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Growth of InGaN films by reactive sputtering

発表形態:
一般講演(学術講演を含む)
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2009年07月
DOI:
会議属性:
国際会議(国内開催を含む)
査読:
有り
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
Q. Guo, M. Ogata, Y. Ding, T. Tanaka, M. Nishio
題名:
Growth of InGaN films by reactive sputtering
発表情報:
The 10th International Symposium on Sputtering and Plasma Processes, Kanazawa, July 8-10, 2009, TF P1-27.
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
Q. Guo, M. Ogata, Y. Ding, T. Tanaka, M. Nishio
Title:
Growth of InGaN films by reactive sputtering
Announcement information:
The 10th International Symposium on Sputtering and Plasma Processes, Kanazawa, July 8-10, 2009, TF P1-27.


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