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Reactive ion etching of indium nitride using CH4 and H2 gases

発表形態:
原著論文
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2000年
DOI:
会議属性:
査読:
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
Q.X.Guo, M. Matsuse, M.Nishio, and H.Ogawa
題名:
Reactive ion etching of indium nitride using CH4 and H2 gases
発表情報:
Japanese Journal of Applied Physics, 39, 5048-5051 (2000)
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
Q.X.Guo, M. Matsuse, M.Nishio, and H.Ogawa
Title:
Reactive ion etching of indium nitride using CH4 and H2 gases
Announcement information:
Japanese Journal of Applied Physics, 39, 5048-5051 (2000)


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