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Effects of annealing treatment upon electrical and photoluminescence properties of phosphorus-doped ZnMgTe epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy

発表形態:
原著論文
主要業績:
その他
単著・共著:
共著
発表年月:
2013年
DOI:
会議属性:
指定なし
査読:
有り
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
M. Nishio, K. Kai, R. Fujiki, K. Saito, T. Tanaka, and Q. Guo
題名:
Effects of annealing treatment upon electrical and photoluminescence properties of phosphorus-doped ZnMgTe epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy
発表情報:
Journal of Crystal Growth 巻: 370 号: 1 ページ: 342-347
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
M. Nishio, K. Kai, R. Fujiki, K. Saito, T. Tanaka, and Q. Guo
Title:
Effects of annealing treatment upon electrical and photoluminescence properties of phosphorus-doped ZnMgTe epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy
Announcement information:
Journal of Crystal Growth Vol: 370 Issue: 1 Page: 342-347


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