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Structural properties of InN film grown on sapphire substrate by microwave excited metalorganic vapor phase epitaxy

発表形態:
原著論文
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
1994年
DOI:
会議属性:
査読:
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
Q.X.Guo, T.Yamamura, A.Yoshida, and N.Itoh
題名:
Structural properties of InN film grown on sapphire substrate by microwave excited metalorganic vapor phase epitaxy
発表情報:
Journal of Applied Physics, 75, 4927-4932 (1994).
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
Q.X.Guo, T.Yamamura, A.Yoshida, and N.Itoh
Title:
Structural properties of InN film grown on sapphire substrate by microwave excited metalorganic vapor phase epitaxy
Announcement information:
Journal of Applied Physics, 75, 4927-4932 (1994).


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