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Probe-induced surface defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2021年12月
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, and Makoto Kasu
題名：
Probe-induced surface defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
発表情報：
Applied Physics Express 巻: 14 ページ: 115501
キーワード：
概要：
Probe-induced surface defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
抄録：
Probe-induced surface defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes

英語フィールド

Author：
Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, and Makoto Kasu
Title：
Probe-induced surface defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
Announcement information:
Applied Physics Express Vol: 14 Page: 115501
An abstract：
Probe-induced surface defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
An abstract：
Probe-induced surface defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes

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