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Photoluminescence and Electrical Properties of P-doped ZnTe Layers Grown by Low Pressure MOVPE

発表形態:
一般講演(学術講演を含む)
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2016年08月
DOI:
会議属性:
国際会議(国内開催を含む)
査読:
有り
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
M. Nishio, K. Saito, Y. Nakatsuru, T. Shono, Y.Matsuo, A. Tomota, T. Tanaka, and Q. X. Guo
題名:
Photoluminescence and Electrical Properties of P-doped ZnTe Layers Grown by Low Pressure MOVPE
発表情報:
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18), August 7-12, 2016, Nagoya, ThP-T04-11.
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
M. Nishio, K. Saito, Y. Nakatsuru, T. Shono, Y.Matsuo, A. Tomota, T. Tanaka, and Q. X. Guo
Title:
Photoluminescence and Electrical Properties of P-doped ZnTe Layers Grown by Low Pressure MOVPE
Announcement information:
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18), August 7-12, 2016, Nagoya, ThP-T04-11.


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