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Temperature dependence of electrical properties for P-doped ZnMgTe bulk crystals of high quality grown by Bridgman method

発表形態:
原著論文
主要業績:
その他
単著・共著:
共著
発表年月:
2011年
DOI:
会議属性:
指定なし
査読:
有り
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
M. Nishio, K. Hiwatashi, K. Saito, T. Tanaka, and Q. Guo
題名:
Temperature dependence of electrical properties for P-doped ZnMgTe bulk crystals of high quality grown by Bridgman method
発表情報:
Journal of Crystal Growth 巻: 318 号: 1 ページ: 524-527
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
M. Nishio, K. Hiwatashi, K. Saito, T. Tanaka, and Q. Guo
Title:
Temperature dependence of electrical properties for P-doped ZnMgTe bulk crystals of high quality grown by Bridgman method
Announcement information:
Journal of Crystal Growth Vol: 318 Issue: 1 Page: 524-527


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