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直接接合技術を用いたp-ZnTe/n-ZnOヘテロ接合界面の作製と電気特性評価

発表形態:
原著論文
主要業績:
その他
単著・共著:
共著
発表年月:
2016年09月
DOI:
10.1541/ieejeiss.136.1761
会議属性:
指定なし
査読:
有り
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
秋山 肇, 内海 淳, 田中 徹, 齊藤 勝彦, 西尾 光弘, 郭 其新
題名:
直接接合技術を用いたp-ZnTe/n-ZnOヘテロ接合界面の作製と電気特性評価
発表情報:
電気学会論文誌C 巻: 136 号: 12 ページ: 1761-1766
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
H. Akiyama, J. Utsumi, T. Tanaka, K. Saito, M. Nishio, Q. Guo
Title:
Characterization of p-ZnTe/n-ZnO heterojunction interface prepared by direct bonding technology
Announcement information:
IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems Vol: 136 Issue: 12 Page: 1761-1766


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