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Growth condition dependence of structure and surface morphology of GaN films on (111) GaAs substrates prepared by reactive sputtering

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2004年
DOI：
会議属性：
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Q.X. Guo, W.J. Lu, D. Zhang, T. Tanaka, M. Nishio, H. Ogawa
題名：
Growth condition dependence of structure and surface morphology of GaN films on (111) GaAs substrates prepared by reactive sputtering
発表情報：
Journal of Vacuum Science and Technology (A) 号: 22 ページ: 1290-1292
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Q.X. Guo, W.J. Lu, D. Zhang, T. Tanaka, M. Nishio, H. Ogawa
Title：
Growth condition dependence of structure and surface morphology of GaN films on (111) GaAs substrates prepared by reactive sputtering
Announcement information:
Journal of Vacuum Science and Technology (A) Issue: 22 Page: 1290-1292

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