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Gate interfacial layer in hydrogen-terminated diamond field-effect transistors

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2008年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
M. Kasu, K. Ueda, and Y. Yamauchi
題名：
Gate interfacial layer in hydrogen-terminated diamond field-effect transistors
発表情報：
Diamond and Related Materials 巻: 17 ページ: 741-744
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
M. Kasu, K. Ueda, and Y. Yamauchi
Title：
Gate interfacial layer in hydrogen-terminated diamond field-effect transistors
Announcement information:
Diamond and Related Materials Vol: 17 Page: 741-744

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