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RF スパッタリング法によるGaN を用いたInGaN 薄膜成長に関する研究
発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2018年12月
DOI：
会議属性：
国内会議
査読：
無し
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日本語フィールド
著者：
境伶王，斉藤勝彦，田中徹，郭 其新
題名：
RF スパッタリング法によるGaN を用いたInGaN 薄膜成長に関する研究
発表情報：
平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会, 福岡大学, 平成30年12月8日, 8Ca-5
キーワード：
概要：
抄録：
英語フィールド
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