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Electronic Structure of II (Zn, Mg, Be)-VI (O, S) Wide-Gap Compound Semiconductor Alloys

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2011年07月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
A. Yoshida, A. Wakahara, and Qixin Guo
題名：
Electronic Structure of II (Zn, Mg, Be)-VI (O, S) Wide-Gap Compound Semiconductor Alloys
発表情報：
International Conference on Electrical Engineering 2011, 10 to 14 July 2011, Hong Kong, A162,11 July.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
A. Yoshida, A. Wakahara, and Qixin Guo
Title：
Electronic Structure of II (Zn, Mg, Be)-VI (O, S) Wide-Gap Compound Semiconductor Alloys
Announcement information:
International Conference on Electrical Engineering 2011, 10 to 14 July 2011, Hong Kong, A162,11 July.

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