SAHA NILOY CHANDRA(理工学部理工学科電気電子工学部門)

教員活動データベース

氏　名	SAHA NILOY CHANDRA	フリガナ	サハニロイチヤンドラ
欧文氏名	Saha Niloy Chandra
所　属	理工学部理工学科電気電子工学部門
職　名	助教	学位	学士（工学）（2012年07月）修士（工学）（2017年09月）博士（工学）（2020年09月）
電子メール	sw1632cc.saga-u.ac.jp	リンク	ティーチングポートフォリオ
ホームページ	https://scholar.google.com/citations?user=V-JGrjIAAAAJ&hl=en https://www.researchgate.net/profile/Niloy-Saha-3

Last Updated :2024/04/23

教員詳細情報

研究分野・キーワード

半導体デバイス、パワーエレクトロニクス、ダイヤモンド、ワイドギャップ半導体

学歴

2012年07月, Khulna University of Engineering and Technology, Electrical and Electronic Engineering, 卒業
2017年09月, 佐賀大学, 電気電子工学, 卒業
2020年09月, 佐賀大学, システム創成科学専攻, 電子情報システム学コース, 卒業

職歴

2020年10月 - 2021年10月佐賀大学佐賀大学パワー半導体（嘉数）研究室研究員

所属学会

応用物理学会

受賞歴

日本表面真空学会九州支部学術講演会 (九州表面・真空研究会2018) 口頭発表者賞（2018年06月）

これまでの研究テーマ

高電圧および高周波用の NO2 p 型ドーピングおよび Al2O3 層を使用したダイヤモンド MOSFET
ダイヤモンドの選択ドーピングと高移動度用ダイヤモンドデバイスの作製

主要業績

原著論文

Stable AC Stress Operation (100 h) of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs;　2023年10月
発表情報;　, 44, 10, 1704 - 1707
著者;　N. C. Saha, T. Shiratsuchi, T. Oishi, and M. Kasu
Long Stress (190 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs;　2023年04月
発表情報;　IEEE Electron Device Letters, 44
著者;　N. C. Saha, T. Shiratsuchi, S. -W. Kim, K. Koyama, T. Oishi, and M. Kasu
Fast Switching NO2-doped p-Channel Diamond MOSFETs;　2023年03月
発表情報;　IEEE Electron Device Letters, 44, 5, 793-796
著者;　N. C. Saha, T. Shiratsuchi, S. -W. Kim, K. Koyama, T. Oishi, and M. Kasu
The improvement of Schottky barrier diodes fabricated only by B ion implantation doping accomplished by refinement of the electrode structure;　2023年03月
発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 62, 4, 040902
著者;　Y. Seki, N. C. Saha, S. Shigematsu, Y. Hoshino, J. Nakata, T. Oishi, and M. Kasu
1651-V All-Ion-Implanted Schottky Barrier Diode on Heteroepitaxial Diamond With 3.6 × 10⁵ On/Off Ratio;　2022年12月
発表情報;　IEEE Electron Device Letters, 44, 2, 293-296
著者;　Saha, Niloy Chandra; Irie, Yuya ; Seki, Yuhei; Hoshino, Yasushi; Nakata, Jyoji; Kim, Seong-Woo; Oishi, Toshiyuki; Kasu, Makoto
3659-V NO₂ p-Type Doped Diamond MOSFETs on Misoriented Heteroepitaxial Diamond Substrates;　2022年12月
発表情報;　IEEE Electron Device Letters, 44, 1, 112 - 115
著者;　Niloy Chandra Saha; Seong-Woo Kim; Koji Koyama; Toshiyuki Oishi; Makoto Kasu
3326-V Modulation-Doped Diamond MOSFETs;　2022年06月
発表情報;　IEEE Electron Device Letters, 43, 8, 1303 - 1306
著者;　Niloy Chandra Saha; Seong-Woo Kim; Toshiyuki Oishi; Makoto Kasu
875-MW/cm² Low-Resistance NO₂ p-Type Doped Chemical Mechanical Planarized Diamond MOSFETs;　2022年04月
発表情報;　IEEE Electron Device Letters, 43, 5, 777-780
著者;　Niloy Chandra Saha; Seong-Woo Kim; Toshiyuki Oishi; Makoto Kasu
345-MW/cm² 2608-V NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs with an Al2O3 Passivation Overlayer on Heteroepitaxial Diamond;　2021年06月
発表情報;　IEEE Electron Device Letters, 42, 6, 903 - 906
著者;　Saha, Niloy Chandra; Kim, Seong Woo; Oishi, Toshiyuki; Kawamata, Yuki; Koyama, Koji; Kasu, Makoto
Fabrication of diamond modulation-doped FETs by NO2 delta doping in an Al2O3 gate layer;　2021年04月
発表情報;　Applied Physics Express
著者;　Makoto Kasu, Niloy Chandra Saha, Toshiyuki Oishi and Seong-Woo Kim
Observation of nitrogen species at Al2O3/NO2/H-diamond interfaces by synchrotron radiation x-ray photoemission spectroscopy;　2020年10月
発表情報;　Journal of Applied Physics, 128, 13, -
著者;　Saha, Niloy Chandra; Takahashi, Kazutoshi; Imamura, Masaki; Kasu, Makoto
145-MW/cm²Heteroepitaxial Diamond MOSFETs with NO2p-Type Doping and an Al2O3Passivation Layer;　2020年07月
発表情報;　IEEE Electron Device Letters, 41, 7, 1066 - 1069
著者;　Saha, Niloy Chandra; Oishi, Toshiyuki; Kim, Seongwoo; Kawamata, Yuki; Koyama, Koji; Kasu, Makoto
Improvement of the Al2O3 /NO2 /H-diamond MOS FET by using Au gate metal and its analysis;　2018年12月
発表情報;　Diamond and Related Materials, 92, 81
著者;　Niloy Chandra Saha, Makoto Kasu
Heterointerface properties of diamond MOS structures studied using capacitance–voltage and conductance–frequency measurements;　2018年11月
発表情報;　Diamond and Related Materials, 91, 219-224
著者;　Niloy Chandra Saha, Makoto Kasu
Band Alignment of Al2O3 Layer Deposited NO and SO2 Exposed (001) H-Diamond Heterointerfaces Studied by Synchrotron Radiation X-Ray Photoelectron Spectroscopy;　2018年07月
発表情報;　Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, 215, 1800237
著者;　Niloy Chandra Saha,Kazutoshi Takahashi,Masaki Imamura,Makoto Kasu

一般講演（学術講演を含む）

ダイヤモンドMOSFETの高電圧(105V) スイッチング動作;　2024年03月
発表情報;　71応用物理学会春季 (25a-52A-6), 東京都市大学世田谷キャンパス
著者;　白土智基，ニロイチャンドラサハ, 大石敏之, 嘉数誠
Recent Progress on diamond MOS Interface and High Power MOSFETs;　2024年01月
発表情報;　The 3rd International Diamond Device Workshop, 2024, Saga Univerisity.
著者;　Niloy Chandra Saha and Makoto Kasu
ダイヤモンドNO2 p型ドープMOSFETの長時間(100h)ACストレス測定;　2023年09月
発表情報;　第84回応用物理学会秋季学術講演会、2023年応用物理学会、2023年9月19-23日,熊本, 23p-B201-4.
著者;　白土智基，ニロイチャンドラサハ, 大石敏之, 嘉数誠
Recent Progress on High Power Operation of Diamond MOSFETs;　2023年02月
発表情報;　The 2nd International Diamond Device Workshop, 2023, Saga University.
著者;　Niloy Chandra Saha and Makoto Kasu
3659 V 0.37 A/mm NO2-Doped P-Channel Diamond MOSFETs Fabricated on Diamond Grown on Misoriented Sapphire Substrates;　2022年12月
発表情報;　Material Related Society, Fall Meeting, 2022 (11/27 -12/2), Boston, Massachusetts, USA. EQ07.11.01
著者;　Makoto Kasu, Niloy Saha, Seong Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi
Fabrication of Radiation Detectors with Heteroepitaxial Diamonds;　2022年11月
発表情報;　2022 IEEE Nuclear Science Symposium, Medical Imaging Conference and Room Temperatures Semiconductor Detector Conference, 05-12 November 2022, Milano, Italy. R-10
著者;　K. Hitomi , Y. Irie , S.-W. Kim , K. Koyama , S. Hirano , M. Nogami , N. C. Saha , M. Kasu
微傾斜ダイヤモンド上に作製した3659 V, 0.37 A /mm NO2ドープダイヤモンドMOSFET;　2022年09月
発表情報;　第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年（2022年9月20日（火）～23日（金））東北大学, 日本、21a-M206-13
著者;　ニロイチャンドラサハ, 金聖祐, 小山浩司, 大石敏之, 嘉数誠
耐圧1651 V, 整流比3.6×105の全イオン注入法により作製したダイヤモンドショットキーバリアダイオード;　2022年09月
発表情報;　第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年（2022年9月20日（火）～23日（金））東北大学, 日本、22p-B204-18
著者;　入江優雅, ニロイチャンドラサハ, 関裕平，中山隼，金聖祐，小山浩司，大石敏之,嘉数誠, 星野靖, 中田穣治
ヘテロエピタキシャルダイヤモンド放射線検出器の作製;　2022年09月
発表情報;　第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年（2022年9月20日（火）～23日（金））東北大学, 日本、20p-A102-8
著者;　入江優雅, 人見啓太朗, 野上光博, 中山隼，金聖祐，小山浩司，ニロイチャンドラサハ, 嘉数誠
875 MW/cm2 2568 V 0.68 A/mm NO2 P-type Doped Diamond MOSFETs;　2022年06月
発表情報;　The 15th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2022) conference. 8P-13
著者;　Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, Toshiyuki Oishi, and Makoto Kasu
820 MW/cm2 3326 V 0.42 A/mm Modulation Doped Diamond MOSFETs on Heteroepitaxial Diamond;　2022年06月
発表情報;　the 15th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2022) conference. I-03-2
著者;　Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu
820 MW/cm2 0.42 A/mm 3326 V 選択ドーピダイヤモンドMOSFET;　2022年03月
発表情報;　2022年第69回応用物理学会春季学術講演会, 22p-E302-9
著者;　ニロイチャンドラサハ, 金聖祐,　大石敏之, 嘉数誠
875 MW/cm2 0.68A/mm 2568 V NO2ドープダイヤモンドMOSFET;　2022年03月
発表情報;　2022年第69回応用物理学会春季学術講演会, 22p-E302-10
著者;　ニロイチャンドラサハ, 金聖祐,　大石敏之, 嘉数誠
Diamond Field-Effect Transistors with Modulation Doping;　2021年12月
発表情報;　Material Research Society Fall Meeting 2021EQ19.12.07オンライン2021年12月7日
著者;　Makoto Kasu, Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, Toshiyuki Oishi
選択ドーピングしたダイヤモンド電界効果トランジスタ;　2021年09月
発表情報;　2021年第82回応用物理学会春季学術講演会，12p-N305-9 オンライン開催 2021年9月12日
著者;　嘉数誠，ニロイチャンドラサハ, 金聖祐，大石敏之
Modulation-doped diamond field-effect transistors fabricated by NO2 delta doping in an Al2O3 gate layer;　2021年09月
発表情報;　31st International Conference on Diamond and Carbon Materials 2021, O7A.3、オンライン、2021年9月6〜9日
著者;　Makoto Kasu, Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, Toshiyuki Oishi
Initial growth mechanism of high-quality diamond heteroepitaxial layer on sapphire and MgO substrates;　2021年06月
発表情報;　31st International Conference on Diamond and Carbon Materials 2021, O13A.5, オンライン、2021年9月6〜9日
著者;　Makoto Kasu, Ryota Takaya, Ryo Masaki, Niloy Saha, Yuki Kawamata, Koji Koyama, Seong-Woo Kim
High Voltage Operation of Heteroepitaxial Diamond MOSFETs with NO2 p-type Doping and Al2O3 Passivation Overlayer;　2021年06月
発表情報;　14th Internation Conference on New Diamonds and New Carbons 2020/2021, I-05-5、オンライン、2021年6月7-9日
著者;　N. C. Saha, S. -W. Kim, T. Oishi, Y. Kawamata, K. Koyama, and M. Kasu
618-V 2.63-mΩ cm2 NO2 P-Type Doped Diamond MOSFETs on a High-Quality Heteroepitaxial Diamond Layer;　2021年04月
発表情報;　材料研究会2021年春季大会EL04.10.04オンライン2021年4月17日〜23日
著者;　Makoto Kasu, Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, Yuki Kawamata, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi
高電圧(2608 V)NO2ドープpチャネルダイヤモンドMOSFET;　2021年03月
発表情報;　2021年春季応用物理学会 19p-Z25-14、オンライン、2021年3月16-19日
著者;　ニロイチャンドラサハ, 金聖祐,　大石敏之, 川又友喜, 小山浩司, 嘉数誠
シンクロトロンX線光電子分光法による Al2O3/NO2/H-ダイヤモンドヘテロ界面での窒素種の観察;　2021年03月
発表情報;　2021年春季応用物理学会 18a-Z13-7、オンライン、2021年3月16-19日
著者;　ニロイチャンドラサハ, 高橋和敏, 今村真幸,嘉数誠
High Current (0.7 A/mm) for Diamond MOSFETs with 1.4-µm Gate and NO2 P-Type Doping on High Quality Heteroepitaxial Diamond Substrates;　2020年11月
発表情報;　Material Research Society Fall Meeting 2020、S.EL15.02.09オンライン、2020年11月
著者;　Makoto Kasu, Niloy Chandra, Toshiyuki Oishi, SeongWoo Kim, Yuki Kawamata, Koji Koyama
145 MW/cm2 NO2ドープダイヤモンドMOSFETの作製;　2020年09月
発表情報;　2020年秋季応用物理学会、11p-Z04-9、京都、2020年9月8-11日
著者;　ニロイチャンドラサハ, 大石敏之, 金聖祐, 川又友喜, 小山浩司, 嘉数誠
NO2ドープダイヤモンド MOSFET の大電流（0.78 A / mm）、高電圧（618 V）動作;　
発表情報;　2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日
著者;　ニロイチャンドラサハ , 川又友喜 , 小山浩司 , 金聖祐 , 大石敏之 , 嘉数誠