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Relationship between crystal defects and leakage current in β-Ga2O3 Schottky barrier diodes

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2016年12月
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
M. Kasu, K. Hanada, T. Moribayashi, A. Hashiguchi, T. Oshima, T. Oishi, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, and O. Ueda
題名：
Relationship between crystal defects and leakage current in β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
発表情報：
Japanese Journal of Applied Physics 巻: 55 ページ: 1202BB
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
M. Kasu, K. Hanada, T. Moribayashi, A. Hashiguchi, T. Oshima, T. Oishi, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, and O. Ueda
Title：
Relationship between crystal defects and leakage current in β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
Announcement information:
Japanese Journal of Applied Physics Vol: 55 Page: 1202BB

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