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X-ray absorption near-edge fine structure study of AlInN semiconductors.

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2005年
DOI：
会議属性：
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Q.X. Guo, J. Ding, T. Tanaka, M. Nishio, and H. Ogawa
題名：
X-ray absorption near-edge fine structure study of AlInN semiconductors.
発表情報：
Applied Physics letters. 86, 111911-(1-3) (2005)
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Q.X. Guo, J. Ding, T. Tanaka, M. Nishio, and H. Ogawa
Title：
X-ray absorption near-edge fine structure study of AlInN semiconductors.
Announcement information:
Applied Physics letters. 86, 111911-(1-3) (2005)

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