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Growth of InGaN layers on (1 1 1) silicon substrates by reactive sputtering

発表形態:
原著論文
主要業績:
その他
単著・共著:
共著
発表年月:
2014年
DOI:
会議属性:
指定なし
査読:
有り
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
Q. Guo, T. Nakao, T. Ushijima, W. Shi, F. Liu, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio
題名:
Growth of InGaN layers on (1 1 1) silicon substrates by reactive sputtering
発表情報:
Journal of Alloys and Compounds 巻: 587 ページ: 217-221
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
Q. Guo, T. Nakao, T. Ushijima, W. Shi, F. Liu, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio
Title:
Growth of InGaN layers on (1 1 1) silicon substrates by reactive sputtering
Announcement information:
Journal of Alloys and Compounds Vol: 587 Page: 217-221


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