日本語フィールド
著者:Z. G. Qian, W. Z. Shen, H.Ogawa, and Q.x.Guo題名:Lattice Vibrational Properties of Semiconductor InN (Review paper)発表情報:Progressin Physics 巻: 23 ページ: 257-283キーワード:概要:抄録:英語フィールド
Author:Z. G. Qian, W. Z. Shen, H.Ogawa, and Q.x.GuoTitle:Lattice Vibrational Properties of Semiconductor InN (Review paper)Announcement information:Progressin Physics Vol: 23 Page: 257-283