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Growth of boron-doped ZnTe homoepitaxial layer by metalorganic vapor phase epitaxy

著者：

K. Saito, T. Yamashita, T. Tanaka, M. Nishio,Q. Guo, and H. Ogawa

題名：

発表情報：

physica status solidi (c) 巻: 3 号: 4 ページ: 833-836

キーワード：

概要：

抄録：

Author：

K. Saito, T. Yamashita, T. Tanaka, M. Nishio,Q. Guo, and H. Ogawa

Title：

Growth of boron-doped ZnTe homoepitaxial layer by metalorganic vapor phase epitaxy

Announcement information:

physica status solidi (c) Vol: 3 Issue: 4 Page: 833-836