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Influence of source transport rate upon phosphorus doping of ZnTe layers grown by MOVPE method

発表形態:
原著論文
主要業績:
その他
単著・共著:
共著
発表年月:
2012年
DOI:
会議属性:
指定なし
査読:
有り
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
M. Nishio, X. Han, K. Saito, T. Tanaka, and Q. X.Guo
題名:
Influence of source transport rate upon phosphorus doping of ZnTe layers grown by MOVPE method
発表情報:
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 巻: 9 号: 8-9 ページ: 1732-1735
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
M. Nishio, X. Han, K. Saito, T. Tanaka, and Q. X.Guo
Title:
Influence of source transport rate upon phosphorus doping of ZnTe layers grown by MOVPE method
Announcement information:
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics Vol: 9 Issue: 8-9 Page: 1732-1735


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