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PLD法によるp型Si(111)基板上へのErド-プGa2O3薄膜の成長と評価

発表形態:
一般講演(学術講演を含む)
主要業績:
その他
単著・共著:
共著
発表年月:
2016年03月
DOI:
会議属性:
国内会議
査読:
無し
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
野田真司、陳政委、斉藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新
題名:
PLD法によるp型Si(111)基板上へのErド-プGa2O3薄膜の成長と評価
発表情報:
2016年第63回応用物理学会秋季学術講演会, 東京工業大学, 平成28年3月19日-22日, 20p-S223-17
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

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