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Influence of (MeCp)2Mg Transport Rate upon Growth of Phosphorus-Doped ZnMgTe Layers by MOVPE.

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2012年05月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Katsuhiko Saito, Keita Sekioka, Tooru Tanaka, Qixin Guo, and Mitsuhiro Nishio
題名：
Influence of (MeCp)2Mg Transport Rate upon Growth of Phosphorus-Doped ZnMgTe Layers by MOVPE.
発表情報：
The Sixteenth International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, May 20~25, 2012, Paradise Hotel Busan, Busan, Korea, TuP-62.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Katsuhiko Saito, Keita Sekioka, Tooru Tanaka, Qixin Guo, and Mitsuhiro Nishio
Title：
Influence of (MeCp)2Mg Transport Rate upon Growth of Phosphorus-Doped ZnMgTe Layers by MOVPE.
Announcement information:
The Sixteenth International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, May 20~25, 2012, Paradise Hotel Busan, Busan, Korea, TuP-62.

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