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Capacitance characteristics in InN thin films grown by reactive sputtering on GaAs

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2003年
DOI：
会議属性：
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
W. Pan, Z.G. Qian, W.z. Shen, H. Ogawa, and Q.X. Guo
題名：
Capacitance characteristics in InN thin films grown by reactive sputtering on GaAs
発表情報：
Japanese Journal ofApplied Physics 巻: 42 ページ: 5551-5556
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
W. Pan, Z.G. Qian, W.z. Shen, H. Ogawa, and Q.X. Guo
Title：
Capacitance characteristics in InN thin films grown by reactive sputtering on GaAs
Announcement information:
Japanese Journal ofApplied Physics Vol: 42 Page: 5551-5556

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