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Electrical properties of Si doped Ga2O3 films grown by pulsed laser deposition

発表形態:
原著論文
主要業績:
その他
単著・共著:
共著
発表年月:
2015年
DOI:
10.1007/s10854-015-3627-6
会議属性:
指定なし
査読:
有り
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
Zhang, F., Saito, K., Tanaka, T., Nishio, M., Guo, Q.
題名:
Electrical properties of Si doped Ga2O3 films grown by pulsed laser deposition
発表情報:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics 巻: 26 号: 12 ページ: 9624-9629
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
Zhang, F., Saito, K., Tanaka, T., Nishio, M., Guo, Q.
Title:
Electrical properties of Si doped Ga2O3 films grown by pulsed laser deposition
Announcement information:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics Vol: 26 Issue: 12 Page: 9624-9629


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