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Growth of InGaN layers on (111) silicon substrates by reactive sputtering

発表形態:
原著論文
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2014年01月
DOI:
会議属性:
指定なし
査読:
有り
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
Qixin Guo, Tomoya Nakao, Takaya Ushijima, Wangzhou Shi, Feng Liu, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Mitsuhiro Nishio
題名:
Growth of InGaN layers on (111) silicon substrates by reactive sputtering
発表情報:
Journal of Alloys and Compounds, 587, pp. 217-221, 2014.
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
Qixin Guo, Tomoya Nakao, Takaya Ushijima, Wangzhou Shi, Feng Liu, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Mitsuhiro Nishio
Title:
Growth of InGaN layers on (111) silicon substrates by reactive sputtering
Announcement information:
Journal of Alloys and Compounds, 587, pp. 217-221, 2014.


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