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Photoluminescence of iodine-doped ZnTe homoepitaxial layer grown by metalorganic vapor phase epitaxy

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2003年
DOI：
会議属性：
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Tanaka, T / Hayashida, K / Nishio, M / Guo, Q. X / Ogawa, H
題名：
Photoluminescence of iodine-doped ZnTe homoepitaxial layer grown by metalorganic vapor phase epitaxy
発表情報：
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 巻: 93 号: 9 ページ: 5302-5306
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Tanaka, T / Hayashida, K / Nishio, M / Guo, Q. X / Ogawa, H
Title：
Photoluminescence of iodine-doped ZnTe homoepitaxial layer grown by metalorganic vapor phase epitaxy
Announcement information:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol: 93 Issue: 9 Page: 5302-5306

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