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PLD法によるp型Si(111)基板上へのEuドープGa2O3薄膜の成長と評価

発表形態:
一般講演(学術講演を含む)
主要業績:
その他
単著・共著:
共著
発表年月:
2016年09月
DOI:
会議属性:
国内会議
査読:
有り
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
野田真司, 陳 政委, 斉藤勝彦, 田中 徹, 西尾光弘, 郭 其新
題名:
PLD法によるp型Si(111)基板上へのEuドープGa2O3薄膜の成長と評価
発表情報:
平成28年度(第69回)電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成28年9月29日, 宮崎大学, 05-1A-06
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

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