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Growth of InGaN layers on (111) silicon substrates by reactive sputtering

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2014年01月
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Qixin Guo, Tomoya Nakao, Takaya Ushijima, Wangzhou Shi, Feng Liu, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Mitsuhiro Nishio
題名：
Growth of InGaN layers on (111) silicon substrates by reactive sputtering
発表情報：
Journal of Alloys and Compounds, 587, pp. 217-221, 2014.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Qixin Guo, Tomoya Nakao, Takaya Ushijima, Wangzhou Shi, Feng Liu, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Mitsuhiro Nishio
Title：
Growth of InGaN layers on (111) silicon substrates by reactive sputtering
Announcement information:
Journal of Alloys and Compounds, 587, pp. 217-221, 2014.

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