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Influence of source transport rate upon phosphorus doping in ZnTe layer grown by MOVPE

発表形態:
一般講演(学術講演を含む)
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2011年08月
DOI:
会議属性:
国際会議(国内開催を含む)
査読:
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
M. Nishio, X. Han, K. Saito, T. Tanaka, Q.X. Guo
題名:
Influence of source transport rate upon phosphorus doping in ZnTe layer grown by MOVPE
発表情報:
15th International Conference on II-VI Compounds, August 21-26, 2011, Mayan Riviera, Mexico, Thu-P03.
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
M. Nishio, X. Han, K. Saito, T. Tanaka, Q.X. Guo
Title:
Influence of source transport rate upon phosphorus doping in ZnTe layer grown by MOVPE
Announcement information:
15th International Conference on II-VI Compounds, August 21-26, 2011, Mayan Riviera, Mexico, Thu-P03.


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