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Post-annealing effect upon electrical and optical properties of MOVPE grown P-doped ZnTe homoepitaxial layers

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2009年01月
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
K. Saito, K. Yamaguchi, T. Tanaka, M. Nishio, Q. Guo, and H. Ogawa
題名：
Post-annealing effect upon electrical and optical properties of MOVPE grown P-doped ZnTe homoepitaxial layers
発表情報：
Journal of Materials Science: Materials in Electronics 巻: 20 号: Supplement 1 ページ: 264-267
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
K. Saito, K. Yamaguchi, T. Tanaka, M. Nishio, Q. Guo, and H. Ogawa
Title：
Post-annealing effect upon electrical and optical properties of MOVPE grown P-doped ZnTe homoepitaxial layers
Announcement information:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics Vol: 20 Issue: Supplement 1 Page: 264-267

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