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Growth characteristics of homoepitaxial ZnTe films deposited by synchrotron radiation using metalorganic sources

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
1999年
DOI：
会議属性：
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
M.Nishio, T.Enoki, Q.X.Guo, and H.Ogawa
題名：
Growth characteristics of homoepitaxial ZnTe films deposited by synchrotron radiation using metalorganic sources
発表情報：
Japanese Journal of Applied Physics, Suppl.38-1, 568-571 (1999).
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
M.Nishio, T.Enoki, Q.X.Guo, and H.Ogawa
Title：
Growth characteristics of homoepitaxial ZnTe films deposited by synchrotron radiation using metalorganic sources
Announcement information:
Japanese Journal of Applied Physics, Suppl.38-1, 568-571 (1999).

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