MF研究者総覧

教員活動データベース

Photoluminescence and electrical properties of P-doped ZnTe layers grown by low pressure MOVPE

発表形態:
原著論文
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2017年
DOI:
10.1016/j.jcrysgro.2017.01.030
会議属性:
指定なし
査読:
有り
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
Nishio, M., Saito, K., Nakatsuru, Y., Shono, T., Matsuo, Y., Tomota, A., Tanaka, T., Guo, Q.X.
題名:
Photoluminescence and electrical properties of P-doped ZnTe layers grown by low pressure MOVPE
発表情報:
Journal of Crystal Growth 巻: 468 ページ: 666-670
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
Nishio, M., Saito, K., Nakatsuru, Y., Shono, T., Matsuo, Y., Tomota, A., Tanaka, T., Guo, Q.X.
Title:
Photoluminescence and electrical properties of P-doped ZnTe layers grown by low pressure MOVPE
Announcement information:
Journal of Crystal Growth Vol: 468 Page: 666-670


Copyright © MEDIA FUSION Co.,Ltd. All rights reserved.