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Spatial Control of Charge Doping in n-Type Topological Insulators

発表形態：: 原著論文
主要業績：: 主要業績
単著・共著：: 共著
発表年月：: 2021年05月

DOI：
会議属性：: 指定なし
査読：: 有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：

Sakamoto Kazuyuki, Ishikawa Hirotaka, Wake Takashi, Ishimoto Chie, Fujii Jun, Bentmann Hendrik, Ohtaka Minoru, Kuroda Kenta, Inoue Natsu, Hattori Takuma, Miyamachi Toshio, Komori Fumio, Yamamoto Isamu, Fan Cheng, Krüger Peter, Ota Hiroshi, Matsui Fumihiko, Reinert Friedrich, Avila José, Asensio Maria

題名：

Spatial Control of Charge Doping in n-Type Topological Insulators

発表情報：

Nano Letters, 21, 4415-422 (2021) 巻: 21 号: 10 ページ: 4415-4422

キーワード：

概要：

抄録：

英語フィールド

Author：

Title：

Spatial Control of Charge Doping in n-Type Topological Insulators

Announcement information:

Nano Letters, 21, 4415-422 (2021) Vol: 21 Issue: 10 Page: 4415-4422