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145-MW/cm2 Heteroepitaxial Diamond MOSFETs With NO2 p-Type Doping and an Al2O3 Passivation Layer

発表形態：: 原著論文
主要業績：: 主要業績
単著・共著：: 共著
発表年月：: 2020年08月

DOI：
会議属性：: 指定なし
査読：: 有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：

Niloy Chandra Saha, Toshiyuki Oishi, Seongwoo Kim, Yuki Kawamata, Koji Koyama, and Makoto Kasu 読み: Niloy Chandra Saha, Toshiyuki Oishi, Seongwoo Kim, Yuki Kawamata, Koji Koyama, and Makoto Kasu

題名：

145-MW/cm2 Heteroepitaxial Diamond MOSFETs With NO2 p-Type Doping and an Al2O3 Passivation Layer

発表情報：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 41, 1066 (2020). 巻: 41 ページ: 1066

キーワード：

ダイヤモンド　高出力電力

概要：

ダイヤモンドで世界最高の出力電力を出した

抄録：

ダイヤモンドで世界最高の出力電力を出した

英語フィールド

Author：

Niloy Chandra Saha, Toshiyuki Oishi, Seongwoo Kim, Yuki Kawamata, Koji Koyama, and Makoto Kasu

Title：

145-MW/cm2 Heteroepitaxial Diamond MOSFETs With NO2 p-Type Doping and an Al2O3 Passivation Layer

Announcement information:

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 41, 1066 (2020). Vol: 41 Page: 1066

Keyword：

diamond, high output power

An abstract：

Highest output power in diamond

An abstract：

Highest output power in diamond