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Photoluminescence and Electrical Properties of P-doped ZnTe Layers Grown by Low Pressure MOVPE

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2016年08月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
M. Nishio, K. Saito, Y. Nakatsuru, T. Shono, Y.Matsuo, A. Tomota, T. Tanaka, and Q. X. Guo
題名：
Photoluminescence and Electrical Properties of P-doped ZnTe Layers Grown by Low Pressure MOVPE
発表情報：
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18), August 7-12, 2016, Nagoya, ThP-T04-11.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
M. Nishio, K. Saito, Y. Nakatsuru, T. Shono, Y.Matsuo, A. Tomota, T. Tanaka, and Q. X. Guo
Title：
Photoluminescence and Electrical Properties of P-doped ZnTe Layers Grown by Low Pressure MOVPE
Announcement information:
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18), August 7-12, 2016, Nagoya, ThP-T04-11.

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