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Electronic Structure of II (Zn, Mg, Be)-VI (O, S) Wide-Gap Compound Semiconductor Alloys

発表形態:
一般講演(学術講演を含む)
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2011年07月
DOI:
会議属性:
国際会議(国内開催を含む)
査読:
有り
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
A. Yoshida, A. Wakahara, and Qixin Guo
題名:
Electronic Structure of II (Zn, Mg, Be)-VI (O, S) Wide-Gap Compound Semiconductor Alloys
発表情報:
International Conference on Electrical Engineering 2011, 10 to 14 July 2011, Hong Kong, A162,11 July.
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
A. Yoshida, A. Wakahara, and Qixin Guo
Title:
Electronic Structure of II (Zn, Mg, Be)-VI (O, S) Wide-Gap Compound Semiconductor Alloys
Announcement information:
International Conference on Electrical Engineering 2011, 10 to 14 July 2011, Hong Kong, A162,11 July.


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