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著者:嘉数 誠,眞崎 瞭,高谷亮太,小山浩司,金 聖祐 読み: 嘉数 誠,眞崎 瞭,高谷亮太,小山浩司,金 聖祐題名:インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の格子歪発生のメカニズム-サファイア基板とMgO基板の比較-発表情報:第51回結晶成長国内会議(JCCG-51)、2022年10月31日-11月2日キーワード:概要:インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の格子歪発生のメカニズム-サファイア基板とMgO基板の比較-抄録:インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の格子歪発生のメカニズム-サファイア基板とMgO基板の比較-英語フィールド
Author:嘉数 誠,眞崎 瞭,高谷亮太,小山浩司,金 聖祐Title:インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の格子歪発生のメカニズム-サファイア基板とMgO基板の比較-Announcement information:第51回結晶成長国内会議(JCCG-51)、2022年10月31日-11月2日An abstract:インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の格子歪発生のメカニズム-サファイア基板とMgO基板の比較-An abstract:インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の格子歪発生のメカニズム-サファイア基板とMgO基板の比較-