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Influence of dopant transport rate upon photoluminescence and electrical properties of phosphorus-doped ZnMgTe layers grown by MOVPE

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2011年08月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
K. Saito, T. Saeki, T. Tanaka, Q.X. Guo, and M. Nishio
題名：
Influence of dopant transport rate upon photoluminescence and electrical properties of phosphorus-doped ZnMgTe layers grown by MOVPE
発表情報：
15th International Conference on II-VI Compounds, August 21-26, 2011, Mayan Riviera, Mexico, Tu-P04.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
K. Saito, T. Saeki, T. Tanaka, Q.X. Guo, and M. Nishio
Title：
Influence of dopant transport rate upon photoluminescence and electrical properties of phosphorus-doped ZnMgTe layers grown by MOVPE
Announcement information:
15th International Conference on II-VI Compounds, August 21-26, 2011, Mayan Riviera, Mexico, Tu-P04.

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