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Fabrication of a ZnTe light emitting diode by Al thermal diffusion into a p -ZnTe epitaxial layer on a p -ZnMgTe substrate

発表形態:
原著論文
主要業績:
その他
単著・共著:
共著
発表年月:
2009年
DOI:
会議属性:
指定なし
査読:
有り
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
T. Tanaka, K. Saito, M. Nishio, Q. Guo, and H. Ogawa
題名:
Fabrication of a ZnTe light emitting diode by Al thermal diffusion into a p -ZnTe epitaxial layer on a p -ZnMgTe substrate
発表情報:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics 巻: 20 号: Supplement 1 ページ: 505-509
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
T. Tanaka, K. Saito, M. Nishio, Q. Guo, and H. Ogawa
Title:
Fabrication of a ZnTe light emitting diode by Al thermal diffusion into a p -ZnTe epitaxial layer on a p -ZnMgTe substrate
Announcement information:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics Vol: 20 Issue: Supplement 1 Page: 505-509


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