MF研究者総覧

教員活動データベース

詳細

Reactive ion etching of indium nitride using CH4 and H2 gases

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2000年
DOI：
会議属性：
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Q.X.Guo, M. Matsuse, M.Nishio, and H.Ogawa
題名：
Reactive ion etching of indium nitride using CH4 and H2 gases
発表情報：
Japanese Journal of Applied Physics, 39, 5048-5051 (2000)
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Q.X.Guo, M. Matsuse, M.Nishio, and H.Ogawa
Title：
Reactive ion etching of indium nitride using CH4 and H2 gases
Announcement information:
Japanese Journal of Applied Physics, 39, 5048-5051 (2000)

Copyright © MEDIA FUSION Co.,Ltd. All rights reserved.