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Electronic structure of GaInN semiconductors investigated by x-ray absorption spectroscopy

発表形態:
原著論文
主要業績:
その他
単著・共著:
単著
発表年月:
2011年
DOI:
会議属性:
指定なし
査読:
有り
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
Q. X. Guo, H. Senda, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, J. Ding, T. X. Fan, D. Zhang, X. Q. Wang, S. T. Liu, B. Shen, and R. Ohtani
題名:
Electronic structure of GaInN semiconductors investigated by x-ray absorption spectroscopy
発表情報:
Applied Physics Letters 巻: 98 号: 18 ページ: 181901
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
Q. X. Guo, H. Senda, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, J. Ding, T. X. Fan, D. Zhang, X. Q. Wang, S. T. Liu, B. Shen, and R. Ohtani
Title:
Electronic structure of GaInN semiconductors investigated by x-ray absorption spectroscopy
Announcement information:
Applied Physics Letters Vol: 98 Issue: 18 Page: 181901


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