダイオードの高輝度化の検討 2012/10
• Thermal stabilization of hole channel on H-terminated diamond surface by using atomic-layer-deposited AL 2O 3 overlayer and its electric properties 2012/10
• Polarization property of deep-ultraviolet light emission from C-plane AlN/GaN short-period superlattices 2012/10
• NO2及びO3吸着による水素終端ダイヤモンド表面での正孔生成 2012/10
• 究極のパワー半導体ダイヤモンド 2012/10
• 半導体気相成長での過飽和度とステップフロー・核形成 2012/09
• Thermal Stabilization of H-Terminated Diamond Surface by Using Al2O3 Overlayer and its Stable and Improved Field-Effect Transistors 2012/09
• Critical hole concentration for H-terminated diamond surfaces with various surface orientations obtained by high-concentrated NO2 exposure 2012/09
• 高濃度NO2ガスを用いた様々な面方位をもつ水素終端ダイヤモンド表面へのホールドーピング 2012/09
• NO2吸着とAl2O3パッシベーションにより熱的安定化した水素終端ダイヤモンドFETのドレイン電流の増大 2012/09
• ダイヤモンドパワーデバイスの研究開発の現状 2012/08
• 水素終端ダイヤモンド表面の正孔生成機構：吸着分子の特定と第一原理計算結果 2012/06
• Single-crystalline nitride growth on diamond 2012/05
• 「ダイヤモンドパワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開」 2012/05
• Inorganic Molecular Hole Doping on H-terminated Diamond Surface; Critical Hole Concentration for Various Orientations and the First-Principle Calculations 2012/05
• CVD 単結晶ダイヤモンドの異常成長粒子、転位、不純物ドーピングの機構 2012/04
• 窒化物半導体/ダイヤモンド ヘテロ構造: 結晶成長とデバイス応用」 2012/03
• Al2O3パッシベーションにより熱的安定化した水素終端ダイヤモンドFET 2012/03
• NO2吸着水素終端ダイヤモンド表面の熱的安定化と高温域の電気的特性 2012/03
• 気相成長表面における結晶成長機構 2012/01
• “Thermal Stabilization of Hole Channel on H-Terminated Diamond Surface by Using Atomic-Layer-Deposited Al2O3 Overlayer and its Electric Properties” 2012
• Growth and Device Properties of AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors on a Diamond Substrate 2012
• RF High-Power Operation of AlGaN/GaN HEMTs Epitaxially Grown on Diamond 2012
• Electronic properties of H-terminated diamond during NO2 and O3 adsorption and desorption 2012
• Thermally Stable Operation of H-Terminated Diamond FETs by NO2 Adsorption and Al2O3 Passivation 2012
• Diamond Field-Effect Transistors with 1.3A/mm Drain Current Density by Al2O3 Passivation Layer 2012
• 単結晶ダイヤモンドにおエピタキシャル成長したAlGaN/GaN　HEMTの高周波高出力動作 2011/12
• 高濃度NO2吸着による水素終端ダイヤモンドの正孔濃度の増加とFET特性の改善 2011/12
• Critical Hole Concentration of H-terminated Diamond and Hole Generation Model during NO2 and O3 adsorption 2011/12
• ダイヤモンド・高周波電力デバイスの開発とマイクロ波・ミリ波帯電力増幅器への応用 2011/10
• Diamond-based Electronic Device Technologies 2011/10
• Electroluminescence and capacitance-voltage characteristics of singlecrystal n-type AlN (0001) /p-type diamond (111) heterojunction diodes 2011
• Coherent coupling of a superconducting flux qubit to an electron spin ensemble in diamond 2011
• Hexagonal AlN(0001) heteroepitaxial growth on cubic diamond (001) 2010
• High temperature operation of boron-implanted diamond field-effect transistors 2010
• Electronic and surface properties of H-terminated diamond surface affected by NO2 gas 2010
• Supersaturation in nucleus and spiral growth in metal organic vapor phase epitaxy 2010
• Sorption properties of NO2 gas and its strong influence on hole concentration of H-terminated diamond surfaces 2010
• Heterostructure growth of a single-crystal hexagonal AlN (0001) layer on cubic diamond (111) surface 2010
• Surface 210-nm light emission from AlN p-n junction light-emitting diode by A-plane growth orientation 2010
• Nucleus and spriral growth mechanisms of GaN studied by using selective-area metalorganic vapor phase epitaxy 2010
• Enhancement and stabilization of hole concentration of hydrogen-terminated diamond surface using ozone adsorbates 2010
• Arsenic-doped n-type diamond grown by microwave-assisted plasma chemical vapor deposition 2010
• ダイヤモンド半導体　２．デバイス 2009
• H-terminated Diamond Field-Effect Transistors 2009
• Beryllium-doped single-crystal diamond grown by microwave plasma CVD 2009
• MOVPE growth of hexagonal aluminium nitride on cubic diamond 2009
• Low-temperature characteristics of the current gain of GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors 2009
• Molecular beam epitaxial growth of hexagonal boron nitride on Ni (111) substrate 2009
• Structural and electrical properties of hydrogen-terminated diamond field-effect transistor 2009
• Identification of etch-pit crystallographic faces induced on diamond surface by H2/O2 etching plasma treatment 2009
• Improvement of hydrogen-terminated diamond FETs in nitrogen dioxide atmosphere 2009
• Origin of Schottky barrier modification by hydrogen on diamond 2009
• Photoluminescence of highly excited AlN: biexcitons and exciton-exciton scattering 2009
• Step-free GaN hexagons grown by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy 2009
• High-temperature (300 �C) operation of npn -type GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors 2008/07
• Diamond RF FETs and other approaches to electronics 2008/07
• Diamond FETs on boron-implanted and high-pressure and high-temperature annealed homoepitaxial diamond 2008/07
• ダイヤモンド高周波デバイス 2008
• Anisotropic in-plane strains in nonpolar AlN and AlGaN (11-20) films grown on SiC (11-20) substrates 2008
• RF equivalent-circuit analysis of p-type diamond field-effect transistors with hydrogen surface termination 2008
• Origin of growth defects in CVD diamond epitaxial films 2008
• High-pressure and high-temperature annealing effects of boron-implanted diamond 2008
• Thick diamond layers angled by polishing to reveal defect and impurity depth profiles 2008
• Gate interfacial layer in hydrogen-terminated diamond field-effect transistors 2008
• High-pressure and high-temperature annealing of diamond ion-implanted with various elements 2008
• Aluminum nitride deep-ultraviolet light-emitting p-n junction diodes 2008
• High-temperature characteristics of AlxGa1-xN-based vertical conducting diodes 2008
• 第６節　ＡｌＮ遠紫外発光ダイオードの現状と課題 2007
• Gate capacitance-voltage characteristics of submicron-long-gate diamond field-effect transistors with hydrogen surface termination 2007
• High-pressure and high-temperature annealing as an activation method for ion-implanted dopants in diamond 2007
• Radiation and polarization properties of free-exciton emission from AlN (0001) surface 2007
• Threading dislocations in heteroepitaxial AlN layer grown by MOVPE on SiC (0001) substrate 2007
• Cathodoluminescence, photoluminescence, and reflectance study of an aluminum nitride layer grown on silicon carbide substrate 2007
• Diamond-based RF power transistors: Fundamentals and applications 2007
• AlN light-emitting diodes 2006
• High RF output power for H-terminated diamond FETs 2006
• Temperature dependent DC and RF performance of diamond MESFET 2006
• High-pressure and high-temperature annealing effect of CVD homoepitaxial diamond films 2006
• Characterization of high-quality poly-crystalline diamond and its high FET performance 2006
• Diamond FET using high-quality polycrystalline diamond with fT of 45 GHz and fmax of 120 GHz 2006
• Increased electron mobility in n-type Si-doped AlN by reducing dislocation density 2006
• An aluminium nitride light-emitting diode with a wavelength of 210 nanometres 2006
• Influence of lattice constants of GaN and InGaN on Npn-type GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors 2006
• Strained thick p-InGaN layers for GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors on sapphire substrates 2005
• 2 W/mm output power density at 1 GHz for diamond FETs 2005
• Field emission properties of heavily Si-doped AlN in triode-type display structure 2004
• Electrical conduction properties of n-type Si-doped AlN with high electron mobility ( > 100 cm2 V-1 s-1) 2004
• Influence of epitaxy on the surface conduction of diamond film 2004
• Microwave performance evaluation of diamond surface channel FETs 2004
• Properties of (111) diamond homoepitaxial layer and its application to field-effect transistor 2004
• High electron concentrations in Si-doped AlN/AlGaN superlattices with high average Al content of 80% 2003
• Triode-type basic display structure using Si-doped AlN field emitters 2003
• Formation of stacking faults containing microtwins in (111) chemical-vapor-deposited diamond homoepitaxial layers 2003
• High mobility and high crystalline-quality chemical-vapor-deposition grown homoepitaxial diamond 2003
• Reduction of threading dislocations in crack-free AlGaN by using multiple thin SixAl1-xN interlayers 2003
• 微傾斜面とエピタキシー 2002
• Intentional control of n-type conduction for Si-deoped AlN and AlxGa1-xN (0.42
• Intentional control of n-type conduction for Si-doped AlN and AlxGa1-xN with high Al content 2002
• High hole mobility (1300cm2/Vs) at room temperature in hydrogen-terminated (001) diamond 2002
• Spontaneous ridge-structure formation and large field emission of heavily Si-doped AlN 2001
• Field emission characteristics and large current density of heavily Si-doped AlN and AlxGa1-xN (0.38
• Lattice parameters of wurtzite Al1-xSixN ternary alloy 2001
• Formation of solid solution of Al1-xSixN (0
• Spontaneous ridge formation and its effect on field emission of heavily Si-doped AlN 2001
• Large and stable field emission current from heavily Si-doped AlN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 2000
• Large electron field emission from high-quality heavily Si-doped AlN grown by MOVPE 2000
• Nitrogen radical adsorption on InAs (001) surface studied by scanning tunneling microscopy and x-ray photoelectronic spectroscopy 1998
• Selectivity mechanism of all-UHV STM-based selective area growth 1998
• In-situ STM observation of GaAs surfaces after nitridation 1997
• Nanoscale patterning and selective growth of GaAs surfaces by ultra-high vacuum scanning tunneling microscopy 1997
• Selective-area GaAs growth using nitrogen passivation and scanning tunneling microscopy modification in a nanometer scale 1997
• Surface diffusion kinetics of GaAs and AlAs metalorganic chemical vapor epitaxy 1997
• Nanometer-scale selective area growth on nitrogen-passivated surface using STM and MOMBE 1997
• Surface kinetics of metalorganic chemical vapor epitaxy -surface diffusion, nucleus formation, sticking at steps- 1997
• Anisotropic surface morphology of GaAs (001) surfaces passivated with nitrogen radicals 1996
• Scanning tunneling microscopy modification of nitrogen-passivated GaAs (001) surfaces on a nanometer scale 1996
• Surface diffusion of AlAs on GaAs in metalorganic chemical vapor-phase epitaxy studied by high-vacuum scanning tunneling microscopy 1995
• Surface diffusion of AlAs on GaAs in metalorganic chemical vapor-phase epitaxy studied by high-vacuum scanning tunneling microscopy 1995
• Scanning tunneling microscopy study of GaAs step structures on vicinal substrate grown by metalorganic chemical vapor deposition 1994
• Observation of GaAs (001) surface at high temperatures by scanning tunneling microscopy 1993
• Equilibrium multiatomic step structure of GaAs (001) vicinal surfaces grown by metalorganic chemical vapor deposition 1993
• Multi-atomic steps on metalorganic chemical vapor deposition-grown GaAs vicinal surfaces studied by atomic force microscopy 1992
• Polarized photoluminescence of fractional layer superlattices 1992
• Fractional layer superlattices grown by MOCVD and their device application 1992
• Anisotropy in photoluminescence and absorption spectra of fractional layer superlattices 1991
• Photoluminescence lifetime of AlAs/GaAs disordered superlattices 1991
• DX centers in AlxGal-xAs bulk alloy, AlAs/GaAs ordered and disordered superlattices 1991
• Step-density dependence of growth rate on vicinal surface of MOCVD 1991
• Photoluminescent properties and optical absorption of AlAs/GaAs disordered superlattices 1990
• Optical properties of disordered superlattices 1990
• Photoluminescent properties of AlAs/AlxGa1-xAs (x=0.5) disordered superlattices 1990
• Electroluminescence of AlAs/GaAs disordered superlattices 1990
• Absorption spectra and photoluminescent processes of AlAs/GaAs disordered superlattices 1990
• Proposal and experimental results of disordered crystalline semiconductors 1989

Books

• ダイヤモンドヘテロエピタキシャル結晶成長とダイヤモンドＦＥＴへの応用;　2022/01
  ANNOUNCEMENT INFO.;　, 137-148
  AUTHOR;　
  
• ダイヤモンドデバイスのスマートフォン・タッチパネル向けデバイスへの応用の可能性;　2013/04
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　M. Kasu
  
• ダイヤモンド半導体　２．デバイス;　2009
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• H-terminated Diamond Field-Effect Transistors;　2009
  ANNOUNCEMENT INFO.;　CVD Diamond for Electronic Devices and Sensors Eds. R. Sussmann, John Wiley & Sons, Ltd, 289-312
  AUTHOR;　Makoto Kasu
  
• ダイヤモンド高周波デバイス;　2008
  ANNOUNCEMENT INFO.;　, 266-278
  AUTHOR;　
  
• 第６節　ＡｌＮ遠紫外発光ダイオードの現状と課題;　2007
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• AlN light-emitting diodes;　2006
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Modern Wide Bandgap Semiconductors and Related Optoelectronic Devices Springer-Verlag, Berlin
  AUTHOR;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto
  
• 微傾斜面とエピタキシー;　2002
  ANNOUNCEMENT INFO.;　, 135-153
  AUTHOR;　Makoto Kasu
  

Original Articles

• AC Stable (100 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs;　2023/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　IEEE Electron Device Letters, 44, 1704
  AUTHOR;　Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Toshiyuki Oishi, M. Kas
  
• 1651-V All-ion-implanted Schottky Barrier Diode on Heteroepitaxial Diamond with 3.6×105 On/off Ratio;　2023/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　IEEE Electron Dev. Lett., 44, 293
  AUTHOR;　Niloy Chandra Saha , Yuya Irie, Yuhei Seki, Yasushi Hoshino, Jyoji Nakata, Seong-Woo Kim , Toshiyuki Oishi,
  
• Characterization of dislocation of halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 by ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography and its influence on Schottky barrier diodes;　2023/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Jpn. J. Appl. Phys, 62, SF1001
  AUTHOR;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata and Makoto Kasu
  
• Long Stress (190 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs;　2023/06
  ANNOUNCEMENT INFO.;　IEEE Electron Device Letters, 44, 975
  AUTHOR;　Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, M. Kasu
  
• The improvement of Schottky barrier diodes fabricated only by B ion implantation doping accomplished by refinement of the electrode structure;　2023/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Jpn. J. Appl. Phys., 62, 040902
  AUTHOR;　Yuhei Seki, Niloy Chandra Saha, Seiya Shigematsu, Yasushi HOSHINO, Jyoji Nakata, Toshiyuki Oishi and Makoto Kasu
  
• Fast Switching NO2-doped p-Channel Diamond MOSFETs;　2023/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　IEEE Electron Device Letters, 44, 793
  AUTHOR;　Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, and Makoto Kasu
  
• 3659-V NO₂ p-Type Doped Diamond MOSFETs on Misoriented Heteroepitaxial Diamond Substrates;　2023/01
  ANNOUNCEMENT INFO.;　IEEE Electron Dev. Lett., 44, 112
  AUTHOR;　Niloy Chandra Saha; Seong-Woo Kim; Koji Koyama; Toshiyuki Oishi; Makoto Kasu
  
• Line-shaped defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes;　2022/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett., 120, 122107
  AUTHOR;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, Toshiyuki Oishi, and Makoto Kasu
  
• High Crystal Quality of Vertical Bridgman and Edge-defined Film-fed Growth-Grown β-Ga2O3 Bulk Crystal Investigated Using High-Resolution X-ray Diffraction and Synchrotron X-ray Topography;　2022/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics, 61, 055501
  AUTHOR;　Muhidul Islam Chaman, Keigo Hoshikawa, Sayleap Sdoeung, and Makoto Kasu
  
• Structural characterization of defects in EFG- and HVPE-grown -Ga2O3 crystals;　2022/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics, 61, 050101
  AUTHOR;　Osamu Ueda, Makoto Kasu, Hirotaka Yamaguchi
  
• 875-MW/cm2 Low-Resistance NO2 p-type Doped Chemical Mechanical Planarized Diamond MOSFET;　2022/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　IEEE Electron Device Letters, 43, 5, 777
  AUTHOR;　N. C. Saha, S. -W. Kim, T. Oishi, and M. Kasu
  
• Growth of high-quality inch-diameter heteroepitaxial diamond layers on sapphire substrates in comparison to MgO substrates;　2022/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Diamond and Related Materials, 126, 109086
  AUTHOR;　M. Kasu, R. Takaya, S. –W. Kim
  
• 3326-V Modulation-Doped Diamond MOSFETs;　2022/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　IEEE Electron Dev. Lett., 43, 1303
  AUTHOR;　Niloy Chandra Saha , Seong-Woo Kim , Toshiyuki Oishi , and Makoto Kasu
  
• Initial growth mechanism of high-quality CVD diamond on Ir/sapphire substrate compared with Ir/MgO substrate;　2022/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Diamond and Related Materials, 128, 109287
  AUTHOR;　Makoto Kasu, Ryota Takaya, Ryo Masaki, and Seong-Woo Kim
  
• Identification of dislocation responsible for leakage current in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes investigated via ultrahigh-sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography;　2022/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Express, 15, 111001
  AUTHOR;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, and Makoto Kasu
  
• Probe-induced surface defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes;　2022/01
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett., 120, 092101
  AUTHOR;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, and Makoto Kasu
  
• Fabrication of GaN/Diamond Heterointerface and Interfacial Chemical Bonding State for Highly Efficient Device Design;　2021/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Adavanced Materials, 2104564
  AUTHOR;　Jianbo Liang, Ayaka Kobayashi, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Makoto Kasu, Yasuyoshi Nagai, and Naoteru Shigekawa
  
• Two-inch high-quality (001) diamond heteroepitaxial growth on sapphire (112 ̅0) misoriented substrate by step-flow mode;　2021/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Applied Physics Express, 14, 115501
  AUTHOR;　Seong-Woo Kim, Ryota Takaya, Shintaro Hirano, and Makoto Kasu
  
• Probe-induced surface defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes;　2021/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Applied Physics Express, 14, 115501
  AUTHOR;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, and Makoto Kasu
  
• Schottky barrier diodes fabricated on high-purity type-IIa CVD diamond substrates using an all-ion-implantation process;　2021/04
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics 60, 050903 (2021), 60, 050903
  AUTHOR;　Seiya Shigematsu, Toshiyuki Oishi, Yuhei Seki, Yasushi Hoshino, Jyoji Nakata, and Makoto Kasu
  
• Stacking faults: Origin of leakage current in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes;　2021/04
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett., 118, 172106
  AUTHOR;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Satoshi Masuya, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, and Makoto Kasu
  
• 345-MW/cm2 2608-V NO2 p-type Doped Diamond MOSFETs with an Al2O3 Passivation Overlayer on Heteroepitaxial Diamond;　2021/04
  ANNOUNCEMENT INFO.;　IEEE Electron Device Letters, 42, 903-906
  AUTHOR;　Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, Toshiyuki Oishi, Yuki Kawamata, Koji Koyama, and Makoto Kasu
  
• Fabrication of diamond modulation-doped FETs by NO2 delta doping in an Al2 O3 gate layer;　2021/04
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Express 14, 051004 (2021)., 14, 051004
  AUTHOR;　Makoto Kasu, Niloy Chandra Saha, Toshiyuki Oishi, and Seong-Woo Kim
  
• Fabrication of high-quality GaAs/diamond heterointerface for thermal management applications;　2021/01
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Fabrication of high-quality GaAs/diamond heterointerface for thermal management applications, 111, 108207
  AUTHOR;　Jianbo Liang, Yuji Nakamura, Tianzhuo Zhan, Yutaka Ohno, Yasuo Shimizu, Kazu Katayama, Takanobu Watanabe, Hideto Yoshida, Yasuyoshi Nagai, Hongxing Wang, Makoto Kasu, Naoteru Shigekawa
  
• Polycrystalline defects—origin of leakage current—in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes identified via ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography;　2021/01
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Polycrystalline defects—origin of leakage current—in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes identified via ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography, 14, 036502
  AUTHOR;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, and Makoto Kasu
  
• Observation of nitrogen species at Al2O3/NO2/H-diamond interfaces by synchrotron radiation x-ray photoemission spectroscopy;　2020/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　, 128, 135702
  AUTHOR;　Niloy Chandra Saha, Kazutoshi Takahashi, Masaki Imamura, and Makoto Kasu
  
• Growth of high-quality one-inch freestanding heteroepitaxial (001) diamond on (110) sapphire substrate;　2020/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　, 117, 202102
  AUTHOR;　Seong-Woo Kim, Yuki Kawamata, Ryota Takaya, Koji. Koyama, and Makoto Kasu
  
• 145-MW/cm2 Heteroepitaxial Diamond MOSFETs With NO2 p-Type Doping and an Al2O3 Passivation Layer;　2020/08
  ANNOUNCEMENT INFO.;　IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 41, 1066 (2020)., 41, 1066
  AUTHOR;　Niloy Chandra Saha, Toshiyuki Oishi, Seongwoo Kim, Yuki Kawamata, Koji Koyama, and Makoto Kasu
  
• Origin of reverse leakage current path in edge-defined film-fed growth (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes observed by high　sensitive emission microscopy;　2020/08
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett. 117, 022106 (2020);, 117, 022106
  AUTHOR;　Sayleap Sdoeung , Kohei Sasaki , Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata , Toshiyuki Oishi , and Makoto Kasu
  
• Temperature coefficient of the characteristic values of the charge-accumulation-type potential-induced-degraded n-type mono-crystalline silicon photovoltaic cell;　2020/04
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Jpn. J. Applied Phys, 59, 051001 (2020)., 59, 051001
  AUTHOR;　Makoto Kasu, Jaffar Abdu, Shigeomi Hara, Sung-Woo Choi, Kinichi Ogawa, Yasuo Chiba, and Atsushi Masuda
  
• Fabrication of diamond/Cu direct bonding interface for power device applications;　2020/01
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics 59, SBBB03 (2020), 59, SBBB03
  AUTHOR;　S. Kanda, Y. Shimizu, Y. Ohno, K. Shirasaki, Y. Nagai, M. Kasu, N. Shigekawa, and J. Liang
  
• Characteristics change in organic photovoltaics by thermal recovery and photodegradation;　2020/01
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics 59, SCCD04 (2020), 59, SCCD04
  AUTHOR;　R. Sato, Y. Chiba, M. Chikamatsu, Y. Yoshida, T. Taima, M. Kasu, and A. Masuda
  
• Characterization of Nanoscopic Cu/Diamond Interfaces Prepared by Surface-Activated Bonding: Implications for Thermal Management;　2020/01
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Nano Materials 2020, 3, 3, 2455-2462, 3, 3, 2455
  AUTHOR;　J. Liang, Y. Ohno, Y. Yamashita, Y. Shimizu, S. Kanda, N. Kamiuchi, S-W Kim, K. Koyama, Y. Nagai, M. Kasu, and N. Shigekawa
  
• Investigation of the power generation of organic photovoltaic modules connected to the power grid for more than three years;　2019/04
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Jpn. J. Appl. Phys., 58, 05, 052001
  AUTHOR;　R. Sato, Y. Chiba, M. Chikamatsu, Y. Yoshida, T. Taima, M. Kasu, and A. Masuda,
  
• Characterization of crystalline defects in β -Ga2O3 single crystals grown by edge-defined film-fed growth and halide vapor-phase epitaxy using synchrotron X-ray topography;　2019/04
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics, 58, 05, 055501
  AUTHOR;　S. Masuya, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, O. Ueda, and M. Kasu,
  
• Temperature dependence of potential-induced degraded p-type mono-crystalline silicon photovoltaic cell characteristics;　2019/04
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics vol.58, pp.101005 (2019)., 58, 101005
  AUTHOR;　M. Kasu, J. Abdu, S. Hara, S. Choi, K. Ogawa, Y. Chiba, A. Masuda
  
• Output power behavior of passivated emitter and rear cell photovoltaic modules during early installation stage: influence of light-induced degradation;　2019/04
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics vol.58, pp. 106510 (2019)., 58, 106510
  AUTHOR;　R. Sato, T. Ishii, S. Choi, Y. Chiba, M. Kasu, and A. Masuda
  
• Epitaxial lateral overgrowth alpha-GaO3 by Halide Vapor Epiaxy;　2019/02
  ANNOUNCEMENT INFO.;　APL. Mater, 7, 022503
  AUTHOR;　Y. Oshima, K. Kawara, T. Shinohe, T. Hitora, M. Kasu, and S. Fujita
  
• Stability of diamond Si bonding interface during device fabrication process;　2019/01
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Applied Physics Express, 12, 01, 016501)
  AUTHOR;　J. Liang, S. Masuya, S. –W. Kim, T. Oishi, M. Kasu, N. Shigekawa,
  
• Heterointerface properties of diamond MOS structures studied using capacitance–voltage and conductance–frequency measurements;　2019/01
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Diamond and Related Materials, 91, 219–224
  AUTHOR;　Niloy Chandra Saha, M. Kasu
  
• Improvement of the Al2O3NO2H-diamond MOS FET by using Au gate;　2019/01
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Diamond and Related Materials, 92, 81–85
  AUTHOR;　Niloy Chandra Saha, Makoto Kasu,
  
• Temperature dependence measurements and performance analyses of high-efficiency interdigitated back-contact, passivated emitter and rear cell, and silicon heterojunction photovoltaic modules;　2018/08
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics 57,08RG18 (2018)., 57, 08., 08RG18
  AUTHOR;　M. Kasu, J. Abdu, S. Hara, Y. Chiba, A. Masuda,
  
• Dislocations in chemical vapor deposition (111) single crystal diamond observed by synchrotron X-ray topography and their relation with etch pits;　2018/04
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Diamond and Related Materials, 90, 40-46
  AUTHOR;　S. Masuya, M. Kasu,
  
• Band Alignment of Al2O3 Layer Deposited NO and SO2;　2018/04
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Phys. Status Solidi, A 2018, 18, 1800237
  AUTHOR;　Saha Niloy Chandra, M. Kasu
  
• Reduction of dislocation densities in single crystal CVD diamond by confinement in the lateral sector;　2018/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Diamond and Related Materials, 83, 162-169
  AUTHOR;　A. Boussadi, A. Tallaire, M. Kasu, J. Barjon, J. Achard,
  
• Crystal defects observed by the etch-pit method and their effects on Schottky-barrier-diode characteristics on β-Ga2O3;　2017/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　apanese Journal of Applied Physics, 56, 091101
  AUTHOR;　M. Kasu, T. Oshima, K. Hanada, T. Moribayashi, A. Hashiguchi, T. Oishi, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, and O. Ueda,
  
• Carrier confinement observed at modulation-doped β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3 heterojunction interface;　2017/05
  ANNOUNCEMENT INFO.;　, 10, 03, 035701.
  AUTHOR;　T. Oshima, Y. Kato, N. Kawano, T. Oishi, M. Kasu
  
• Epitaxial growth of γ-(Alx Ga1-x )O3 alloy films for band-gap engineering;　2017/05
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Applied Physics Express 10, 051104 (2017)., 10, 05, 051104
  AUTHOR;　T. Oshima, Y. Kato, M. Oda, T. Hitora, M. Kasu
  
• Formation of stacking fault and dislocation behavior during the high temperature annealing of single-crystal HPHT diamond”;　2017/04
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Dia. Rel. Mater., 75, 155–160
  AUTHOR;　S. Masuya, K. Hanada, T. Oshima, H. Sumiya, M. Kasu,
  
• Electrical properties of Schottky barrier diodes fabricated on (001) β-Ga2O3 substrates with crystal defects;　2017/04
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics, 56, 086501
  AUTHOR;　T. Oshima, A. Hashiguchi, T. Moribayashi, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, O. Ueda, T. Oishi, and M. Kasu
  
• Crystal defects observed by the etch-pit method and their effects on Schottky-barrier-diode characteristics on β-Ga2O3;　2017/04
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics, 56, 091101
  AUTHOR;　M. Kasu, T. Oshima, K. Hanada, T. Moribayashi, A. Hashiguchi, T. Oishi, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, and O. Ueda
  
• Diamond field-effect transistors for RF power electronics: Novel NO2 hole doping and low-temperature deposited Al2O3 passivation;　2017/01
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics, 56, 1, 01AA01
  AUTHOR;　Makoto Kasu
  
• Diamond Schottky Barrier Diodes With NO2 Exposed Surface and RF-DC Conversion Toward High Power Rectenna;　2017/01
  ANNOUNCEMENT INFO.;　IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 38, 1, 87
  AUTHOR;　Toshiyuki Oishi, Naoto Kawano, Satoshi Masuya, and Makoto Kasu
  
• Relationship between crystal defects and leakage current in β-Ga2O3 Schottky barrier diodes;　2016/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 1202BB
  AUTHOR;　M. Kasu, K. Hanada, T. Moribayashi, A. Hashiguchi, T. Oshima, T. Oishi, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, and O. Ueda
  
• Structural evaluation of defects in β-Ga2O3 single crystals grown by edge-defined film-fed growth process;　2016/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 1202BD
  AUTHOR;　O. Ueda N. Ikenaga, K. Koshi, K. Iizuka, A. Kuramata, K. Hanada, T. Moribayashi, S. Yamakoshi, and M. Kasu
  
• Origins of etch-pits in (010) β-Ga2O3 single crystals;　2016/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 1202BG
  AUTHOR;　K Hanada, T. Moribayashi, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, O. Ueda, and M. Kasu,
  
• Diamond epitaxy: basics and applications;　2016/08
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials, 62, 317–328
  AUTHOR;　Makoto Kasu
  
• “Estimation method of solar cell temperature using meteorological data in mega solar power plant;　2016/08
  ANNOUNCEMENT INFO.;　IEEE Journal of Photovoltaics, 6, 1255
  AUTHOR;　S. Hara, M. Kasu, and N. Matsui,
  
• Formation of indium–tin oxide ohmic contacts for β-Ga2O3;　2016/08
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 1202B7
  AUTHOR;　Takayoshi Oshima, Ryo Wakabayashi, Mai Hattori, Akihiro Hashiguchi, Naoto Kawano, Kohei Sasaki, Takekazu Masui, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Kohei Yoshimatsu, Akira Ohtomo, Toshiyuki Oishi and Makoto Kasu
  
• Observation of nanometer-sized crystalline grooves in as-grown β-Ga2O3 single crystals;　2016/04
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 030303
  AUTHOR;　K. Hanada, T. Moribayashi, T. Uematsu, S. Masuya, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, O. Ueda, and M. Kasu
  
• Study on conduction mechanism in highly doped -Ga2O3 (-201) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes;　2016/04
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 3, 030305
  AUTHOR;　T. Oishi, K. Harada, Y. Koga, and M. Kasu
  
• “Study on capacitance–voltage characteristics of diamond field-effect transistors with NO2 hole doping and Al2O3 gate insulator layer;　2016/04
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 041301
  AUTHOR;　M. Kasu, K. Hirama, K. Harada, and T. Oishi,
  
• Study on capacitance–voltage characteristics of diamond field-effect transistors with NO2 hole doping and Al2O3 gate insulator layer;　2016/02
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 4, 041301
  AUTHOR;　M. Kasu, K. Hirama, K. Harada, and T. Oishi
  
• Determination of the type of stacking faults in single-crystal high-purity diamond with a low dislocation density of < 50 cm−2 by synchrotron X-ray topography;　2016/02
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 4, 040303
  AUTHOR;　S. Masuya, K. Hanada, T. Uematsu, T. Moribayashi, H. Sumiya, and M. Kasu,
  
• Observation of nanometer-sized crystalline grooves in as-grown β-Ga2O3 single crystals;　2016/01
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 3, 030303
  AUTHOR;　Kenji Hanada, Tomoya Moribayashi, Takumi Uematsu, Satoshi Masuya, Kimiyoshi Koshi, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Osamu Ueda, and Makoto Kasu
  
• Study on conduction mechanism in highly doped -Ga2O3 (2̅ 0 1) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes;　2016/01
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 3, 030305
  AUTHOR;　Toshiyuki Oishi, Kazuya Harada, Yuta Koga, and Makoto Kasu
  
• High-mobility β-Ga2O3(-201) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes with Ni contact;　2015/01
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Applied Physics Express, 8, 3, 031101
  AUTHOR;　T. Oishi, Y. Koga, K. Harada, M. Kasu
  
• Synchrotron X-ray topography of dislocations in high-pressure high-temperature-grown single-crystal diamond with low dislocation density;　2014/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Applied Physics Express, 7, 12, 125501-125501
  AUTHOR;　M. Kasu, R. Murakami, S. Masuya, K. Harada, and H. Sumiya
  
• Electronic states of NO2-exposed H-terminated diamond/Al2O3 heterointerface studied by synchrotron radiation photoemission and X-ray absorption spectroscop;　2014/04
  ANNOUNCEMENT INFO.;　APPLIED PHYSICS LETTERS, 104, 7, 072101-072101
  AUTHOR;　K. Takahashi, M. Imamura, K. Hirama, and M. Kasu
  
• Maximum hole concentration for Hydrogen-terminated diamond surfaces with various surface orientations obtained by exposure to highly concentrated NO 2;　2013/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Diamond and Related Materials, 31, 47-49
  AUTHOR;　佐藤、嘉数
  
• Carrier Gas Dependent Evaporation Energy of GaN Estimated from Spiral Growth Rates in Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy;　2013/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Express, 6, 105501
  AUTHOR;　T. Akasaka, Y. Kobayashi, M. Kasu, H. Yamamoto,
  
• Mechanism of hole doping into hydrogen terminated diamond by the adsorption of inorganic molecule;　2013
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Surface Science, 609, 203-206
  AUTHOR;　Y. Takagi, K. Shiraishi, Makoto Kasu, and H. Sato,
  
• Epitaxial growth of AlGaN/GaN high-electron mobility transistor structure on diamond (111) surface;　2012/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　, 51, 090114
  AUTHOR;　平間、谷保、嘉数
  
• AlN/GaN超格子を使ったAlGaN遠紫外発光ダイオードの高輝度化の検討;　2012/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics, 51, 02BJ11
  AUTHOR;　K. Kamiya, Y. Ebihara, M. Kasu, K. Shiraishi
  
• Thermal stabilization of hole channel on H-terminated diamond surface by using atomic-layer-deposited AL 2O 3 overlayer and its electric properties;　2012/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Applied Physics Express, 5, 2, 025701
  AUTHOR;　嘉数、佐藤、平間
  
• Polarization property of deep-ultraviolet light emission from C-plane AlN/GaN short-period superlattices;　2012/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Applied Physics Letters,, 99, 25, 251112
  AUTHOR;　Y. Taniyasu, M. Kasu
  
• “Thermal Stabilization of Hole Channel on H-Terminated Diamond Surface by Using Atomic-Layer-Deposited Al2O3 Overlayer and its Electric Properties”;　2012
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Express, 5, 025701-025701.
  AUTHOR;　M. Kasu, H. Sato, and K. Hirama
  
• Growth and Device Properties of AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors on a Diamond Substrate;　2012
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics, 51, 01AG09- 01AG09
  AUTHOR;　K. Hirama, M. Kasu, and Y. Taniyasu,
  
• RF High-Power Operation of AlGaN/GaN HEMTs Epitaxially Grown on Diamond;　2012
  ANNOUNCEMENT INFO.;　IEEE Electron Device Lett., 33, 513-515
  AUTHOR;　K. Hirama, M. Kasu, and Yoshitaka Taniyasu
  
• Electronic properties of H-terminated diamond during NO2 and O3 adsorption and desorption;　2012
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Diamond and Related Materials, 24, 99-103
  AUTHOR;　H. Sato and M. Kasu
  
• Thermally Stable Operation of H-Terminated Diamond FETs by NO2 Adsorption and Al2O3 Passivation;　2012
  ANNOUNCEMENT INFO.;　IEEE Electron Device Lett., 33, 1111-1113
  AUTHOR;　K. Hirama, H. Sato, Y. Harada, and H. Yamamoto, and M. Kasu
  
• Diamond Field-Effect Transistors with 1.3A/mm Drain Current Density by Al2O3 Passivation Layer;　2012
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Jpn. J. Appl. Phys., 51, 090112-090112
  AUTHOR;　K. Hirama, H. Sato, Y. Harada, H. Yamamoto, and M. Kasu,
  
• Electroluminescence and capacitance-voltage characteristics of singlecrystal n-type AlN (0001) /p-type diamond (111) heterojunction diodes;　2011
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett., 98, 011908
  AUTHOR;　K. Hirama, Y. Taniyasu, M. Kasu
  
• “Structural design of AlN/GaN superlattices for deep-ultraviolet light-emitting diodes with high emission efficiency”,;　2011
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett., 2011, 151108-151108
  AUTHOR;　K. Kamiya, Y. Ebihara, K. Shiraishi, and M. Kasu,
  
• Coherent coupling of a superconducting flux qubit to an electron spin ensemble in diamond;　2011
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Nature, 478, 221-224
  AUTHOR;　Xiaobo Zhu, Shiro Saito, Alexander Kemp, Kosuke Kakuyanagi, Shin-ichi Karimoto, Hayato Nakano, William J. Munro, Yasuhiro Tokura, Mark S. Everitt Kae Nemoto, Makoto Kasu, Norikazu Mizuochi and Kouichi Semba,
  
• Hexagonal AlN(0001) heteroepitaxial growth on cubic diamond (001);　2010
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Jpn. J. Appl. Phys., 49, 04DH01
  AUTHOR;　K. Hirama, Y. Taniyasu, M. Kasu
  
• High temperature operation of boron-implanted diamond field-effect transistors;　2010
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Jpn. J. Appl. Phys., 49, 04DF16
  AUTHOR;　K. Ueda and M. Kasu
  
• Electronic and surface properties of H-terminated diamond surface affected by NO2 gas;　2010
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Diamond and Related Materials, 19, 889-893
  AUTHOR;　M. Kubovic, M. Kasu, H. Kageshima, F. Maeda,
  
• Supersaturation in nucleus and spiral growth in metal organic vapor phase epitaxy;　2010
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett, 94, 141902
  AUTHOR;　T. Akasaka, Y. Kobayashi, and M. Kasu
  
• Sorption properties of NO2 gas and its strong influence on hole concentration of H-terminated diamond surfaces;　2010
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett., 96, 052101
  AUTHOR;　M. Kubovic, M. Kasu, H. Kageshima
  
• Heterostructure growth of a single-crystal hexagonal AlN (0001) layer on cubic diamond (111) surface;　2010
  ANNOUNCEMENT INFO.;　J. Appl. Phys., 108, 013528
  AUTHOR;　K. Hirama, Y. Taniyasu, M. Kasu
  
• Surface 210-nm light emission from AlN p-n junction light-emitting diode by A-plane growth orientation;　2010
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett., 96, 221110
  AUTHOR;　Y. Taniyasu and M. Kasu
  
• Nucleus and spriral growth mechanisms of GaN studied by using selective-area metalorganic vapor phase epitaxy;　2010
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Express, 3, 075602
  AUTHOR;　T. Akasaka, Y. Kobayashi, M. Kasu
  
• Enhancement and stabilization of hole concentration of hydrogen-terminated diamond surface using ozone adsorbates;　2010
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Jpn. J. Appl. Phys., 49, 110208
  AUTHOR;　M. Kubovic and M. Kasu
  
• Arsenic-doped n-type diamond grown by microwave-assisted plasma chemical vapor deposition;　2010
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Jpn. J. Appl. Phys., 49, 110209
  AUTHOR;　M. Kasu and M. Kubovic
  
• Beryllium-doped single-crystal diamond grown by microwave plasma CVD;　2009
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Diamond and Related Materials, 18, 121-123
  AUTHOR;　K. Ueda and M. Kasu
  
• MOVPE growth of hexagonal aluminium nitride on cubic diamond;　2009
  ANNOUNCEMENT INFO.;　J. Crystal Growth, 311, 2825-2830
  AUTHOR;　Y. Taniyasu and M. Kasu
  
• Low-temperature characteristics of the current gain of GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors;　2009
  ANNOUNCEMENT INFO.;　J. Crystal Growth, 311, 3000-3002
  AUTHOR;　A. Nishikawa, K. Kumakura, M. Kasu, and T. Makimoto
  
• Molecular beam epitaxial growth of hexagonal boron nitride on Ni (111) substrate;　2009
  ANNOUNCEMENT INFO.;　J. Crystal Growth, 311, 3054-3057
  AUTHOR;　C. L. Tsai, Y. Kobayashi, T. Akasaka, and M. Kasu
  
• Structural and electrical properties of hydrogen-terminated diamond field-effect transistor;　2009
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Diamond and Related Materials, 18, 796-799
  AUTHOR;　M. Kubovic, M. Kasu, Y. Yamauchi, K. Ueda, and H. Kageshima
  
• Identification of etch-pit crystallographic faces induced on diamond surface by H2/O2 etching plasma treatment;　2009
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Phys. Status Solidi A, 206, 1949-1954
  AUTHOR;　J. Achard, F. Silva, O. Brinza, X. Bonnin, V. Lille., R. Issaoui, M. Kasu, A. Gicquel,
  
• Improvement of hydrogen-terminated diamond FETs in nitrogen dioxide atmosphere;　2009
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Express, 2, 086502
  AUTHOR;　M. Kubovic and M. Kasu
  
• Origin of Schottky barrier modification by hydrogen on diamond;　2009
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Jpn. J. Appl. Phys., 48, 111602
  AUTHOR;　H. Kageshima and M. Kasu
  
• Photoluminescence of highly excited AlN: biexcitons and exciton-exciton scattering;　2009
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett., 95, 031903
  AUTHOR;　R. A. R. Leute, M. Feneberg, R. Sauer, K. Thonke, S. B. Thapa, F. Scholz, Y. Taniyasu, and M. Kasu
  
• Step-free GaN hexagons grown by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy;　2009
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Express, 2, 091002
  AUTHOR;　T. Akasaka, Y. Kobayashi, M. Kasu
  
• High-temperature (300 �C) operation of npn -type GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors;　2008/07
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Physica Status Solidi (c), 5, 9, 2957-2959
  AUTHOR;　A. Nishikawa, K. Kumakura, M. Kasu and T. Makimoto
  
• Diamond RF FETs and other approaches to electronics;　2008/07
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Physica Status Solidi (c), 5, 9, 3165-3168
  AUTHOR;　M. Kasu, K. Ueda, H. Kageshima and Y. Taniyasu
  
• Diamond FETs on boron-implanted and high-pressure and high-temperature annealed homoepitaxial diamond;　2008/07
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Physica Status Solidi (c), 5, 9, 3175-3177
  AUTHOR;　Kenji Ueda, Yoshiharu Yamauchi and Makoto Kasu
  
• Anisotropic in-plane strains in nonpolar AlN and AlGaN (11-20) films grown on SiC (11-20) substrates;　2008
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Applied Physics Letters, 93, 161908
  AUTHOR;　T. Akasaka, Y. Kobayashi, and M. Kasu
  
• RF equivalent-circuit analysis of p-type diamond field-effect transistors with hydrogen surface termination;　2008
  ANNOUNCEMENT INFO.;　IEICE Transactions on Electronics, E91C, 1042-1049
  AUTHOR;　M. Kasu, K. Ueda, H. Kageshima, and Y. Yamauchi
  
• Origin of growth defects in CVD diamond epitaxial films;　2008
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Diamond and Related Materials, 17, 60-65
  AUTHOR;　A. Tallaire, M. Kasu, K. Ueda, and T. Makimoto
  
• High-pressure and high-temperature annealing effects of boron-implanted diamond;　2008
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Diamond and Related Materials, 17, 502-505
  AUTHOR;　K. Ueda and M. Kasu
  
• Thick diamond layers angled by polishing to reveal defect and impurity depth profiles;　2008
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Diamond and Related Materials, 17, 506-510
  AUTHOR;　A. Tallaire, M. Kasu, and K. Ueda
  
• Gate interfacial layer in hydrogen-terminated diamond field-effect transistors;　2008
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Diamond and Related Materials, 17, 741-744
  AUTHOR;　M. Kasu, K. Ueda, and Y. Yamauchi
  
• High-pressure and high-temperature annealing of diamond ion-implanted with various elements;　2008
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Diamond and Related Materials, 17, 1269-1272
  AUTHOR;　K. Ueda and M. Kasu
  
• Aluminum nitride deep-ultraviolet light-emitting p-n junction diodes;　2008
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Diamond and Related Materials, 17, 1273-1277
  AUTHOR;　Y. Taniyasu and M. Kasu
  
• High-temperature characteristics of AlxGa1-xN-based vertical conducting diodes;　2008
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics, 47, 2838-2840
  AUTHOR;　A. Nishikawa, K. Kumakura, M. Kasu, and T. Makimoto
  
• Gate capacitance-voltage characteristics of submicron-long-gate diamond field-effect transistors with hydrogen surface termination;　2007
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Applied Physics Letters, 90, 043509
  AUTHOR;　M. Kasu, K. Ueda, Y. Yamauchi, and T. Makimoto
  
• High-pressure and high-temperature annealing as an activation method for ion-implanted dopants in diamond;　2007
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Applied Physics Letters, 90, 122102
  AUTHOR;　K. Ueda, M. Kasu, and T. Makimoto
  
• Radiation and polarization properties of free-exciton emission from AlN (0001) surface;　2007
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Applied Physics Letters, 90, 261911
  AUTHOR;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto
  
• Threading dislocations in heteroepitaxial AlN layer grown by MOVPE on SiC (0001) substrate;　2007
  ANNOUNCEMENT INFO.;　J. Crystal Growth, 298, 310-315
  AUTHOR;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto
  
• Cathodoluminescence, photoluminescence, and reflectance study of an aluminum nitride layer grown on silicon carbide substrate;　2007
  ANNOUNCEMENT INFO.;　J. Applied Physics, 101, 023511
  AUTHOR;　G. M. Prinz, A. Ladenburger, M. Schirra, M. Feneberg, K. Thonke, R. Sauer, Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto
  
• Diamond-based RF power transistors: Fundamentals and applications;　2007
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Diamond and Related Materials, 16, 1010-1015
  AUTHOR;　M. Kasu, K. Ueda, Y. Yamauchi, A. Tallaire, and T. Makimoto
  
• High RF output power for H-terminated diamond FETs;　2006
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Diamond and Related Materials, 15, 783-786
  AUTHOR;　M. Kasu, K. Ueda, H. Ye, Y. Yamauchi, S. Sasaki, and T. Makimoto
  
• Temperature dependent DC and RF performance of diamond MESFET;　2006
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Diamond and Related Materials, 15, 787-791
  AUTHOR;　H. Ye, M. Kasu, K. Ueda, Y. Yamauchi, N. Maeda, S. Sasaki, and T. Makimoto
  
• High-pressure and high-temperature annealing effect of CVD homoepitaxial diamond films;　2006
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Diamond and Related Materials, 15, 1789-1791
  AUTHOR;　K. Ueda, M. Kasu, A. Tallaire, Y. Yamauchi, and T. Makimoto
  
• Characterization of high-quality poly-crystalline diamond and its high FET performance;　2006
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Diamond and Related Materials, 15, 1954-1957
  AUTHOR;　K. Ueda, M. Kasu, Y. Yamauchi, T. Makimoto, M. Schwitters, D. J. Twitchen, G. A. Scarsbrook, and S. E. Coe
  
• Diamond FET using high-quality polycrystalline diamond with fT of 45 GHz and fmax of 120 GHz;　2006
  ANNOUNCEMENT INFO.;　IEEE Electron Device Letters, 27, 570-572
  AUTHOR;　K. Ueda, M. Kasu, Y. Yamauchi, T. Makimoto, M. Schwitters, D. J. Twitchen, G. A. Scarsbrook, and S. E. Coe
  
• Increased electron mobility in n-type Si-doped AlN by reducing dislocation density;　2006
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Applied Physics Letters, 89, 182112
  AUTHOR;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto
  
• An aluminium nitride light-emitting diode with a wavelength of 210 nanometres;　2006
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Nature, 441, 325-328
  AUTHOR;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto
  
• Influence of lattice constants of GaN and InGaN on Npn-type GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors;　2006
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics, 45, 3395-3397
  AUTHOR;　T. Makimoto, T. Kido, K. Kumakura, Y. Taniyasu, M. Kasu, and N. Matsumoto
  
• Strained thick p-InGaN layers for GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors on sapphire substrates;　2005
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics, 44, 2722-2725
  AUTHOR;　T. Makimoto, Y. Yamauchi, T. Kido, K. Kumakura, Y. Taniyasu, M. Kasu, and N. Matsumoto,
  
• 2 W/mm output power density at 1 GHz for diamond FETs;　2005
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Electronics Letters, 41, 1249-1250
  AUTHOR;　M. Kasu, K. Ueda, H. Ye, Y. Yamauchi, S. Sasaki, and T. Makimoto,
  
• Field emission properties of heavily Si-doped AlN in triode-type display structure;　2004
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett., 84, 2115-2117
  AUTHOR;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto
  
• Electrical conduction properties of n-type Si-doped AlN with high electron mobility ( > 100 cm2 V-1 s-1);　2004
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett., 85, 4672-4674
  AUTHOR;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto
  
• Influence of epitaxy on the surface conduction of diamond film;　2004
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Diamond and Related Materials, 13, 226-232
  AUTHOR;　M. Kasu, M. Kubovic, A. Aleksov, N. Teofilov, Y. Taniyasu, R. Sauer, E. Kohn, T. Makimoto, and N. Kobayashi
  
• Microwave performance evaluation of diamond surface channel FETs;　2004
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Microwave performance evaluation of diamond surface channel FETs, 13, 802-807
  AUTHOR;　M. Kubovic, M. Kasu, I. Kallfass, M. Neuburger, A. Aleksov, G. Koley, M. G. Spencer, and E. Kohn
  
• Properties of (111) diamond homoepitaxial layer and its application to field-effect transistor;　2004
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Japanese Journal of Applied Physics, 43, L975-L977
  AUTHOR;　M. Kasu, M. Kubovic, A. Aleksov, N. Teofilov, R. Sauer, E. Kohn, and T. Makimoto
  
• High electron concentrations in Si-doped AlN/AlGaN superlattices with high average Al content of 80%;　2003
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Phys. Stat. Sol. (a), 200, 40-43
  AUTHOR;　Y. Taniyasu, M. Kasu, K. Kumakura, T. Makimoto, and N. Kobayashi
  
• Triode-type basic display structure using Si-doped AlN field emitters;　2003
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Phys. Stat. Sol. (a), 200, 199-201
  AUTHOR;　Y. Taniyasu, M. Kasu, T. Makimoto, and N. Kobayashi
  
• Formation of stacking faults containing microtwins in (111) chemical-vapor-deposited diamond homoepitaxial layers;　2003
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett., 83, 3465-3467
  AUTHOR;　M. Kasu, T. Makimoto, W. Ebert, and E. Kohn
  
• High mobility and high crystalline-quality chemical-vapor-deposition grown homoepitaxial diamond;　2003
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Diamond and Related Materials, 12, 413-417
  AUTHOR;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Reduction of threading dislocations in crack-free AlGaN by using multiple thin SixAl1-xN interlayers;　2003
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett., 83, 4140-4142
  AUTHOR;　T. Akasaka, T. Nishida, Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto
  
• Intentional control of n-type conduction for Si-deoped AlN and AlxGa1-xN (0.42ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett., 81, 1255-1257
  AUTHOR;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and N. Kobayashi
  
• Intentional control of n-type conduction for Si-doped AlN and AlxGa1-xN with high Al content;　2002
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Physica Status Solidi (B), 234, 845-849
  AUTHOR;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and N. Kobayashi
  
• High hole mobility (1300cm2/Vs) at room temperature in hydrogen-terminated (001) diamond;　2002
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett., 80, 3961-3963
  AUTHOR;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Spontaneous ridge-structure formation and large field emission of heavily Si-doped AlN;　2001
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett., 78, 1835-1837
  AUTHOR;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Field emission characteristics and large current density of heavily Si-doped AlN and AlxGa1-xN (0.38ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett., 79, 3642-3644
  AUTHOR;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Lattice parameters of wurtzite Al1-xSixN ternary alloy;　2001
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett., 79, 4351-4353
  AUTHOR;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and N. Kobayashi
  
• Formation of solid solution of Al1-xSixN (0ANNOUNCEMENT INFO.;　Jpn. J. Appl. Phys. Lett., 40, L1048-L1050
  AUTHOR;　M. Kasu, Y. Taniyasu, and N. Kobayashi
  
• Spontaneous ridge formation and its effect on field emission of heavily Si-doped AlN;　2001
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Physica Status Solidi (a), 188, 779-782
  AUTHOR;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Large and stable field emission current from heavily Si-doped AlN grown by metalorganic vapor phase epitaxy;　2000
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett., 76, 2910-2912
  AUTHOR;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Large electron field emission from high-quality heavily Si-doped AlN grown by MOVPE;　2000
  ANNOUNCEMENT INFO.;　J. Crystal Growth, 221, 739-742
  AUTHOR;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Nitrogen radical adsorption on InAs (001) surface studied by scanning tunneling microscopy and x-ray photoelectronic spectroscopy;　1998
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett., 73, 3754-3756
  AUTHOR;　M. Kasu, N. Kobayashi, H. Tanaka, and O. Mikami
  
• Selectivity mechanism of all-UHV STM-based selective area growth;　1998
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Surf. Sci., 130, 452-456
  AUTHOR;　M. Kasu, T. Makimoto, and N. Kobayashi
  
• In-situ STM observation of GaAs surfaces after nitridation;　1997
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Jpn. J. Appl. Phys., 36, 1733-1735
  AUTHOR;　T. Makimoto, M. Kasu, J. L. Benchmol, and N. Kobayashi
  
• Nanoscale patterning and selective growth of GaAs surfaces by ultra-high vacuum scanning tunneling microscopy;　1997
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Jpn. J. Appl. Phys., 36, 3821-3826
  AUTHOR;　M. Kasu, T. Makimoto, and N. Kobayashi
  
• Selective-area GaAs growth using nitrogen passivation and scanning tunneling microscopy modification in a nanometer scale;　1997
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett., 70, 1161-1163
  AUTHOR;　M. Kasu, T. Makimoto, and N. Kobayashi
  
• Surface diffusion kinetics of GaAs and AlAs metalorganic chemical vapor epitaxy;　1997
  ANNOUNCEMENT INFO.;　J. Crystal Growth, 170, 246-250
  AUTHOR;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Nanometer-scale selective area growth on nitrogen-passivated surface using STM and MOMBE;　1997
  ANNOUNCEMENT INFO.;　J. Crystal Growth, 173, 589-591
  AUTHOR;　M. Kasu, T. Makimoto, and N. Kobayashi
  
• Surface kinetics of metalorganic chemical vapor epitaxy -surface diffusion, nucleus formation, sticking at steps-;　1997
  ANNOUNCEMENT INFO.;　J. Crystal Growth, 174, 513-521
  AUTHOR;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Anisotropic surface morphology of GaAs (001) surfaces passivated with nitrogen radicals;　1996
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett., 68, 955-957
  AUTHOR;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Scanning tunneling microscopy modification of nitrogen-passivated GaAs (001) surfaces on a nanometer scale;　1996
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett., 68, 1811-1813
  AUTHOR;　M. Kasu, T. Makimoto, and N. Kobayashi
  
• Surface diffusion of AlAs on GaAs in metalorganic chemical vapor-phase epitaxy studied by high-vacuum scanning tunneling microscopy;　1995
  ANNOUNCEMENT INFO.;　J. Appl. Phys., 78, 3026-3035
  AUTHOR;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Surface diffusion of AlAs on GaAs in metalorganic chemical vapor-phase epitaxy studied by high-vacuum scanning tunneling microscopy;　1995
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett., 67, 2842-2844
  AUTHOR;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Scanning tunneling microscopy study of GaAs step structures on vicinal substrate grown by metalorganic chemical vapor deposition;　1994
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Jpn. J. Appl. Phys., 33, 712-715
  AUTHOR;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Observation of GaAs (001) surface at high temperatures by scanning tunneling microscopy;　1993
  ANNOUNCEMENT INFO.;　J. Crystal Growth, 127, 1064-1067
  AUTHOR;　H. Yamaguchi, M. Kasu, T. Sueyoshi, T. Sato, and M. Iwatsuki
  
• Equilibrium multiatomic step structure of GaAs (001) vicinal surfaces grown by metalorganic chemical vapor deposition;　1993
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett., 62, 1262-1264
  AUTHOR;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Multi-atomic steps on metalorganic chemical vapor deposition-grown GaAs vicinal surfaces studied by atomic force microscopy;　1992
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Jpn. J. Appl. Phys., 31, L864-L866
  AUTHOR;　M. Kasu and T. Fukui
  
• Polarized photoluminescence of fractional layer superlattices;　1992
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Surface Science, 267, 300-303
  AUTHOR;　M. Kasu, H. Ando, H. Saito, and T. Fukui
  
• Fractional layer superlattices grown by MOCVD and their device application;　1992
  ANNOUNCEMENT INFO.;　J. Crystal Growth, 124, 493-496
  AUTHOR;　T. Fukui, K. Tsubaki, H. Saito, M. Kasu, and T. Honda
  
• Anisotropy in photoluminescence and absorption spectra of fractional layer superlattices;　1991
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett., 59, 301-303
  AUTHOR;　M. Kasu, H. Ando, H. Saito, and T. Fukui
  
• Photoluminescence lifetime of AlAs/GaAs disordered superlattices;　1991
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Appl. Phys. Lett., 59, 800-802
  AUTHOR;　M. Kasu, T. Yamamoto, S. Noda, and A. Sasaki
  
• DX centers in AlxGal-xAs bulk alloy, AlAs/GaAs ordered and disordered superlattices;　1991
  ANNOUNCEMENT INFO.;　J. Electron. Materials, 20, 691-693
  AUTHOR;　M. Kasu, R. Rao, S. Noda, and A. Sasaski
  
• Step-density dependence of growth rate on vicinal surface of MOCVD;　1991
  ANNOUNCEMENT INFO.;　J. Crystal Growth, 115, 406-410
  AUTHOR;　M. Kasu, H. Saito, and T. Fukui
  
• Photoluminescent properties and optical absorption of AlAs/GaAs disordered superlattices;　1990
  ANNOUNCEMENT INFO.;　J. Appl. Phys., 68, 5318-5323
  AUTHOR;　T. Yamamoto, M. Kasu, S. Noda, and A. Sasaki
  
• Optical properties of disordered superlattices;　1990
  ANNOUNCEMENT INFO.;　J. Electron. Materials, 19, 11-12
  AUTHOR;　A. Sasaki, M. Kasu, and S. Noda
  
• Photoluminescent properties of AlAs/AlxGa1-xAs (x=0.5) disordered superlattices;　1990
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Jpn. J. Appl. Phys., 29, L1055-L1058
  AUTHOR;　M. Kasu, T. Yamamoto, S. Noda, and A. Sasaki
  
• Electroluminescence of AlAs/GaAs disordered superlattices;　1990
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Jpn. J. Appl. Phys., 29, L1588-L1590
  AUTHOR;　M. Kasu, T. Yamamoto, S. Noda, and A. Sasaki
  
• Absorption spectra and photoluminescent processes of AlAs/GaAs disordered superlattices;　1990
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Jpn. J. Appl. Phys., 29, 828-834
  AUTHOR;　M. Kasu, T. Yamamoto, S. Noda, and A. Sasaki
  
• Proposal and experimental results of disordered crystalline semiconductors;　1989
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Jpn. J. Appl. Phys., 28, L1249-L1251
  AUTHOR;　A. Sasaki, M. Kasu, T. Yamamoto, and S. Noda,
  

Material, Commentary, Editorials, Research Report, A Comprehensive Journal Articles

• ダイヤモンド半導体;　2022/02
  ANNOUNCEMENT INFO.;　學士會会報
  AUTHOR;　嘉数　誠
  
• ダイヤモンドパワー半導体デバイスの高出力化成功　5年後実用化に照準合わす;　2021/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　ダイヤモンドパワー半導体デバイスの高出力化成功　5年後実用化に照準合わす, 972
  AUTHOR;　嘉数　誠
  
• ダイヤモンドウェハおよびトランジスタ技術の最近の進展;　2021/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　かがやき, 33
  AUTHOR;　嘉数　誠
  
• パワー半導体デバイス応用を目指したダイヤモンド，酸化ガリウムのシンクロトロンX 線トポグラフィー観察;　2020/01
  ANNOUNCEMENT INFO.;　, 32, 6, 285
  AUTHOR;　
  
• 資源問題と表面科学;　2014/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　, 35, 12
  AUTHOR;　Makoto Kasu
  
• シンクロトロン光・X線トポグラフィーを用いたダイヤモンド単結晶の転位の同定;　2014/04
  ANNOUNCEMENT INFO.;　, 30, 4, 113-116
  AUTHOR;　M. Kasu, R. Murakami, S. Masuya
  
• ダイヤモンド結晶成長：パワーデバイス応用への現状と課題;　2012/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　, 39, 4, 6
  AUTHOR;　
  
• NO2及びO3吸着による水素終端ダイヤモンド表面での正孔生成;　2012/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　, 33, 10, 575
  AUTHOR;　
  
• CVD 単結晶ダイヤモンドの異常成長粒子、転位、不純物ドーピングの機構;　2012/04
  ANNOUNCEMENT INFO.;　, 39, 4, 38-42
  AUTHOR;　Makoto Kasu
  

General Lectures

• ダイヤモンドMOSFET の高速(<10ns)スイッチング特性;　2023/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　17a-A301-8、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会、東京、2023年3月17日
  AUTHOR;　ニロイ チャンドラ サハ, 白土智基，金 聖祐, 小山浩司, 大石敏之, 嘉数 誠、
  
• ダイヤモンドMOSFET の長時間(190h)ストレス測定;　2023/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　17a-A301-9、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会、東京、2023年3月17日
  AUTHOR;　ニロイチャンドラサハ, 白土智基，金 聖祐, 小山浩司, 大石敏之, 嘉数 誠
  
• ヘテロエピタキシャルダイヤモンド放射線検出器のα線特性;　2023/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　16a-D311-10, 2023年第70回応用物理学会春季学術講演会、東京、2023年3月16日
  AUTHOR;　入江 優雅, 人見啓太朗, 野上光博，金 聖祐，小山浩司，ニロイ チャンドラ サハ
  
• 高感度エミッション顕微鏡とシンクロトロンX 線トポグラフィーによるHVPE (001)型酸化ガリウムSBD のリーク電流の起源になるキラー欠陥の同定;　2023/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　15p-E102-15、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会、東京、2023年3月15日
  AUTHOR;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Makoto Kasu
  
• (011)面方位 HVPEβ型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの高感度エミッション顕微鏡とシンクロトロンＸ線トポグラフィによるキラー欠陥の同定;　2023/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　15p-E102-16、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会、東京、2023年3月15日
  AUTHOR;　大坪 優斗、スダーン セイリープ、佐々木 公平、倉又 朗人、嘉数 誠
  
• ダイヤモンドMOSFETの高速(<10ns)スイッチング動作;　2023/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　電子通信情報学会総合大会C-10-6、さいたま、2023年3月9日
  AUTHOR;　白土智基・Niloy Saha・Seongwoo Kim・・大石敏之・嘉数　誠
  
• ダイヤモンドMOSFETの長時間(190h)ストレス特性;　2023/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　電子通信情報学会総合大会C-10-7、さいたま、2023年3月9日
  AUTHOR;　白土智基・Niloy Saha・Seongwoo Kim・小山浩司・大石敏之・嘉数　誠
  
• 3659 V 0.37 A/mm NO2-doped p-channel Diamond MOSFETs fabricated on diamond grown on misoriented sapphire substrates;　2022/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　The 2022 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, Nov. 27- Dec. 2, 2022, Boston
  AUTHOR;　Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, and Makoto Kasu
  
• Growth process of high-quality 2-in-diameter CVD diamond on Ir/sapphire substrate compared with Ir/MgO substrate;　2022/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　The 2022 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, Nov. 27- Dec. 2, 2022, Boston
  AUTHOR;　Makoto Kasu, Ryo Masaki, Koji Koyama, and Seong-Woo Kim
  
• インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の格子歪発生のメカニズム－サファイア基板とMgO基板の比較－;　2022/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）、2022年10月31日－11月2日
  AUTHOR;　嘉数 誠，眞崎 瞭，高谷亮太，小山浩司，金 聖祐
  
• インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の成長初期過程の観察－サファイア基板とMgO基板の比較－;　2022/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）、2022年10月31日－11月2日
  AUTHOR;　嘉数 誠，眞崎 瞭，高谷亮太，小山浩司，金 聖祐
  
• Dislocation Responsible for Leakage Current in HVPE (001) β-Ga2O3 SBD Observed by Emission Microscopy and Synchrotron X-ray Topography;　2022/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022) Nanano, October 23 – 27, 2022
  AUTHOR;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, and Makoto Kasu
  
• High Quality Vertical Bridgman and Edge-Defined Film-Fed Growth β-Ga2O3 Bulk Crystal Investigated Using High-Resolution X-Ray Diffraction and Synchrotron X-Ray Topography;　2022/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022) Nanano, October 23 – 27, 2022
  AUTHOR;　Muhidul Islam Chaman, Keigo Hoshikawa, Sayleap Sdoeung, and Makoto Kasu
  
• Crystal Defects and Lattice Constants of High-Quality β-Ga2O3 Edge-Defined Film-Fed Grown Single Crystals Studied by Synchrotron X-ray Topography and High-Resolution X-Ray Diffractions;　2022/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022) Nanano, October 23 – 27, 2022
  AUTHOR;　Muhidul Islam Chaman, Sayleap Sdoeung, and Makoto Kasu
  
• Microstructural Characterization of β-Ga2O3 Crystals by Photoluminescence Mapping Measurements;　2022/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Pos 2-04, The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022) Nanano, October 23 – 27, 2022
  AUTHOR;　K. Shoji, M. Nakanishi, M. Kasu, T. Yamaguchi, T. Honda, K. Sasaki, A. Kuramata, and T. Onuma
  
• 傾斜サファイア基板上に成長したダイヤモンドウェハの高品質化;　2022/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　秋季応用物理学会、仙台、2022年9月20－23日
  AUTHOR;　ジャック ダグベト， 小山浩司， 嘉数 誠，金 聖祐
  
• ヘテロエピタキシャルダイヤモンド放射線検出器の作製;　2022/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　入江優雅, 人見啓太朗, 野上光博, 中山 隼，金 聖祐，小山浩司，ニロイ チャンドラ サハ, 嘉数 誠
  
• インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の成長初期過程－サファイア基板とMgO基板の比較－;　2022/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　秋季応用物理学会、仙台、2022年9月20－23日
  AUTHOR;　眞崎 瞭，高谷亮太，小山浩司，金 聖祐，嘉数 誠
  
• B イオン注入のみで作製した ダイヤモンドショットキーバリアダイオード;　2022/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　秋季応用物理学会、仙台、2022年9月20－23日
  AUTHOR;　関 裕平 ，重松誠也, 大石敏之, 嘉数 誠, 星野 靖, 中田穣治
  
• 3659 V, 0.37 A /mm微傾斜ダイヤモンド上に作製したNO2ドープダイヤモンドMOSFET;　2022/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　秋季応用物理学会、仙台、2022年9月20－23日
  AUTHOR;　ニロイ チャンドラ サハ, 金 聖祐, 小山浩司, 大石敏之, 嘉数 誠
  
• High On/Off Rectification Ratio of Diamond Schottky Barrier Diode Fabricated by All-Ion-Implantation Doping;　2022/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022), Marid, Sep 4-8, 2022
  AUTHOR;　N. C. Saha, Irie, Seki, Nakata, Hoshino, S. -W. Kim, T. Oishi, and M. Kasu,
  
• 875 MW/cm2 NO2-p-Type-Doped Diamond MOSFETs;　2022/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022), Marid, Sep 4-8, 2022
  AUTHOR;　Makoto Kasu, Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, and Toshiyuki Oishi
  
• Growth mechanism of high-quality inch-diameter diamond layers on sapphire substrates in comparison to MgO substrates;　2022/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022), Marid, Sep 4-8, 2022
  AUTHOR;　Makoto Kasu, Ryota Takaya, Ryo Masaki, and Seong-Woo Kim
  
• 3326 V 0.42 A/mm Modulation-Doped Diamond MOSFETs Fabricated via NO2 Delta Doping in Al2O3 Gate Layer;　2022/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022), Marid, Sep 4-8, 2022
  AUTHOR;　M. Kasu, N.C. Saha, S.-W. Kim, and T. Oishi
  
• 820 MW/cm2 0.42 A/mm 3326 V modulation-doped diamond MOSFET;　2022/06
  ANNOUNCEMENT INFO.;　15th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC 2022), Kanazawa, June 6-9, 2022
  AUTHOR;　Niloy Chandra Saha, Seong Woo Kim, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu
  
• 875 MW/cm2 2568 V 0.68 A/mm NO2 P-type Doped Diamond MOSFETs;　2022/06
  ANNOUNCEMENT INFO.;　15th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC 2022), Kanazawa, June 6-9, 2022
  AUTHOR;　N. C. Saha, S.–W. Kim, T. Oishi, and M. Kasu,
  
• Growth Mechanism of 2-Inch High-Quality Heteroepitaxial Diamond Free-Standing Wafers on Sapphire for High-Power Diamond FETs;　2022/05
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Materials Research Society (MRS) Spring Meeting, EQ01.16.06, On-line, May 8, 2022
  AUTHOR;　Makoto Kasu, Seong-Woo Kim, Ryota Takaya, and Niloy Saha Chandra
  
• 垂直 VB 成長と EFG 成長(001) β-Ga2O3 結晶の X 線トポグラフィー観察;　2022/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2022年春季応用物理学会、相模原、26p-E202-14
  AUTHOR;　ムヒドゥル イスラム チャマン, 干川圭吾 , スダーン セイリープ , 嘉数 誠
  
• N フリーヘテロエピタキシャルダイヤモンドの成長;　2022/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　N2022年春季応用物理学会、相模原、25a-E204-9
  AUTHOR;　金 聖祐，高谷 亮太, 平野 慎太郎, 川又 友喜, 小山 浩司, 嘉数 誠
  
• 高感度エミッション顕微鏡によるHVPE (001)型酸化ガリウムSBDのリーク電流の起源の同定ー研磨による表面キズ;　2022/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2022年春季応用物理学会、相模原、25p-E202-10
  AUTHOR;　スダーン セイリープ、シャーマン イスラム, 桝谷聡士, 佐々木公平, 川崎克己, 平林潤, 倉又朗人, 嘉数 誠
  
• 精密 X 線回折法による高品質 EFG β-Ga2O3単結晶の格子定数の決定;　2022/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2022年春季応用物理学会、相模原、26p-E202-13
  AUTHOR;　ムヒドゥル イスラム チャマン , スダーン セイリープ ,嘉数 誠
  
• 820 MW/cm2 0.42 A/mm 3326 V 選択ドーピダイヤモンドMOSFET;　2022/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2022年春季応用物理学会、相模原、22p-E302-9
  AUTHOR;　ニロイ チャンドラ サハ, 金 聖祐,　大石敏之, 嘉数 誠
  
• 875 MW/cm2 2568 V 0.68A/mm NO2 ドープダイヤモンドMOSFET;　2022/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2022年春季応用物理学会、相模原、22p-E302-10
  AUTHOR;　ニロイ チャンドラ サハ , 金 聖祐, 大石敏之 , 嘉数 誠
  
• Misorientation Angle of Heteroepitaxial Diamond on Sapphire Misoriented Substrate;　2022/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　15a-A408-8、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会、東京、2023年3月15日
  AUTHOR;　JACQUES DAGBETO, Koji Koyama, Seongwoo Kim, Makoto Kasu
  
• High Quality Heteroepitaxial Diamond by Using Step-Flow Growth;　2021/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　High Quality Heteroepitaxial Diamond by Using Step-Flow Growth
  AUTHOR;　Seong-Woo Kim, Ryota Takaya, and Makoto Kasu
  
• Diamond Field-Effect Transistors with Modulation Doping;　2021/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2021 Materials Research Society Fall Meeting, EQ19.12
  AUTHOR;　Makoto Kasu, Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, and Toshiyuki Oishi
  
• サファイア基板上大口径・高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンドの成長機構;　2021/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　日本結晶成長学会第50回結晶成長国内会議(JCCG-50)
  AUTHOR;　嘉数 誠、高谷亮太、 金 聖祐
  
• ステップフロー成長を用いたサファイア基板上大口径・高品質ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長;　2021/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　日本結晶成長学会第50回結晶成長国内会議(JCCG-50)
  AUTHOR;　金聖祐, 平野慎太郎, 高谷亮太, 嘉数誠
  
• 高感度エミッション顕微鏡およびシンクロトロンX線トポグラフィーによるHVPE(001)β型酸化ガリウムSBDのキラー欠陥の同定;　2021/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　日本結晶成長学会第50回結晶成長国内会議(JCCG-50)
  AUTHOR;　嘉数 誠，スダーン セイリープ，シャーマン イスラム，桝谷聡士，佐々木公平，川崎克己，平林 潤，倉又朗人
  
• 影が太陽光モジュールの発電量に与える影響のメカニズム;　2021/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2021年電気・情報関係学会九州支部第74回連合大会、オンライン、2021年9月24-25日
  AUTHOR;　高治 広行、 嘉数 誠、 吉岡 達也
  
• 緑色発光を用いたβ-Ga2O3結晶の微細構造評価;　2021/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2021年秋季応用物理学会、オンライン、21a-P01-2、2021年9月10-13日
  AUTHOR;　庄司 昂平, 中西 雅彦, 桝谷 聡士, 嘉数 誠, 山口 智広, 本田 徹, 佐々木 公平, 倉又 朗人, 尾沼 猛儀
  
• サファイア基板に大口径・高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンドが成長する機構;　2021/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2021年秋季応用物理学会、オンライン、13a-S301-2、2021年9月10-13日
  AUTHOR;　高谷亮太，眞崎 瞭, 金 聖祐, ニロイ チャンドラ サハ, 嘉数 誠
  
• ステップフロー成長を用いたヘテロエピタキシャルダイヤモンドの高品質化;　2021/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2021年秋季応用物理学会、オンライン、13a-S301-3、2021年9月10-13日。
  AUTHOR;　金 聖祐，高谷亮太, 嘉数 誠
  
• 高分解能X線回折法によるVB成長β型酸化ガリウムの結晶品質の評価;　2021/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2021年秋季応用物理学会、オンライン、13p-S201-10、2021年9月10-13日。
  AUTHOR;　チャマン　イスラム, 干川圭吾, 嘉数 誠
  
• イオン注入法のみでドーピングし作製したダイヤモンドショットキーバリアダイオード;　2021/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2021年秋季応用物理学会、オンライン、12p-S301-8、2021年9月10-13日。
  AUTHOR;　重松 誠弥，関 裕平，星野 靖，中田 穣治，大石 敏之，嘉数 誠
  
• 選択ドーピングしたダイヤモンド電界効果トランジスタ;　2021/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2021年秋季応用物理学会、オンライン、12p-N305-9、2021年9月10-13日
  AUTHOR;　嘉数 誠，ニロイ サハ チャンドラ, 金 聖祐，大石敏之
  
• 高感度エミッション顕微鏡によるHVPE (001)型酸化ガリウムSBDのリーク電流の起源の同定ープローブによる欠陥;　2021/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2021年秋季応用物理学会、オンライン、12p-N206-13、2021年9月10-13日。
  AUTHOR;　スダーン セイリープ, シャーマン イスラム, 桝谷聡士, 佐々木公平, 川崎克己, 平林潤, 倉又朗人, 嘉数 誠
  
• Modulation-doped diamond field-effect transistors fabricated by NO2 delta doping in an Al2O3 gate layer;　2021/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　31st International Conference on Diamond and Carbon Materials, Online, 6-9 September 2021
  AUTHOR;　M. Kasu, N.C. Saha, S.-W. Kim, and T. Oishi,
  
• Initial Growth Mechanism of High-Quality Diamond Heteroepitaxial Layers on Sapphire and MgO Substrates;　2021/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　31st International Conference on Diamond and Carbon Materials, Online, 6-9 September 2021.
  AUTHOR;　Makoto Kasu, Ryota Takaya, Ryo Masaki, Niloy Chandra Saha, Yuki Kawamata, Koji Koyama, and Seong-Woo Kim
  
• MgO基板上ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長機構;　2021/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　MgO基板上ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長機構
  AUTHOR;　真崎 瞭, 高谷亮太, 金 聖祐, 川又友喜, 小山浩司, ニロイ チャンドラ, 嘉数 誠
  
• サファイア基板上に成長した最高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンド;　2021/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　サファイア基板上に成長した最高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンド
  AUTHOR;　高谷亮太, 金 聖祐, 川又友喜, 小山浩司,　ニロイ サハ チャンドラ, 嘉数 誠
  
• 2608 V Operation of NO2-Doped p-channel Diamond MOSFETs;　2021/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2021年春季応用物理学会E 19p-Z25-14、オンライン、2021年3月16-19日
  AUTHOR;　Niloy Chandra Saha, Seong Woo Kim, Toshiyuki Oishi, Yuki Kawamata, Koji Koyama, Makoto Kasu
  
• Observation of Nitrogen species at Al2O3/NO2/H-diamond Interfaces Using Synchrotron X-ray Photoemission Spectroscopy;　2021/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2021年春季応用物理学会E 18a-Z13-7、オンライン、2021年3月16-19日
  AUTHOR;　Niloy Chandra Saha, Kazutoshi Takahashi, Masaki Imamura, Makoto Kasu
  
• 顕微ラマンマッピング測定による酸化ガリウム結晶の微細構造評価;　2021/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2021年春季応用物理学会19a-Z33-4、オンライン、2021年3月16-19日
  AUTHOR;　中西雅彦, 飯塚万友, 庄司昂平, 桝谷聡士, 嘉数 誠, 山口智広, 本田 徹, 佐々木公平, 倉又 朗人, 尾沼 猛儀
  
• Polycrystalline Defects Origin of Reverse Leakage Current in HVPE (001) β-Ga2O3 SBDs Identified by High Sensitive Emission Microscope;　2021/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2021年春季応用物理学会19a-Z33-7、オンライン、2021年3月16-19日
  AUTHOR;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, Makoto Kasu
  
• 高感度エミッション顕微鏡によるHVPE(001)beta型酸化ガリウムSBDのリーク電流の起源の同定―微粒子による積層欠陥;　2021/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2021年春季応用物理学会19a-Z33-7、オンライン、2021年3月16-19日
  AUTHOR;　嘉数 誠, スダーン セイリープ, 佐々木公平, 桝谷聡士, 川崎克己, 平林潤, 倉又朗人
  
• 高感度エミッション顕微鏡によるHVPE(001)beta型酸化ガリウムSBDのリーク電流の起源の同定―微粒子による積層欠陥;　2021/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2021年春季応用物理学会19a-Z33-8、オンライン、2021年3月16-19日
  AUTHOR;　嘉数 誠, スダーン セイリープ, 佐々木公平, 桝谷聡士, 川崎克己, 平林潤, 倉又朗人
  
• ラマン分光法によるGaN/ダイヤモンド接合界面の残留応力評価;　2021/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2021年春季応用物理学会19p-Z25-12、オンライン、2021年3月16-19日
  AUTHOR;　小林礼佳, 清水康雄, 大野 裕, 金 聖祐, 小山 浩司, 嘉数 誠, 重川直輝, 梁 剣波
  
• Ultrahigh-Sensitivity Emission Microscopy Study of β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes in Operation;　2020/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Ultrahigh-Sensitivity Emission Microscopy Study of β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes in Operation
  AUTHOR;　M. Kasu, S. Sayleap, H. Takaji, K. Sasaki, J. Arima, K. Kawasaki, J. Hirabayashi, A. Kuramata,
  
• High Current (0.7 A/mm) for Diamond MOSFETs with 1.4-µm gate and NO2 P-Type Doping on High Quality Heteroepitaxial Diamond Substrates;　2020/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　High Current (0.7 A/mm) for Diamond MOSFETs with 1.4-µm gate and NO2 P-Type Doping on High Quality Heteroepitaxial Diamond Substrates
  AUTHOR;　N. Chandra, T. Oishi, S.–W. Kim, Yuki Kawamata、Koji Koyama, and M. Kasu
  
• Initial Growth of High-Quality Diamond Heteroepitaxial Layer on Sapphire Substrate;　2020/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Initial Growth of High-Quality Diamond Heteroepitaxial Layer on Sapphire Substrate
  AUTHOR;　M. Kasu, R. Takaya, Yuki Kawamata, Koji Koyamand, and S. -W. Kim
  
• サファイア基板上にヘテロエピタキシャル成長したダイヤモンドの核形成の観察;　2020/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2020年秋季応用物理学会、8p-Z05-5、京都、2020年9月8-11日
  AUTHOR;　高谷亮太, 川又友喜, 小山浩司, 金 聖祐, 嘉数 誠
  
• 高品質VB成長β型酸化ガリウムバルク結晶のシンクロトロンX線トポグラフィー観察;　2020/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2020年秋季応用物理学会、9p-Z20-5、京都、2020年9月8-11日
  AUTHOR;　嘉数 誠, スダーン セイリープ, 小林拓実, 大葉悦子, 干川圭吾
  
• HVPE成長β型酸化ガリウムエピ層中の積層欠陥の観察;　2020/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2020年秋季応用物理学会、29p-Z20-6、京都、2020年9月8-11日
  AUTHOR;　嘉数 誠, スダーン セイリープ, 佐々木公平, 桝谷聡士, 川崎克己, 平林 潤, 倉又 朗人
  
• 超高感度エミッション顕微鏡によるEFG成長β型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの漏れ電流の起源の同定;　2020/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2020年秋季応用物理学会、9p-Z20-11、京都、2020年9月8-11日
  AUTHOR;　嘉数 誠, スダーン セイリープ, 佐々木公平, 大石敏之, 川崎克己, 平林 潤, 倉又 朗人
  
• 145-MW/cm2 NO2-Doped Diamond MOSFETs;　2020/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2020年秋季応用物理学会、11p-Z04-9,、京都、2020年9月8-11日
  AUTHOR;　Niloy Chandra Saha, Toshiyuki Oishi, Seongwoo Kim, Yuki Kawamata, Koji Koyama, Makoto Kasu
  
• 高感度エミッション顕微鏡による(001)型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの漏れ電流の観察;　2020/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日。
  AUTHOR;　スダーン セイリープ, 佐々木公平, 倉又朗人, 嘉数 誠
  
• NO2ドープダイヤモンドMOSFETの大電流（0.78 A / mm）、高電圧（618 V）動作;　2020/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日
  AUTHOR;　ニロイ チャンドラ サハ, 川又友喜, 小山浩司, 金 聖祐, 大石敏之, 嘉数 誠
  
• サファイア基板上ダイヤモンドヘテロエピタキシャルの成長機構;　2020/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日。
  AUTHOR;　高谷亮太，川又友喜，小山浩司，金 聖祐，嘉数 誠
  
• GaN/多結晶ダイヤモンド直接接合の作製及び特性評価;　2020/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日
  AUTHOR;　小林礼佳, 清水康雄, 大野 裕, 金 聖祐, 小山 浩司, 嘉数 誠, 重川直輝, 梁 剣波
  
• 高出力パワーデバイス応用に向けたGaN/Diamond直接接合の作製;　2019/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2019年秋季応用物理学会、札幌、2019年9月18-21日
  AUTHOR;　梁 剣波、清水康雄、大野 裕、白崎謙次、永井康介、嘉数 誠、金 聖祐、Kuball Martin、重川直輝
  
• GaAs/Diamond直接接合の界面評価;　2019/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2019年秋季応用物理学会、札幌、2019年9月18-21日
  AUTHOR;　中村祐志、清水康雄、大野 裕、詹 天卓、山下雄一郎、白崎謙次、永井康介、渡邊孝信、嘉数 誠、重川直輝、梁 剣波
  
• RF measurements and analysis for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds,;　2019/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　30th International Conference on Diamond and Related Materials (ICDCM2019), Seville, Spain, Sep. 7-12, 2019.
  AUTHOR;　M. Kasu, T. Kamogawa, N. C. Saha, T. Oishi, S. -W. Kim
  
• RF characteristics for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds;　2019/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　30th International Conference on Diamond and Related Materials (ICDCM2019), Seville, Spain, Sep. 7-12, 2019
  AUTHOR;　M. Kasu, Y. Ishimatsu, T. Kamogawa, N. C. Saha, T. Oishi, S. -W. Kim
  
• Relation between Emission Spots and Reverse Leakage Current in HVPE (001) β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes;　2019/08
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2019 International Workshop on Gallium Oxide and related materials, Columbus Ohio. August 12-15th 2019
  AUTHOR;　M. Kasu, K. Sasaki, K. Kawasaki, J. Hirabayashi, and A. Kuramata
  
• Synchrotron X-ray Topography Observation of Defects in Vertical-Bridgman-Grown β-Ga2O3 Single Crystal;　2019/08
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2019 International Workshop on Gallium Oxide and related materials, Columbus Ohio, August 12-15th 2019
  AUTHOR;　M. Kasu, S. Masuya, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Kobayashi, K. Hoshikawa, and O. Ueda
  
• Heterointerfacial electronic properties and energy band alignment of Al2O3/Air/H-diamond heterointerface using XPS/XANES measurements;　2019/05
  ANNOUNCEMENT INFO.;　the 13th New Diamond and Nano Carbons Conference. May 15-17, 2019, Hualien, Taiwan.
  AUTHOR;　Niloy Chandra Saha, Kazutoshi Takahashi, Masaki Imamura, Makoto Kasu
  
• RF characteristics for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds;　2019/05
  ANNOUNCEMENT INFO.;　the 13th New Diamond and Nano Carbons Conference. May 15-17, 2019, Hualien, Taiwan.
  AUTHOR;　M. Kasu, Y. Ishimatsu, T. Kamogawa, N. C. Saha, T. Oishi, S. -W. Kim
  
• NO2ドープダイヤモンドMOSFETの大電流（0.78 A / mm）、高電圧（618 V）動作;　2019/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日
  AUTHOR;　ニロイ チャンドラ サハ, 川又友喜, 小山浩司, 金 聖祐, 大石敏之, 嘉数 誠
  
• サファイア基板上ダイヤモンドヘテロエピタキシャルの成長機構;　2019/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日
  AUTHOR;　高谷亮太，川又友喜，小山浩司，金 聖祐，嘉数 誠
  
• 高感度エミッション顕微鏡による(001)型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの漏れ電流の観察;　2019/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日
  AUTHOR;　スダーン セイリープ, 佐々木公平, 倉又朗人, 嘉数 誠
  
• GaN/多結晶ダイヤモンド直接接合の作製及び特性評価;　2019/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日
  AUTHOR;　小林礼佳, 清水康雄, 大野 裕, 金 聖祐, 小山 浩司, 嘉数 誠, 重川直輝, 梁 剣波
  
• Energy band alignment of Al2O3/Air/H-diamond heterointerface determined by synchrotron x-ray photoelectron spectroscopy;　2019/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会、東京、3月9-12日
  AUTHOR;　Niloy Chandra Saha, K. Takahashi, M. Imamura, M. Kasu
  
• 有機薄膜太陽電池の準安定性に影響を与える温度の検討;　2019/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会、東京、3月9-12日
  AUTHOR;　佐藤梨都子、千葉恭男、近松真之、吉田郵司、嘉数 誠、當摩哲也、増田 淳
  
• 高出力デバイス応用に向けたGaAs/Diamond直接接合の作製;　2019/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会、東京、3月9-12日
  AUTHOR;　中村祐志、桝谷聡士、嘉数 誠、重川直輝、梁 剣波
  
• ヘテロエピタキシャルダイヤモンド上サブミクロンゲートMOSFETの高周波特性;　2019/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会、東京、3月9-12日
  AUTHOR;　石松裕真、大石敏之、鴨川拓弥、サハニロイチャンドラ、金 聖祐、嘉数 誠
  
• パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド/Cu直接接合の形成;　2019/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会、東京、3月9-12日
  AUTHOR;　梁 剣波、神田進司、桝谷聡士、嘉数 誠、重川直輝
  
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる垂直ブリッジマン成長β-Ga2O3単結晶の欠陥の観察;　2019/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会、東京、3月9-12日
  AUTHOR;　桝谷聡士、佐々木公平、倉又朗人、小林拓実、干川圭吾、上田 修、嘉数 誠
  
• HVPE (001) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのエミッションスポットと逆方向リーク電流の関係;　2019/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会、東京、3月9-12日
  AUTHOR;　嘉数 誠、片桐英鉄、佐々木公平、川崎克己、平林　潤、山腰茂伸、倉又朗人
  
• Energy band alignment of Al2O3/Air/H-diamond heterointerface determined by synchrotron x-ray photoelectron spectroscopy;　2019/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会
  AUTHOR;　Niloy Chandra Saha, K. Takahashi, M. Imamura, M. Kasu
  
• 有機薄膜太陽電池の準安定性に影響を与える温度の検討;　2019/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会
  AUTHOR;　佐藤梨都子、千葉恭男、近松真之、吉田郵司、嘉数 誠、當摩哲也、増田 淳
  
• 高出力デバイス応用に向けたGaAs/Diamond直接接合の作製;　2019/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会
  AUTHOR;　中村祐志、桝谷聡士、嘉数 誠、重川直輝、梁 剣波
  
• ヘテロエピタキシャルダイヤモンド上サブミクロンゲートMOSFETの高周波特性;　2019/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会
  AUTHOR;　石松裕真、大石敏之、鴨川拓弥、サハニロイチャンドラ、金 聖祐、嘉数 誠
  
• パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド/Cu直接接合の形成;　2019/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会
  AUTHOR;　梁 剣波、神田進司、桝谷聡士、嘉数 誠、重川直輝
  
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる垂直ブリッジマン成長β-Ga2O3単結晶の欠陥の観察;　2019/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会
  AUTHOR;　桝谷聡士、佐々木公平、倉又朗人、小林拓実、干川圭吾、上田 修、嘉数 誠
  
• HVPE (001) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのエミッションスポットと逆方向リーク電流の関係;　2019/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会
  AUTHOR;　嘉数 誠、片桐英鉄、佐々木公平、川崎克己、平林　潤、山腰茂伸、倉又朗人
  
• Crystal defects which relate with leakage current of HVPE (001) b-Ga2O3 Schottky barrier diodes;　2018/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Materials Research Society 2018 Fall Meeting
  AUTHOR;　M. Kasu, E. Katagiri, S. Fujita, K. Sasaki, K. Kawasaki, J. Hirabayashi, A. Kuramata, T. Oishi
  
• The Interface properties of Al2O3/NO2/H-diamond in MOSFET structure studied by capacitance and conductance and synchrotron XPS/XANES measurements;　2018/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Materials Research Society 2018 Fall Meeting
  AUTHOR;　N. C. Saha, K. Takahashi, S. Masuya, M. Imamura, M. Kasu
  
• シンクロトロンX線トポグラフィーによるCVDダイヤモンドホモエピ膜の欠陥の観察;　2018/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2018年応⽤物理学会秋季学術講演会
  AUTHOR;　桝谷聡士、嘉数 誠
  
• ヘテロエピタキシャルダイヤモンド基板の化学機械平坦化(CMP)処理による電気特性の評価;　2018/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2018年応⽤物理学会秋季学術講演会
  AUTHOR;　木村 豊、金 聖祐、桝谷聡士、大山幸希、池尻憲次朗、嘉数 誠
  
• Siと接合したダイヤモンド基板上のFETの作製;　2018/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2018年応⽤物理学会秋季学術講演会
  AUTHOR;　梁 剣波、桝谷聡士、藤居大樹、金 聖祐、嘉数 誠、重川直輝
  
• DCストレス後のダイヤモンドMOS FET特性のデバイスシミュレーションによる解析;　2018/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2018年応⽤物理学会秋季学術講演会
  AUTHOR;　大石敏之、鴨川拓弥、嘉数 誠
  
• HVPE (001) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのエミッションスポットの観察;　2018/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2018年応⽤物理学会秋季学術講演会
  AUTHOR;　片桐英鉄、佐々木公平、川崎克己、平林潤、倉又朗人、嘉数 誠
  
• Diamond field-effect transistors fabricated on high-quality heteroepitaxial diamond wafers treated by chemical mechanical polishing technology;　2018/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Int. Conf. Diamond and Carbon Materials (ICDCM)
  AUTHOR;　M. Kasu, D. Fujii, S. Masuya, T. Oishi, S. –W. Kim
  
• Energy band alignment of Al2O3/NO/H-diamond and Al2O3/SO2/H-diamond heterointerfaces determined by synchrotron XPS/UPS/XANES measurements;　2018/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Int. Conf. Diamond and Carbon Materials (ICDCM) 2019
  AUTHOR;　N. C. Saha, K. Takahashi, M. Imamura, M. Kasu
  
• Improvement of performance of NO2-doped H-diamond FET by using Au gate metal;　2018/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Int. Conf. Diamond and Carbon Materials (ICDCM) 2018
  AUTHOR;　N. C. Saha, M. Kasu
  
• ダイヤモンド基板のCMP処理によるエピタキシャル膜の高品質化;　2018/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• シンクロトロンX線セクショントポグラフィーによる低転位密度の高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の観察;　2018/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• シンクロトロンX線光電子分光法によるAl2O3/NO/Hダイヤモンドヘテロ界面のエネルギーバンドアライメントの測定;　2018/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• マイクロニードル技術を用いた高品質ヘテロエピタキシャル膜上に作製したダイヤモンドFET;　2018/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• Al2O3/NO2ホールドープダイヤモンドMOS構造のC-V測定におけるゲート金属の影響;　2018/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• 高い電圧変換比を持つダイヤモンドショットキーバリアダイオードRF-DC変換回路;　2018/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• バックコンタクト型太陽電池，PERC型太陽電池，シリコンヘテロ接合型太陽電池モジュールの温度特性測定;　2018/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• HVPEによるα-Ga2O3のGeドーピング;　2018/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• HVPEによるα-Ga2O3の選択横方向成長;　2018/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• The combination of Diamond devices with Si LSI by surface activated bonding;　2018/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Int. Conf. Diamond and Carbon Materials (ICDCM) 2018
  AUTHOR;　Jianbo Liang, Satoshi Masuya, Makoto Kasu, and Naoteru Shigekawa
  
• Interpolation Method for Missing Data of Measurement in Mega Solar Power Plant Using Wavelet Transforms;　2017/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC2017)
  AUTHOR;　S. Hara, M. Kasu
  
• Subsecond interval measurements of outdoor operated mega solar power plant;　2017/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC2017)
  AUTHOR;　Shigeomi Hara, Makoto Kasu
  
• Interface Properties of Diamond MOS Diodes Studied by Capacitance-Voltage and Conductance Methods - NO2 Hole Doping Effect –;　2017/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017)
  AUTHOR;　N. C. Saha, M. Kasu
  
• Si 基板と接合した単結晶ダイヤモンドの残留応力評価;　2017/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレスによる劣化メカニズムの検討;　2017/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• 2017/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• シンクロトロンX線トポグラフィーによるEFG成長β-Ga2O3単結晶中の欠陥の観察;　2017/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• 低暗電流酸化ガリウムMIS光検出素子;　2017/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• en-Millisecond Interval Measurements of Generated Power, Irradiance and Weather at Mega Solar Power Plant;　2017/06
  ANNOUNCEMENT INFO.;　International 2017 IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC-44)
  AUTHOR;　M. Kasu, S. Hara
  
• High-Speed Measurements of Generated Power and its Relationship to Weather Observations at Yoshinogari Mega Solar Power Plant;　2017/06
  ANNOUNCEMENT INFO.;　International 2017 IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC-44)
  AUTHOR;　M. Kasu, S. Hara, and T. Uematsu
  
• Dependence of String Power on its Height in the Array in Yoshinogari Mega Solar Power Plant;　2017/06
  ANNOUNCEMENT INFO.;　International 2017 IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC-44)
  AUTHOR;　S. Hara, M. Kasu, and Y. Masutomi,
  
• Temperature Dependence and Performance Analysis of Photovoltaic Modules;　2017/06
  ANNOUNCEMENT INFO.;　27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC2017)
  AUTHOR;　J. Abdu, S. Hara, S. Choi, Y. Chiba, A. Masuda, M. Kasu
  
• 吉野ヶ里メガソーラーにおける高速測定システムの構築;　2017/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会春季講演会、2017年3月14～17日、横浜
  AUTHOR;　嘉数　誠，原　重臣，植松卓巳
  
• ダブルNO2ホールドーピングした水素終端ダイヤモンドMOS FETの連続動作;　2017/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会春季講演会、2017年3月14～17日、横浜
  AUTHOR;　舟木　浩祐，石松　裕真，桝谷　聡士，大島　孝仁，嘉数 誠, 大石 敏之
  
• ダイヤモンド素子を用いた高耐圧レクテナ回路の作製;　2017/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会春季講演会、2017年3月14～17日、横浜
  AUTHOR;　河野 直士, 深見 成, 桝谷 聡士，嘉数 誠，大石 敏之
  
• (2 ̅01) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係;　2017/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会春季講演会、2017年3月14～17日、横浜
  AUTHOR;　森林朋也，橋口明広，大島孝仁，花田賢志，大石敏之，輿 公祥，佐々木公平，倉又朗人，上田 修，嘉数 誠
  
• (001) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係;　2017/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会春季講演会、2017年3月14～17日、横浜
  AUTHOR;　橋口 明広，森林 朋也，大島 孝仁，大石 敏之，輿 公祥，佐々木 公平， 倉又 朗人，上田 修，嘉数 誠
  
• 高温アニールによるダイヤモンド単結晶の積層欠陥の消滅;　2016/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会秋季講演会、2016年9月13～16日、新潟
  AUTHOR;　桝谷 聡士、森林 朋也、角谷 均、嘉数 誠
  
• イヤモンドデバイスを用いた無線電力伝送用レクテナの理論的検討;　2016/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会秋季講演会、2016年9月13～16日、新潟
  AUTHOR;　大石 敏之、河野 直士、嘉数 誠
  
• 酸化ガリウムダイオードを用いたレクテナ回路動作;　2016/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会秋季講演会、2016年9月13～16日、新潟
  AUTHOR;　河野 直士、大島 孝仁、嘉数 誠、大石 敏之
  
• β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係;　2016/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会秋季講演会、2016年9月13～16日、新潟
  AUTHOR;　橋口 明広、森林 朋也、花田 賢志、大島 孝仁、大石 敏之、輿 公祥、佐々木 公平、倉又 朗人、上田 修、嘉数 誠
  
• β-Ga2O3 (010)単結晶のエッチピットの構造;　2016/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会秋季講演会、2016年9月13～16日、新潟
  AUTHOR;　森林 朋也、花田 賢志、輿 公祥、佐々木 公平、倉又 朗人、上田 修、嘉数 誠
  
• abrication of Diamond Rectenna Devices for RF Power Transmission;　2016/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　27th International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016, Sep 4-8, Monpelie
  AUTHOR;　M. Kasu, T. Oisi, N. Kawano, A. Miyachi, and S. Kawasaki
  
• Disappearance of stacking faults in single crystal diamond by thermal annealing;　2016/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　27th International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016, Sep 4-8, Monpelie
  AUTHOR;　S. Masuya, T. Moribayashi , K. Hanada, H. Sumiya , M. Kasu
  
• Real –Time Measurement of Hole Doping by NO2 and SO2 Molecular Adsorption on H-Terminated Diamond Surfaces;　2016/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　27th International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016, Sep 4-8, Monpelie
  AUTHOR;　Kenji Hanada, Makoto Kasu
  
• Fabrication of diamond field-effect transistors with double NO2 hole doping and low-temperature-deposited Al2O3 gate insulator layer;　2016/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　27th International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016, Sep 4-8, Monpelie
  AUTHOR;　M. Kasu, K. Hanada, K. Funaki, S. Masuya, T. Oshima, and T. Oishi
  
• Determination of stacking faults in an (111) high pressure/high temperature (HP/HT) diamond single crystals with extremely low defect density via synchrotron X-ray topography;　2016/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　27th International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016, Sep 4-8, Monpelie
  AUTHOR;　S. Masuya , T. Moribayashi , K. Hanada , H. Sumiya, M. Kasu
  
• Synchrotron X-ray topography observation of stacking faults in HPHT diamond single crystal;　2016/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2016 / IC-PLANTS2016) March 6-10, 2016 Nagoya
  AUTHOR;　S. Masuya, K. Hanada, T. Uematsu, T. Moribayashi, M. Kasu, H. Sumiya
  
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる低欠陥密度高温高圧合成(110)ダイヤモンド単結晶の積層欠陥の部分転位観察;　2016/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京
  AUTHOR;　桝谷聡士、森林朋也、花田賢志、角谷 均、嘉数 誠
  
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる低欠陥密度高温高圧合成ダイヤモンド(111)単結晶の積層欠陥観察;　2016/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京
  AUTHOR;　桝谷聡士、森林朋也 、花田賢志、角谷 均、嘉数 誠
  
• ダブルNO2ホールドーピングを用いたダイヤモンド電界効果トランジスタの作製;　2016/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京
  AUTHOR;　嘉数 誠、原田 和也、古賀 優太、花田 賢志、大石 敏之
  
• -Ga2O3ショットキーバリアダイオード素子特性の分布;　2016/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京
  AUTHOR;　嘉数 誠、原田 和也、花田 賢志、大石 敏之
  
• 高濃度Snドープ-Ga2O3(-20 1)単結晶の温度特性の検討;　2016/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京
  AUTHOR;　大石 敏之、嘉数 誠
  
• 高効率無線電力伝送を目指したダイヤモンド・レクテナデバイスの提案;　2016/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京
  AUTHOR;　大石 敏之，河野 直士，嘉数 誠
  
• β-Ga2O3(010)単結晶のエッチピットの観察;　2016/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京
  AUTHOR;　花田賢志，森林朋也，輿　公祥，佐々木公平，倉又朗人，上田　修，嘉数　誠
  
• β-Ga2O3成長結晶の(010)における溝型欠陥の観察;　2016/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京
  AUTHOR;　花田賢志，森林朋也，輿　公祥，佐々木公平，倉又朗人，上田　修，嘉数　誠
  
• ダイヤモンド表面のSO2ホールドーピングの実時間測定;　2016/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京
  AUTHOR;　花田 賢志，嘉数 誠
  
• ダイヤモンド素子を用いたレクテナ回路の作製;　2016/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京
  AUTHOR;　河野 直士, 大石 敏之, 嘉数 誠
  
• Fabrication of Diamond Field-Effect Transistors with Various NO2 Hole-Doping Conditions and Al2O3 Gate Insulator Layers;　2016/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Materials Research Meeting (MRS) Spring Meeting, Phoenix, USA, Mar 28-Apr.1, 2016.
  AUTHOR;　Makoto Kasu, Kenji Hanada, Kazuya Harada, Yuta Koga, Kosuke Funaki, and Toshiyuki Oisi,
  
• Study on Dislocations and Stacking faults and in High-Pressure High-Temperature Synthesized Type-IIa Diamond Single Crystals by Synchrotron X-ray Topography Observations;　2016/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Materials Research Meeting (MRS) Spring Meeting, Phoenix, USA, Mar 28-Apr.1, 2016.
  AUTHOR;　Makoto Kasu, Satoshi Masuya, Kenji Hanada, Tomoya Moribayashi, Hitoshi Sumiya
  
• Observation of Crystalline Pits in β-Ga2O3 As-Grown Single Crystals;　2016/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Materials Research Meeting (MRS) Spring Meeting, Phoenix, USA, Mar 28-Apr.1, 2016.
  AUTHOR;　Makoto Kasu, Kenji Hanada, Tomoya Moribayashi, Takumi Uematsu, Satoshi Masuya, Kimiyoshi Koshi, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, and Osamu Ueda
  
• ダイヤモンド単結晶とSi単結晶基板の常温接合;　2016
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会秋季講演会、2016年9月13～16日、新潟
  AUTHOR;　梁 剣波、桝谷 聡士、嘉数 誠、重川 直輝
  
• β-Ga2O3用ITOオーミック電極;　2016
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会秋季講演会、2016年9月13～16日、新潟
  AUTHOR;　大島 孝仁、若林 諒、服部 真依、橋口 明広、河野 直人、佐々木 公平、増井 建和、倉又 朗人、山腰 茂伸、吉松 公平、大友 明、大石 敏之、嘉数 誠
  
• NO2 分子吸着中における水素終端ダイヤモンド表面のホール濃度の測定;　2015/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　表面科学会学術講演会、2015年12月1～3日、つくば
  AUTHOR;　花田賢志, 嘉数誠
  
• b-Ga2O3ワイドギャップ半導体単結晶のエッチピットの構造;　2015/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会九州支部大会、2015年12月5～6日、那覇
  AUTHOR;　森林朋也、植松卓巳、桝谷聡士、花田賢志、輿公祥、佐々木公平、倉又朗人、嘉数　誠
  
• Etch-Pit Observation of EFG-grown -Ga2O3 Single Crystals;　2015/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　International Workshop on Gallium Oxide (IWGO), Nov.3~6, 2015, Kyoto
  AUTHOR;　M. Kasu, T. Uematsu, S. Masuya, T. Moribayashi, K. Hanada,　K. Koshi, K. Sasaki, and A. Kuramata
  
• Fabrication of Schottky Barrier Diodes of EFG-grown Sn-doped b-Ga2O3 (-201) Single-Crystals;　2015/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　International Workshop on Gallium Oxide (IWGO), Nov.3~6, 2015, Kyoto
  AUTHOR;　Y. Koga, K. Harada, K. Hanada, T. Oishi, and M. Kasu
  
• Estimation Method of Solar Cell Temperature Using Meteorological Data in Mega Solar Power Plant,;　2015/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　25th International Photovoltatic Science and Engineering Conference (PVSEC-25), Nov. 16-20, Busan
  AUTHOR;　S. Hara, H. Tanaka, M. Kasu, N. Matsui
  
• Estimation Method of Characteristic Parameters of Strings in Mega Solar Power Plant;　2015/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　25th International Photovoltatic Science and Engineering Conference (PVSEC-25), Nov. 16-20, Busan
  AUTHOR;　Shigeomi Hara, Makoto Kasu, Noriaki Matsui,
  
• シンクロトロンX線トポグラフィー透過法によるHPHT単結晶ダイヤモンドの 転位の観察;　2015/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　第29回ダイヤモンドシンポジウム、2015年11月19日～21日
  AUTHOR;　桝谷聡士、村上竜一、角谷均、嘉数　誠
  
• 高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の積層欠陥の放射光Ｘ線トポグラフィ観察;　2015/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　ダイヤモンドシンポジウム、2015年11月17＝19日、東京
  AUTHOR;　桝谷聡士、花田賢志、植松卓巳、森林朋也、角谷 均、嘉数 誠
  
• EFG成長β- Ga2O3単結晶のエッチピットの観察;　2015/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　結晶成長学会国内会議2015年10月~21日、札幌
  AUTHOR;　花田賢志，森林朋也，植松卓巳，桝谷聡士，嘉数誠，輿公祥，佐々木公平，倉又朗人
  
• シンクロトロンX線トポグラフィによる高温高圧合成ダイヤモンド(110)単結晶の積層欠陥の評価;　2015/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　桝谷聡士、花田賢志、植松卓巳、森林朋也、嘉数誠、角谷均
  
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる高品質高温高圧合成ダイヤモンド 単結晶の転位の種類の同定;　2015/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　結晶成長学会国内会議、札幌、2015年10月19日～21日
  AUTHOR;　嘉数　誠，村上竜一、桝谷聡士、原田和也、角谷　均
  
• b-Ga2O3(01 ̅0)単結晶のエッチピット観察;　2015/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会秋季学術講演会2015年9月13日～16日、名古屋
  AUTHOR;　植松卓巳、桝谷聡士、森林朋也、花田賢志、輿公祥、飯塚和幸、倉又郎人、嘉数　誠
  
• シンクロトロンX線トポグラフィによる高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の積層欠陥の観察;　2015/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会秋季学術講演会2015年9月13日～16日、名古屋
  AUTHOR;　植松卓巳、桝谷聡士、花田賢志、角谷　均、嘉数　誠
  
• Snドープb-Ga2O3(-2 0 1)単結晶のショットキーバリアダイオードの作製;　2015/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会秋季学術講演会2015年9月13日～16日、名古屋
  AUTHOR;　古賀 優太、原田 和也、花田 賢志、大石 敏之、嘉数 誠
  
• NO2分子によるホールドーピングを用いた水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタの作製;　2015/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　応用物理学会秋季学術講演会2015年9月13日～16日、名古屋
  AUTHOR;　古賀 優太、原田 和也、花田 賢志、大石 敏之、嘉数 誠
  
• NO2 吸着ダイヤモンドFET のデバイスモデルの提案;　2015/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　電子情報通信学会ソサエティー大会2015年9月8日（火）～11日（金）, 仙台
  AUTHOR;　大石 敏之、 岸川 拓也、 吉川 大地、 古賀 優太、 嘉数 誠
  
• Synchrotron X-ray Topography Observation of (110) HPHT type-IIa Diamond Single Crystals;　2015/05
  ANNOUNCEMENT INFO.;　International Conference on New Diamond and Nano Carbon (NDNC),　May 24～28, 2015, Shizuoka
  AUTHOR;　M.Kasu, R.Murakami, S.Masuya, T.Uematsu, and H.Sumiya
  
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる(110)高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の観察;　2015/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• メガソーラー測定データを用いた太陽電池セル温度の推定;　2015/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• 太陽電池モジュールの半導体素子としての電気的特性解析;　2015/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• 高移動度-Ga2O3単結晶(-201 )を用いたショットキーバリアダイオードの作製;　2015/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• 高圧高温合成ダイヤモンド単結晶のX線トポグラフィー観察による転位の同定;　2014/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• Ni/Auを用いた����–Ga2O3のショットキーバリアダイオードの作製;　2014/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• ソーラーパネルのホットスポット観察と電流電圧特性;　2014/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• Diamond MOS Interface Properties Studied by XPS/UPS/XANES and C-V Measurements;　2014/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　The 7th International Symposium on Surface Science, Matsue, November 2 - 6, 2014
  AUTHOR;　M. Kasu, K. Hirama, K. Harada, M. Imamura, K. Takahashi, K. Shiraishi
  
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる高品質高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の転位の種類の同定;　2014/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• Device Operation Analysis of Diamond MOSFET Obtained by Capacitance–Voltage Characteristics;　2014/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　International Conference on Diamond and Related Carbons 2014 (ICDCM2014), Madrid, September 7 - 11, 2014
  AUTHOR;　K. Harada, K. Hirama, T. Oishi, M. Kasu
  
• Dislocation Identification of HPHT Diamond Single Crystal Using Synchrotron Light • X-ray Topography Observation;　2014/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　International Conference on Diamond and Related Carbons 2014 (ICDCM2014), Madrid, September 7 - 11, 2014
  AUTHOR;　M. Kasu, R. Murakami, S. Masuya, A. Matsunaga, K. Harada, and H. Sumiya
  
• Synchrotron X-ray Topography Observation of CVD Diamond Single Crystal;　2014/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　International Conference on Diamond and Related Carbons 2014 (ICDCM2014), Madrid, September 7 - 11, 2014
  AUTHOR;　S. Masuya, R. Murakami, K. Harada, H. Sumiya , M. Kasu
  
• シンクロトロン光・単色X線トポグラフィーによる高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の反りの高精度測定;　2014/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2014年秋季応用物理学会学術講演会、札幌、2014年9月17-20日
  AUTHOR;　
  
• (-201)及びB 面β-Ga2O3 単結晶のシンクロトロン単色X 線トポグラフィー観察;　2014/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2014年秋季応用物理学会学術講演会、札幌、2014年9月17-20日
  AUTHOR;　
  
• ダイヤモンドMOSFETのゲート容量の周波数依存性;　2014/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• β-Ga2O3単結晶のシンクロトロンX線トポグラフィー観察;　2014/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• ダイヤモンドMOSFETの容量電圧特性の測定と解析;　2014/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• β-Ga2O3単結晶のホール電子濃度と移動度の測定と解析;　2014/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• β-Ga2O3単結晶のシンクロトロンX線トポグラフィー観察;　2014/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• CVD成長ダイヤモンド単結晶のシンクロトロン光・X線トポグラフィー観察;　2014/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• NO2曝露・水素終端ダイヤモンド／Al2O3ヘテロ界面のバンド不連続の放射光XPS/UPS/XANES測定;　2014/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• シンクロトロン光・X線トポグラフィー観察を用いた高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の転位の同定;　2014/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• 高移動度b-Ga2O3単結晶(-201 )を用いたショットキーバリアダイオードの作製;　2014
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• NO2吸着・水素終端ダイヤモンド／ALD成長Al2O3界面の放射光XPS/UPSによる電子状態評価;　2013/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• β-Ga2O3のホール効果測定による電子濃度と移動度の解析;　2013/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• 高圧高温合成ダイヤモンド単結晶のシンクロトロン光を用いたX線トポグラフィー観察;　2013/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• CVD成長ダイヤモンド単結晶のX線トポグラフィー観察;　2013/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• SiC-MOSFETのスイッチング特性解析―SiCパワーMOSFETとの比較―;　2013/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• マイクロ波プラズマCVD成長ダイヤモンドを用いたパワー高周波FET;　2013/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• ダイヤモンド単結晶のX線トポグラフィ評価、マイクロ波プラズマCVD成長と高圧高温合成の比較;　2013/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• パワー半導体ダイヤモンド単結晶の放射光X線トポグラフィ観察;　2013/07
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• 高温高圧合成ダイヤモンド単結晶のシンクロトロン光を用いたX線トポグラフィー観察;　2013/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• β-Ga2O3単結晶のシンクロトロン光を用いたX線トポグラフィー評価;　2012/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• Thermal Stabilization of H-Terminated Diamond Surface by Using Al2O3 Overlayer and its Stable and Improved Field-Effect Transistors;　2012/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2012 International Conference on Diamond and Related Carbon Materials
  AUTHOR;　M. Kasu, K. Hirama, H. Sato, and Y. Harada
  
• Critical hole concentration for H-terminated diamond surfaces with various surface orientations obtained by high-concentrated NO2 exposure;　2012/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　Hisashi Sato and Makoto Kasu
  
• 高濃度NO2ガスを用いた様々な面方位をもつ水素終端ダイヤモンド表面へのホールドーピング;　2012/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• NO2吸着とAl2O3パッシベーションにより熱的安定化した水素終端ダイヤモンドFETのドレイン電流の増大;　2012/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• 水素終端ダイヤモンド表面の正孔生成機構：吸着分子の特定と第一原理計算結果;　2012/06
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• Inorganic Molecular Hole Doping on H-terminated Diamond Surface; Critical Hole Concentration for Various Orientations and the First-Principle Calculations;　2012/05
  ANNOUNCEMENT INFO.;　New Diamond and Nano Carbons Conference 2012
  AUTHOR;　M. Kasu, H. Sato, Y. Takagi, K. Shiraishi
  
• Al2O3パッシベーションにより熱的安定化した水素終端ダイヤモンドFET;　2012/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• NO2吸着水素終端ダイヤモンド表面の熱的安定化と高温域の電気的特性;　2012/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• 単結晶ダイヤモンドにおエピタキシャル成長したAlGaN/GaN　HEMTの高周波高出力動作;　2011/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• 高濃度NO2吸着による水素終端ダイヤモンドの正孔濃度の増加とFET特性の改善;　2011/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• Critical Hole Concentration of H-terminated Diamond and Hole Generation Model during NO2 and O3 adsorption;　2011/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　Hisashi Sato, Makoto Kasu, Kazuyuki Hirama,
  

Other Lectures

• Continuous operation (14 h) and stress tests for H-diamond field-effect transistors;　2017/05
  ANNOUNCEMENT INFO.;　11th Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2017)
  AUTHOR;　M. Kasu, K. Funaki, Y. Ishimatsu, S. Masuya, T. Oshima, and T. Oishi
  
• 2017/05
  ANNOUNCEMENT INFO.;　11th Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2017)
  AUTHOR;　S. Masuya, M. Kasu
  
• 究極のパワー半導体ダイヤモンド;　2012/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  

Invited Lecture, Special Lecture

• ダイヤモンド半導体－Beyond5G, EV, 宇宙応用を目指した次世代パワー半導体－;　2023/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　嘉数　誠
  
• Present status of Diamond Semiconductors;　2023/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　次世代グリーンパワー技術における最先端研究
  AUTHOR;　Makoto Kasu
  
• 未来型ダイヤモンド半導体の実用化に向けて―佐大から宇宙へ―;　2023/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　TSUNAGIシンポジウム（招待）、佐賀、2023年3月18日
  AUTHOR;　嘉数　誠
  
• ダイヤモンド半導体－Beyond5G, EV, 宇宙応用を目指した次世代パワー半導体－;　2023/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　日本学術会議（招待）、佐賀、2023年3月14日
  AUTHOR;　嘉数　誠
  
• パワー半導体に向けたダイヤモンドFETとインチ径ダイヤウェハの最近の進展;　2023/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　電子通信情報学会総合大会（招待）CI-4-4、さいたま、2023年3月9日
  AUTHOR;　嘉数　誠
  
• ダイヤモンド半導体デバイスの作製技術と高性能化;　2023/01
  ANNOUNCEMENT INFO.;　技術情報協会（招待）、東京、2023年1月16日
  AUTHOR;　嘉数　誠
  
• Recent progress of NO2 p-type doped diamond MOSFET and heteroepitaxial diamond wafer technologies;　2022/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2022 (APWS2022), Taoyuan, Taiwan, November 13-18, 2022
  AUTHOR;　Makoto Kasu, Seong-Woo Kim
  
• Defects responsible for leakage current in β-Ga2O3 Schottky barrier diodes observed by ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography;　2022/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2022 (APWS2022), Taoyuan, Taiwan, November 13-18, 2022
  AUTHOR;　Makoto Kasu, Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, and Akito Kuramata
  
• Diamond Semiconductor; Inch‐Wafer Growth and Power FET Technologies;　2022/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　The 54th International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2022) Short Course (Invited), Makuhari, Sep 26, 2022
  AUTHOR;　Makoto Kasu
  
• ダイヤモンドパワー半導体デバイス;　2022/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　菱実会　(招待)
  AUTHOR;　嘉数　誠
  
• ダイヤモンドパワー半導体デバイスの作製とデバイス応用に向けた課;　2022/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　技術情報協会　(招待) 2022年9月15日
  AUTHOR;　嘉数　誠
  
• Two-inch diamond wafer with high FOM for use in MOSFET;　2022/08
  ANNOUNCEMENT INFO.;　14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2022), (Invited) Aug 29- Sep 1, 2022
  AUTHOR;　Makoto Kasu, Seoeng-Woo Kim
  
• 究極のパワー半導体『ダイヤモンド』;　2022/08
  ANNOUNCEMENT INFO.;　佐賀県高校科学部研修会（招待）、佐賀
  AUTHOR;　嘉数　誠
  
• 2インチ径ダイヤモンドCVD成長の機構と課題;　2022/07
  ANNOUNCEMENT INFO.;　化学工学会CVD反応分科会
  AUTHOR;　嘉数　誠
  
• 2インチ径ダイヤモンドCVD成長の機構と課題;　2022/06
  ANNOUNCEMENT INFO.;　CVDシンポジウム（招待）、佐賀、2022年6月24日
  AUTHOR;　嘉数　誠
  
• 究極の半導体 ダイヤモンドの大口径ウェハとパワーデバイスの最近の進展;　2022/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　令和3年度ナノ・マイクロ技術支援講座（ナノ茶論）
  AUTHOR;　嘉数　誠
  
• ステップフローを用いたダイヤモンド2インチ径ヘテロウェハ成長と選択ドーピングしたダイヤモンドFETの開発;　2022/01
  ANNOUNCEMENT INFO.;　独立行政法人　日本学術振興会　第R032委員会　第5回研究会
  AUTHOR;　嘉数 誠、金 聖祐
  
• ダイヤモンド半導体デバイスの最近の進展2インチ径ヘテロエピウェハ成長と選択ドープパワーデバイスの作製;　2021/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　ダイヤモンド半導体デバイスの最近の進展2インチ径ヘテロエピウェハ成長と選択ドープパワーデバイスの作製
  AUTHOR;　嘉数　誠、金　聖祐
  
• HVPE成長-Ga2O3 SBDのキラー欠陥のエミッション顕微鏡とシンクロトロン X 線トポグラフィーによる観察;　2021/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第 145 委員会 第 173 回研究会
  AUTHOR;　嘉数　誠
  
• ダイヤモンド半導体の最近の進展大口径ヘテロエピタキシャル成長とパワー半導体デバイスの開発;　2021/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　「2021 Nano Scientific Symposium Japan」 「ナノ科学シンポジウム 2021」
  AUTHOR;　嘉数　誠、金　聖祐
  
• マイクロ波帯ハイパワーアンプ応用を目指したダイヤモンドトランジスタの研究;　2021/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2021 Microwave Workshops & Exhibition (MWE 2021)
  AUTHOR;　嘉数　誠、金　聖祐
  
• ダイヤモンドウェハおよびトランジスタ技術の最近の進展;　2021/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2021 Microwave Workshops & Exhibition (MWE 2021)
  AUTHOR;　嘉数　誠、金　聖祐
  
• 嘉数　誠、金　聖祐;　2021/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　日本機械学会熱工学コンファレンス 2021
  AUTHOR;　嘉数　誠、金　聖祐
  
• ダイヤモンド大口径ウェハおよびパワートランジスターの最近の進展;　2021/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　耐放射線デバイス研究会
  AUTHOR;　嘉数　誠、金　聖祐
  
• ダイヤモンドパワーFETと大口径ウエファーの最近の進展;　2021/01
  ANNOUNCEMENT INFO.;　ダイヤモンドパワーFETと大口径ウエファーの最近の進展
  AUTHOR;　嘉数 誠
  
• 放射光X線トポグラフィーによる次世代パワー半導体酸化ガリウムの欠陥の観察;　2020/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　放射光X線トポグラフィーによる次世代パワー半導体酸化ガリウムの欠陥の観察
  AUTHOR;　嘉数 誠
  
• Diamond Semiconductor Technologies towards RF Power Applications;　2019/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　4th International Carbon Materials Conference and Exhibition, Shanghai, Nov. 26-29, 2019.
  AUTHOR;　Makoto Kasu
  
• β-Ga2O3単結晶中の欠陥と電気的特性の相関;　2019/05
  ANNOUNCEMENT INFO.;　日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス 第162委員会、第113回究会、大阪、2019年5月10日
  AUTHOR;　嘉数 誠
  
• β-Ga2O3結晶中の欠陥と電気的特性との関係;　2019/05
  ANNOUNCEMENT INFO.;　日本学術振興会162委員会第113回研究会
  AUTHOR;　嘉数　誠
  
• β-Ga2O3結晶中の欠陥とデバイス特性との関係;　2019/04
  ANNOUNCEMENT INFO.;　信州大学グリーンマテリアル研究所シンポジウム
  AUTHOR;　嘉数　誠
  
• エレクトロニクス材料としてのダイヤモンド：エネルギー問題の解決を目指して;　2018/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　大阪市立大学セミナー
  AUTHOR;　
  
• Recent progress of diamond field-effect transistor technologies;　2018/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　Makoto Kasu
  
• Diamond field-effect transistors for RF power applications;　2018/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　4th E-MRS & MRS-J BILATERAL SYMPOSIUM, Advanced Oxides and Wide Bandgap Semiconductors
  AUTHOR;　Makoto Kasu
  
• β-Ga2O3結晶中の欠陥と電気的特性との関係;　2018/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　日本学術振興会145委員会第160回研究会、2018年10月19日、東京
  AUTHOR;　嘉数　誠
  
• Recent Progress of Diamond Devices for RF Applications;　2016/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2016 IEEE Compound Semiconductor IC Symposium
  AUTHOR;　Makoto Kasu, Toshiyuki Oishi
  
• Diamond Devices for RF Applications;　2016/08
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2016 URSI Asia-Pacific Radio Science Conference
  AUTHOR;　Makoto Kasu, Toshiyuki Oishi
  
• Diamond FETs for RF Power Electronics; Novel Hole Doping;　2016/03
  ANNOUNCEMENT INFO.;　8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2016 / IC-PLANTS2016) March 6-10, 2016 Nagoya
  AUTHOR;　Makoto Kasu
  
• ダイヤモンドMOSFET界面研究の最近の進展;　2015/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　表面科学会学術講演会、2015年12月1～3日、つくば
  AUTHOR;　嘉数 誠
  
• Ultimate Wide-Gap Semiconductors:Diamond Power Devices and Aluminum Nitride Deep-Ultraviolet LEDs;　2015/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Semicon Nano 2015, Hsinchu, Taiwan, Sep. 6-11,2015.
  AUTHOR;　Makoto Kasu
  
• Diamond Transistors –Present Status and Future Prospects;　2015/06
  ANNOUNCEMENT INFO.;　Collaborative Conference on 3D & Materials Research (CC3DMR) 2015
  AUTHOR;　Makoto Kasu
  
• Diamond RF Power Transistors: Present Status and Challenges;　2014/11
  ANNOUNCEMENT INFO.;　2014 MRS Fall Meeting, Nov. 30 – Dec. 5, 2014.Boston
  AUTHOR;　M. Kasu
  
• Diamond RF Power Transistors: Present Status and Challenges;　2014/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　9th European Microwave Integrated Circuits Conference (EUMIC 2014), Oct 6-7, 2014, Rome.
  AUTHOR;　M. Kasu, T. Oishi
  
• パワー半導体ダイヤモンド単結晶のシンクロトロンX線トポグラフィー観察;　2014/10
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　嘉数　誠
  
• ダイヤモンドパワートランジスタ研究開発の最近の進展;　2014/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　日本学術振興会真空ナノエレクトロニクス第１５８委員会 第１０４回研究会, 京都、2014年9月24日
  AUTHOR;　M. Kasu
  
• Diamond RF Power Transistors: Present Status and Challenges;　2014/08
  ANNOUNCEMENT INFO.;　15th IUMRS International Conference in Asia (IUMRS-ICA), Fukuoka, Aug. 24-30 , 2014.
  AUTHOR;　M. Kasu
  
• ダイヤモンドパワーデバイス研究の現状;　2014/05
  ANNOUNCEMENT INFO.;　ワイドバンドギャップ半導体デバイスに関わる超精密加工プロセス研究分科会
  AUTHOR;　M. Kasu
  
• ダイヤモンドパワー素子技術;　2014/05
  ANNOUNCEMENT INFO.;　第８回集積化MEMS技術研究会「次世代半導体技術」
  AUTHOR;　M. Kasu
  
• ダイヤモンドへのイオン注入　パワーデバイスを目指して;　2013/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• 極限遠紫外線LED研究開発;　2013/02
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• ワイドギャップ半導体の創製と光電子デバイスへの応用;　2012/12
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• 半導体気相成長での過飽和度とステップフロー・核形成;　2012/09
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• ダイヤモンドパワーデバイスの研究開発の現状;　2012/08
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• Single-crystalline nitride growth on diamond;　2012/05
  ANNOUNCEMENT INFO.;　New Diamond and Nano Carbons Conference 2012
  AUTHOR;　K. Hirama, M. Kasu,
  
• 「ダイヤモンドパワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開」;　2012/05
  ANNOUNCEMENT INFO.;　
  AUTHOR;　
  
• 窒化物半導体/ダイヤモンド ヘテロ構造: 結晶成長とデバイス応用」;　2012/03
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• 気相成長表面における結晶成長機構;　2012/01
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• ダイヤモンド・高周波電力デバイスの開発とマイクロ波・ミリ波帯電力増幅器への応用;　2011/10
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• Diamond-based Electronic Device Technologies;　2011/10
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  AUTHOR;　Makoto Kasu, Kazuyuki Hirama,