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RF スパッタリング法によるGaN を用いたInGaN 薄膜成長に関する研究

発表形態:
一般講演(学術講演を含む)
主要業績:
その他
単著・共著:
共著
発表年月:
2018年12月
DOI:
会議属性:
国内会議
査読:
無し
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
境伶王,斉藤勝彦,田中徹,郭 其新
題名:
RF スパッタリング法によるGaN を用いたInGaN 薄膜成長に関する研究
発表情報:
平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会, 福岡大学, 平成30年12月8日, 8Ca-5
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
Title:
Announcement information:
平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会, 福岡大学, 平成30年12月8日, 8Ca-5


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