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Low-temperature growth of InGaN films by reactive sputtering

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2010年06月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Q.X. Guo, Y. Kusunoki, Y. Ding, K. Saito, T. Tanaka, and M. Nishio
題名：
Low-temperature growth of InGaN films by reactive sputtering
発表情報：
The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, May 31-June 4, 2010, Takamatsu, Japan. FrP70.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Q.X. Guo, Y. Kusunoki, Y. Ding, K. Saito, T. Tanaka, and M. Nishio
Title：
Low-temperature growth of InGaN films by reactive sputtering
Announcement information:
The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, May 31-June 4, 2010, Takamatsu, Japan. FrP70.

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